“硅衬底”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果422644个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]硅通孔背面露头的方法和装置-CN201380075888.9有效
发明人：王晖;陈福平;张晓燕 -专利权人：盛美半导体设备(上海)有限公司
申请日： 2013-04-22 - 公布日： 2019-03-29 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：提供一种硅通孔背面露头的方法和装置。该方法包括如下步骤：提供硅衬底(101)，硅衬底(101)内形成有若干硅通孔(102)；旋转硅衬底(101)并向硅衬底(101)的背面喷洒第一刻蚀剂以刻蚀硅衬底(101)的背面，在硅通孔(102)从硅衬底(101)的背面露出之前停止刻蚀；旋转硅衬底(101)并向硅衬底(101)的背面喷洒第二刻蚀剂以刻蚀硅衬底(101)的背面直到硅通孔(102)从硅衬底(101)的背面露出，其中在向硅衬底(101)的背面喷洒第二刻蚀剂期间，在设定的时间间隔内，使硅衬底(101)的旋转方向反向。
硅通孔背面露头方法装置

[发明专利]硅结构及其制造方法-CN200810129548.0无效
发明人：渡边真也 -专利权人：日本电气株式会社
申请日： 2008-06-30 - 公布日： 2008-12-31 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：一种硅结构包括硅衬底、形成在硅衬底上且包括硅化合物膜的衬底上结构；和根据硅衬底的晶体取向从硅衬底延伸形成的且配置以支撑衬底上结构的支柱。支柱直接提供在硅衬底上的衬底上结构的下面。
结构及其制造方法

[发明专利]陶瓷体上硅衬底的制备方法-CN201710940454.0有效
发明人：李瑾;冒薇;王丰梅;杨静;赵书平 -专利权人：苏州研材微纳科技有限公司
申请日： 2017-10-11 - 公布日： 2020-04-21 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明涉及一种制备方法，尤其是一种陶瓷体上硅衬底的制备方法，属于陶瓷体上硅的技术领域。按照本发明提供的技术方案，所述陶瓷体上硅衬底的制备方法，所述制备方法包括如下步骤：步骤1、提供所需的第一硅衬底以及第二硅衬底，并对所述第一硅衬底、第二硅衬底进行所述清洗；步骤2、在第一硅衬底上均匀涂覆陶瓷埋材层，所述陶瓷埋材层包括聚硅氮烷；步骤3、将第二硅衬底键合在上述第一硅衬底上，第二硅衬底通过陶瓷埋材层与第一硅衬底间隔；步骤4、对上述陶瓷埋材层进行陶瓷化工艺，以得到位于第一硅衬底与第二硅衬底之间的陶瓷体绝缘埋层本发明能有效制备得到陶瓷体上硅衬底，工艺步骤简单，安全可靠。
陶瓷体上硅衬底制备方法

[发明专利]一种复合衬底的制备方法、复合衬底及复合薄膜-CN202011592201.7有效
发明人：李洋洋;李真宇;杨超;胡卉;刘阿龙;连坤 -专利权人：济南晶正电子科技有限公司
申请日： 2020-12-29 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本申请提供一种复合衬底的制备方法、复合衬底及复合薄膜，其中复合衬底的制备方法包括：对单晶硅衬底进行清洗，获得具有洁净表面的单晶硅衬底层；在单晶硅衬底层的洁净表面上生长多晶硅，并执行平坦化工艺，形成第一多晶硅层；将激光聚焦在第一多晶硅层靠近单晶硅衬底层的侧面上，直至形成单晶硅融合层，停止激光聚焦，得到复合衬底；其中，复合衬底从下至上依次包括单晶硅衬底层、单晶硅融合层以及第二多晶硅层。采用前述的方案，通过调整激光的功率、焦距以及位置，准确的控制单晶硅融合区域的位置、分布和大小，从而可根据单晶硅衬底层和多晶硅层的实际情况对目标界面处的目标区域的键合力进行改善，提高多晶硅在硅衬底上沉积的粘附性
一种复合衬底制备方法薄膜

