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[发明专利]半导体装置-CN201810972334.3有效
发明人：杉本雅裕;髙桥勲;四户孝;人罗俊实 -专利权人：株式会社FLOSFIA
申请日： 2018-08-24 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明提供一种具有p型半导体层、n型半导体层和i型半导体层间的良好的接合且半导体特性优异的半导体装置。本发明制造一种半导体装置，所述半导体装置至少包括：n型半导体层，包括第一半导体作为主要成分；i型半导体层，包括第二半导体作为主要成分；以及p型半导体层，包括第三半导体作为主要成分，第一半导体、第二半导体和第三半导体均为具有刚玉结构的氧化物半导体，将得到的半导体装置用于功率器件等。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN201810971991.6有效
发明人：杉本雅裕;髙桥勲;四户孝;人罗俊实 -专利权人：株式会社FLOSFIA
申请日： 2018-08-24 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L29/04 文献下载
摘要：本发明提供一种具有p型半导体层、n型半导体层和i型半导体层间的良好接合且半导体特性优异的半导体装置。技术方案为制造一种半导体装置，并将所获得的半导体装置用于功率器件等，所述半导体装置至少包括n型半导体层、i型半导体层及p型半导体层，其中n型半导体层包括第一半导体以作为主要成分，第一半导体为含有选自铝、铟和镓中的一种或两种以上的金属的氧化物半导体。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN201210256998.2有效
发明人：鸟居克行 -专利权人：三垦电气株式会社
申请日： 2012-07-23 - 公布日： 2014-02-12 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体装置，在该半导体装置的外周区域中，第2半导体区域(32)达到半导体衬底(1)的第2主面(21)，半导体装置还具有第6半导体区域(50)，其与第2半导体区域(32)相接并具有第2导电类型，该第6半导体区域(50)包含半导体衬底(1)的第2主面的端部，并从半导体衬底(1)的第2主面(21)开始，达到比第4半导体区域(4)深的区域。根据本发明的半导体装置，通过在外周区域设置第6半导体区域(50)，使得耗尽层(14)的端部没有达到切割面(51)，而是使耗尽层(14)的端部达到了半导体衬底的第2主面(21)上，从而确保了半导体装置的耐压性
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN202110570493.2在审
发明人：杨智铨;徐国修 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-05-25 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本公开提供一种半导体装置以及半导体装置的制造方法。一种半导体装置的范例包含第一半导体堆叠以及第二半导体堆叠、虚设间隔物和栅极结构，这些堆叠位于基板上方，其中各第一半导体堆叠与第二半导体堆叠包含层叠的且相互分开的半导体层；虚设间隔物位于第一半导体堆叠以及第二半导体堆叠之间，其中虚设间隔物接触第一半导体堆叠与第二半导体堆叠的各半导体层的第一侧壁；栅极结构环绕第一半导体堆叠与第二半导体堆叠的各半导体层的第二侧壁、顶面以及底面。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN201980046763.0在审
发明人：杉本雅裕;高桥勋;四户孝;雨堤耕史 -专利权人：株式会社FLOSFIA
申请日： 2019-07-10 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明提供一种尤其对功率器件有用且半导体特性优异的半导体装置。一种半导体装置，在n型半导体层(例如，将氧化物半导体作为主成分包含的n型半导体层等)与电极之间设置有一个或两个以上的p型半导体(例如，经p型掺杂的结晶性氧化物半导体等)，所述半导体装置的特征在于，所述p型半导体埋入到所述n型半导体层中，并且从所述n型半导体层向所述电极内突出。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN202010730923.8在审
发明人：冈本隼人;陈则 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2020-07-27 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供能够使半导体装置的性能提高的技术。半导体装置具有第1导电型的第1半导体区域、第1半导体区域之上的第2导电型的第2半导体区域、第2导电型的第3及第4半导体区域、第1导电型的第5半导体区域、电极。第3半导体区域位于第2半导体区域之上，杂质浓度比第2半导体区域高。第4半导体区域与第2半导体区域相比杂质浓度高，第4半导体区域在俯视观察时位于与第3半导体区域分离的位置，该第4半导体区域与第2半导体区域接触。第5半导体区域位于第2半导体区域之上，在俯视观察时位于第3及第4半导体区域之间。电极不与第4及第5半导体区域接触而是与第3半导体区域接触。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN201410376832.3有效
发明人：蔵口雅彦 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2014-08-01 - 公布日： 2018-01-30 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置。实施方式的半导体装置具备第一导电型的Si或者SiC的半导体基板；半导体基板表面的第二导电型的半导体区域；半导体基板上的GaN系半导体层；以及横型元件，设置于GaN系半导体层的半导体区域上方，具有与半导体区域电连接的第一电极
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN201611159323.0有效
发明人：织田真也;德田梨绘;神原仁志;河原克明;人罗俊实 -专利权人：株式会社FLOSFIA