[发明专利]一种硅衬底LED发光芯片的表面处理方法-CN201510058552.2在审
发明人：霍永峰;周礼书 -专利权人：深圳市立洋光电子有限公司
申请日： 2015-02-04 - 公布日： 2016-10-05 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅衬底LED发光芯片的表面处理方法，其能够有效的提高硅衬底的表面积，提高硅衬底LED发光芯片的发光效率。它主要包括步骤：(a)选用合适的硅衬底，根据硅衬底的表面特性以及所需的图形形状设计掩膜图形；(b)在硅衬底表面生成硅氧化物保护层或金属保护层；(c)对硅衬底进行清洗及预处理；(d)对经过预处理的硅衬底表面涂抹光刻胶，然后进行烘烤；(e)对涂有光刻胶的硅衬底表面依次进行掩膜和光刻工艺处理；(f)采用湿法化学腐蚀工艺把光刻胶图形传递成为硅衬底表面的保护层掩膜图形；(g)把带有保护层掩膜图形的硅衬底浸入化学腐蚀溶液中进行各向异性腐蚀，当硅衬底表面生成需要的立体图形后，立即取出硅衬底终止化学腐蚀反应。
一种衬底 led 发光芯片表面处理方法

[发明专利]基于图形化高能离子注入的低衬底损耗硅基集成电路及其制作方法-CN201410212952.X在审
发明人：曾建平;熊永忠;唐海林;刘超;李一虎;邓小东 -专利权人：中国工程物理研究院电子工程研究所
申请日： 2014-05-20 - 公布日： 2014-07-30 - 主分类号： H01L27/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于图形化高能离子注入的低衬底损耗硅基集成电路及其制作方法，主要解决了现有技术中存在的硅基集成电路存在严重的衬底损耗，导致器件的工作频率降低的问题。其包括图形化的硅基衬底及按照硅基工艺制作在该硅基衬底上的硅基集成电路，所述硅基衬底包括低阻硅基衬底和完成硅基集成电路制作后利用图形化的高能离子从低阻硅基衬底底部注入实现高阻改性的高阻硅基衬底，所述低阻硅基衬底位于硅基集成电路中硅基有源器件下方，所述高阻硅基衬底位于硅基集成电路中硅基无源器件下方。通过上述方案，本发明达到了低成本、低衬底损耗、高集成度、高性能的目的，具有很高的实用价值和推广价值。
基于图形高能离子注入衬底损耗集成电路及其制作方法

[发明专利]硅基GaN薄膜的制造方法-CN201110377023.0有效
发明人：张帅;刘坤 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2011-11-23 - 公布日： 2013-06-05 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅基GaN薄膜的制造方法，首先在硅衬底背面刻蚀出沟槽，然后在硅衬底正面上生长GaN薄膜，也可以先在沟槽中填充或生长加强薄膜，再在硅衬底正面上生长GaN薄膜。本发明的硅基GaN薄膜的制造方法，由于硅衬底背面形成有沟槽，能减少硅衬底的强度，从而在硅衬底正面生长GaN薄膜时由于晶格失配和热失配产生应力的情况下，硅衬底能发生适当的形变来释放GaN与硅衬底之间的应力，减少硅基上大面积生长GaN薄膜时因应力过大而导致硅衬底正面生长的GaN薄膜产生缺陷或裂纹的风险。
硅基 gan 薄膜制造方法

[发明专利]一种检测硅衬底质量的方法-CN201410856256.2有效
发明人：李小锋;俞伟锋;刘翔宇;梁厅 -专利权人：杭州士兰集成电路有限公司
申请日： 2014-12-31 - 公布日： 2018-08-24 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供一种检验硅衬底质量的方法，先对硅衬底进行升温及降温处理，当衬底背面损伤层吸杂效果不佳或硅衬底来料存在沾污时，硅衬底背面及边沿的沾污或升降温设备中的沾污会溢出转移到衬底正面，再在硅衬底上生长外延层，这样硅衬底上存在沾污的位置外延生长晶格完整性将受到破坏产生外延生长缺陷，对硅衬底上的外延层进行腐蚀时外延生长缺陷将被暴露出来，采用金相显微镜进行外延层表面缺陷检测便可判断硅衬底的质量，不需增加昂贵的检测设备，即可在硅衬底来料时提早检测硅衬底中的沾污的情况，避免敏感的器件流片批量报废，预防定单交付延迟。
一种检测衬底质量方法

[实用新型]具有沟道式硅衬底的HEMT器件-CN201720125139.8有效
发明人：夏远洋;苗操;李亦衡;朱廷刚;严文胜 -专利权人：江苏能华微电子科技发展有限公司
申请日： 2017-02-10 - 公布日： 2017-08-11 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种具有沟道式硅衬底的HEMT器件，包括硅衬底、形成在所述的硅衬底上表面的外延层，所述的硅衬底通过至少一条沟道分成多个相互独立的硅衬底块，所述的沟道形成对所述的硅衬底上导电通道的隔断。本实用新型通过沟道对硅衬底形成隔断，在保留衬底支撑作用的同时，阻断了漏电路径，实现了减小漏电电流，提升了击穿电压。
具有沟道衬底 hemt 器件

[发明专利]防止重掺杂的硅衬底边缘的离子析出的方法-CN201610703032.7有效
发明人：张召;王智;苏俊铭;倪立华 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2016-08-22 - 公布日： 2019-01-18 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本发明提供了一种防止重掺杂的硅衬底边缘的离子析出的方法，包括：提供一硅衬底，硅衬底为含有第一种离子的重掺杂硅衬底；对硅衬底边缘区域进行第二种离子注入，以在硅衬底边缘区域形成防止硅衬底边缘的重掺杂离子析出的阻挡层本发明通过对硅衬底边缘进行离子注入，从而形成防止硅衬底边缘重掺杂离子析出的阻挡层，有效避免了硅衬底边缘离子扩散析出，确保了后续工艺质量。
防止掺杂衬底边缘离子析出方法

[发明专利]硅通孔封装结构的形成方法-CN201210299744.9有效
发明人：李凤莲;倪景华 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2012-08-21 - 公布日： 2014-03-12 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：种硅通孔封装结构的形成方法，包括：提供锗硅衬底，在所述锗硅衬底表面形成硅衬底；在所述硅衬底的第一表面上形成半导体器件，在所述硅衬底的第一表面和半导体器件表面形成层间介质层和位于层间介质层内的金属互连结构；形成贯穿所述硅衬底的硅通孔，所述硅通孔的顶部表面与金属互连结构电学连接；利用气体腐蚀工艺或湿法刻蚀工艺去除所述锗硅衬底，直到暴露出所述硅衬底的第二表面和所述硅通孔的底部表面。由于所述气体腐蚀工艺或湿法刻蚀工艺不会对硅衬底产生应力作用，因此所述硅衬底的厚度可以很薄，可以有效的降低硅通孔的形成深度，降低成本，避免刻蚀形成过深的通孔时对通孔侧壁的损伤，不会影响最终形成的硅通孔的电学性能
硅通孔封装结构形成方法

[实用新型]单晶硅局域SOI衬底及光电器件-CN201921122280.8有效
发明人：汪巍;方青;涂芝娟;曾友宏;蔡艳;余明斌 -专利权人：上海新微技术研发中心有限公司
申请日： 2019-07-17 - 公布日： 2020-05-22 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本实用新型提供一种单晶硅局域SOI衬底及光电器件，单晶硅局域SOI衬底包括：硅衬底，所述硅衬底上具有局域SOI区域槽；介质层，填充于所述局域SOI区域槽中并覆盖于所述硅衬底表面，所述介质层中具有种子槽，所述种子槽显露所述硅衬底；单晶硅层，填充于所述种子槽并覆盖于所述介质层表面，所述单晶硅层与所述种子槽底部的硅衬底相接触。本实用新型可以在体硅衬底上形成局域SOI，从而实现光芯片与电芯片的单片集成。
单晶硅局域 soi 衬底光电器件