申请日： 2016-12-15 - 公布日： 2021-06-01 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体特性和肖特基特性优异的半导体装置。该半导体装置至少具备：含有具有刚玉结构的结晶性氧化物半导体作为主成分的半导体层，以及上述半导体层上的肖特基电极，形成上述肖特基电极时，通过使上述肖特基电极含有元素周期表第4族～第9族的金属，能够在不损害半导体特性的情况下制造半导体特性和肖特基特性优异的半导体装置，并将所得半导体装置用于功率器件等。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN202080104815.8在审
发明人：山本忠嗣;村井亮司 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2020-07-21 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L23/36 文献下载
摘要：将半导体装置的高度抑制得低，有效地进行半导体装置的散热。半导体装置具有对半导体模块进行冷却的冷却器，半导体模块具有金属块、半导体元件、与半导体元件连接的端子、以及将端子的一部分、金属块、半导体元件覆盖的树脂，冷却器具有：金属基座，其与半导体模块的下表面接触，在俯视观察时包含半导体模块；以及冷却配管，其配置于金属基座的上表面，对半导体模块进行冷却，冷却配管在俯视观察时将半导体模块的至少一部分包围。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN200710097085.X无效
发明人：福井靖树 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2007-04-17 - 公布日： 2007-10-24 - 主分类号： H01L25/00 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置(1)。该半导体装置(1)具有：第1半导体芯片(2)；第2半导体芯片(3)；以及被第1半导体芯片(2)和第2半导体芯片(3)夹持并且粘合第1半导体芯片(2)的粘合层(5)，其中，第2半导体芯片(3)层叠在第1半导体芯片(2)上使得第2半导体芯片(3)的一部分突出于第1半导体芯片(2)的外缘之外，在这种结构中，上述粘合层5粘合第1半导体芯片(2)，而不接触第1半导体芯片(2)的上述外缘部分。因此，能够提供一种高可靠性(耐久性)的层叠结构的半导体装置。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN201510329019.5在审
发明人：佐藤信幸 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2015-06-15 - 公布日： 2016-06-22 - 主分类号： H01L23/58 文献下载
摘要：本发明提供能够精度更良好地进行过热检测的半导体装置。根据一实施方式，半导体装置包括：支撑部件、设置在支撑部件上且具备过热检测电路的半导体芯片、设置在半导体芯片上且具备功率半导体元件的半导体芯片、和将支撑部件、半导体芯片以及半导体芯片封固的封固部件。过热检测电路配置在半导体芯片之下。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN201910106738.9有效
发明人：川岛崇功 -专利权人：株式会社电装
申请日： 2019-02-02 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置。该半导体装置具备：第一导体板；多个半导体元件，其被配置于第一导体板上；第一外部连接端子，其与第一导体板连接。多个半导体元件包括第一半导体元件、第二半导体元件以及第三半导体元件。第二半导体元件被配置于第一半导体元件与第三半导体元件之间。在第一导体板中连接有第一外部连接端子的范围在第一半导体元件、第二半导体元件以及第三半导体元件中最接近于第二半导体元件。而且，在第一导体板中，在连接有第一外部连接端子的范围与连接有第二半导体元件的范围之间设置有孔。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN201510092349.7无效
发明人：崔秀明 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2015-03-02 - 公布日： 2016-10-05 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明关于半导体装置。半导体装置具备：第一导电型的第一半导体区域；第二导电型的第二半导体区域，设置在第一半导体区域表面；绝缘层，设置在第一及第二半导体区域上；配线层，设置在绝缘层上，与第二半导体区域电连接；第三半导体区域，设置在绝缘层下，与第一半导体区域相接；第四半导体区域，由第四与第二半导体区域夹隔第一半导体区域；第五半导体区域，设置在第一与第四半导体区域之间，杂质浓度比第一半导体区域高；第六半导体区域，设置在第一与第四半导体区域之间，杂质浓度比第四半导体区域低；以及第七半导体区域，由第七与第六半导体区域夹隔第一半导体区域，第七半导体区域杂质浓度比第一半导体区域高，且连接于配线层。
半导体装置

[实用新型]半导体装置-CN202221717628.X有效
发明人：游国丰;陈建豪;许智育;李致葳;陈健源 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-07-04 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：本实用新型提出一种半导体装置。半导体装置与相关方法可用于形成栅极结构。半导体装置包括鳍状物自基板延伸。鳍状物包括多个半导体通道层。半导体装置还包括栅极介电层，围绕每一半导体通道层。半导体通道层的最顶部的半导体通道层的上表面上的栅极介电层的第一厚度，大于最顶部的半导体通道层之下的另一半导体通道层的表面上的栅极介电层的第二厚度。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN201980046761.1在审
发明人：杉本雅裕;高桥勋;四户孝;雨堤耕史 -专利权人：株式会社FLOSFIA
申请日： 2019-07-10 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明提供一种尤其对功率器件有用且半导体特性优异的半导体装置。一种半导体装置(例如，结势垒肖特基二极管等)，在n型半导体层与电极之间设置有多个p型半导体(例如，镁掺杂氧化镓等)，所述半导体装置的特征在于，所述n型半导体层包含镓(例如，氧化镓等)，设置有三个以上的所述p型半导体，并且所述p型半导体埋入到所述n型半导体层中。
半导体装置

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