[发明专利]一种硅基三维异构集成的射频微系统及其制造方法-CN201810034938.3在审
发明人：陈雪平;王志宇;张勋;朱丹丹;田锋 -专利权人：杭州臻镭微波技术有限公司
申请日： 2018-01-15 - 公布日： 2018-05-29 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅基三维异构集成的射频微系统及其制造方法，本发明中的系统包括第一硅衬底层、第二硅衬底层、第三硅衬底层、第四硅衬底层、射频功放芯片、射频低噪放芯片、射频滤波器和射频开关，硅衬底层均为高阻硅晶圆，射频芯片和器件为采用不同衬底材料不同工艺制成；其中，把射频芯片和器件微组装在第一硅衬底层、第三硅衬底层内预先蚀刻好的腔体中，且第一硅衬底层、第二硅衬底层、第三硅衬底层和第四硅衬底层做低温晶圆级键合堆叠在一起，并通过硅通孔垂直互连，形成三维异构集成的射频微系统。
硅衬底层射频异构射频系统射频芯片微系统三维硅基蚀刻芯片射频滤波器衬底材料传输损耗垂直互连三维集成射频功放射频开关低噪放硅晶圆硅通孔互连线晶圆级微组装堆叠高阻减小键合腔体封装制造

[实用新型]一种硅基三维异构集成的射频微系统-CN201820060293.6有效
发明人：陈雪平;王志宇;张勋;朱丹丹;田锋 -专利权人：杭州臻镭微波技术有限公司
申请日： 2018-01-15 - 公布日： 2018-09-14 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种硅基三维异构集成的射频微系统。本实用新型中的系统包括第一硅衬底层、第二硅衬底层、第三硅衬底层、第四硅衬底层、射频功放芯片、射频低噪放芯片、射频滤波器和射频开关，硅衬底层均为高阻硅晶圆，射频芯片和器件为采用不同衬底材料不同工艺制成；其中，把射频芯片和器件微组装在第一硅衬底层、第三硅衬底层内预先蚀刻好的腔体中，且第一硅衬底层、第二硅衬底层、第三硅衬底层和第四硅衬底层做低温晶圆级键合堆叠在一起，并通过硅通孔垂直互连，形成三维异构集成的射频微系统
硅衬底层射频异构本实用新型射频系统射频芯片微系统三维硅基蚀刻芯片射频滤波器衬底材料传输损耗垂直互连三维集成射频功放射频开关低噪放硅晶圆硅通孔互连线晶圆级微组装堆叠高阻减小键合腔体封装

[发明专利]SOI衬底制备方法和SOI衬底-CN201480037255.3有效
发明人：皇甫幼睿 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2014-01-22 - 公布日： 2019-07-19 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：提供一种SOI衬底制备方法和SOI衬底，SOI衬底制备方法包括：在第一硅衬底(110)的氧化层(120)中形成图形化刻蚀阻挡层(130)，将第一硅衬底(110)中具有图形化刻蚀阻挡层(130)的一面与第二硅衬底(210)的表面键合，并剥离部分的第一硅衬底(110)以形成图形化绝缘衬底上的硅SOI衬底(300)。解决了现有技术中在SOI衬底的硅层上生长异质外延层时，导致硅层和异质外延层之间存在晶格失配和热失配的问题，可以在SOI衬底的硅层上形成无线位错的异质外延层，并很大程度上降低硅衬底与异质外延层之间的晶格失配率
soi 衬底制备方法

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条