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[发明专利]用于图案化EUV掩模上的光刻胶层的光刻系统和方法-CN201510165819.8有效
发明人：林云跃;陈嘉仁;李信昌;严涛南 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2015-04-09 - 公布日： 2018-02-27 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于极紫外(EUV)掩模的光刻系统。光刻系统包括耦合模块。耦合模块包括配置为接触EUV掩模的外围区域的至少一个掩模接触元件。光刻系统也包括具有通过至少一个掩模接触元件电连接至EUV掩模的一端和连接至地电位的另一端的安培计。安培计包括配置为测量从EUV掩模传导至地电位的电流的传感器和配置为提供与通过传感器测量的电流相反的补偿电流的补偿电路。本发明还涉及用于图案化EUV掩模上的光刻胶层的光刻系统和方法。
用于图案 euv 掩模上光刻系统方法

[发明专利]形成沟槽的方法、形成金属连线的方法、光刻方法及设备-CN200910085436.4有效
发明人：符雅丽;张海洋;孙武 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2009-05-22 - 公布日： 2010-11-24 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本发明提供了一种形成沟槽的方法、形成金属连线的方法、光刻方法及设备，所述形成沟槽的方法包括步骤：测试曝光、显影后的光刻胶掩模图形的沟槽侧壁是否垂直于半导体基底，如果否，则调整曝光的能量，并利用调整后的能量作为目标能量透过掩模板对所述光刻胶层曝光，对曝光后的光刻胶层进行显影，形成具有沟槽的光刻胶掩模图形，然后循环执行该步骤；利用调整后的能量作为目标能量透过掩模板对所述光刻胶层曝光；对曝光后的光刻胶层进行显影，形成具有开口结构的光刻胶掩模图形；对具有所述光刻胶掩模图形的半导体基底进行刻蚀
形成沟槽方法金属连线光刻设备

[发明专利]晶圆光刻参数获取方法和装置及晶圆光刻实现方法和装置-CN202211248224.5在审
发明人：李亮;姜淼;梁迪;闫彬斌;师江柳 -专利权人：北京超弦存储器研究院
申请日： 2022-10-12 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种晶圆光刻参数获取方法和装置及晶圆光刻实现方法和装置，该晶圆光刻参数获取方法包括；获取预先建立的全透明相移掩模参数与晶圆参数对应关系的数据库；获取目标晶圆参数，并根据数据库和目标晶圆参数获取目标全透明相移掩模参数；根据目标全透明相移掩模参数进行全透明相移掩模光学仿真，以获取使得仿真结果满足预设要求的仿真参数以及最终目标全透明相移掩模参数；将仿真参数作为晶圆光刻工艺参数，并将最终目标全透明相移掩模参数作为晶圆光刻所需的全透明相移掩模的参数该实施例方案使晶圆周期相比掩模周期减半，提升分辨率，并且由于全透明相移掩模线宽尺寸更大，掩模写板速度加快，相应降低掩模制造成本。
圆光参数获取方法装置实现

[发明专利]相移光掩模的制造方法-CN201810410555.1在审
发明人：田俊介;江政学;陈志明;林政旻;黄彦玮;张浩铭;林国钦;李冠贤 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-05-02 - 公布日： 2019-05-17 - 主分类号： G03F1/26 文献下载
摘要：在一种制造光掩模的方法中，在掩模坯之上形成光刻胶层，所述掩模坯包括掩模衬底、设置在所述掩模衬底上的相移层及设置在所述相移层上的光阻挡层。利用光刻操作形成光刻胶图案。利用所述光刻胶图案作为刻蚀掩模将所述光阻挡层图案化。利用经图案化的所述光阻挡层作为刻蚀掩模将所述相移层图案化。以刻蚀硬覆盖体覆盖所述掩模衬底的边界区，而所述掩模衬底的图案区是暴露出来的。对所述图案区执行光刻蚀操作以移除所述光阻挡层的残留物。
掩模光阻挡层图案化衬底图案区相移层光刻胶图案刻蚀掩模覆盖体刻蚀相移光掩模光刻胶层边界区光刻蚀光掩模光刻移除制造开口暴露覆盖

[发明专利]混合线条的制造方法-CN201110263770.1有效
发明人：唐波;闫江 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2011-09-07 - 公布日： 2013-03-20 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明提供了一种混合线条的制造方法，包括以下步骤：A、在底层上依次形成材料层、第一硬掩模层和第二硬掩模层；B、对第二硬掩模层光刻/刻蚀形成第二硬掩模图形；C、在第一硬掩模层上形成光刻胶掩模图形；D、以第二硬掩模图形和光刻胶掩模图形为掩模，刻蚀第一硬掩模层，形成第一硬掩模图形；E、以第一和硬掩模图形为掩模，刻蚀材料层，形成第一线条和第二线条。同时采用2次硬掩膜方法有效的解决了I线光刻胶和电子束光刻胶相互影响的问题。
混合线条制造方法

[发明专利]一种掩模台及光刻系统-CN201910161037.5有效
发明人：蔡晨;王鑫鑫;齐芊枫 -专利权人：上海微电子装备(集团)股份有限公司
申请日： 2019-03-04 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明属于光刻技术领域，具体公开了一种掩模台和光刻系统，其中掩模台包括：支撑底座；承版台，滑动连接在支撑底座的上端面上；两组Y向运动机构，设置在支撑底座上，且两组Y向运动机构分别设置在承版台沿X方向的两侧光刻系统包括上述掩模台。本发明公开的掩模台和光刻系统，能够减小掩模台和光刻系统的体积，降低掩模台和光刻系统的成本。
一种掩模台光刻系统

[发明专利]降低线条粗糙度的光刻方法-CN201210395430.9在审
发明人：孟令款;贺晓彬;李春龙 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2012-10-17 - 公布日： 2014-05-07 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种降低线条粗糙度的光刻方法，包括：在衬底上形成结构材料层和硬掩模层；在硬掩模层上形成电子束光刻胶，执行电子束过曝光形成电子束光刻胶图形，其中增大曝光剂量以改善粗糙度；以电子束光刻胶图形为掩模，刻蚀形成硬掩模图形；以硬掩模图形为掩模，刻蚀结构材料层，形成所需要的精细线条。依照本发明的方法，采用材质不同的多层硬掩模层并且合理调整光刻条件，防止了电子束光刻胶侧壁粗糙度传递到下层的结构材料层，有效降低了线条的粗糙度，提高了工艺的稳定性，降低了器件性能的波动。
降低线条粗糙光刻方法

[发明专利]能够提高成像质量的光刻图像获得方法-CN202110399779.9有效
发明人：王英志;王酌;宫玉琳;胡俊;盖春宇;张银银;石智源;陈怡嘉;孙天奇 -专利权人：长春理工大学
申请日： 2021-04-14 - 公布日： 2023-02-10 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：能够提高成像质量的光刻图像获得方法属于半导体硅片光刻技术领域。>out与成像畸变之间的关系，运用粒子群算法确定能够使成像畸变达到最小的σin和σout，减轻光刻图像的成像畸变；其次，将初始二进制掩模图形通过光刻成像模型得到空间像，根据空间像的光强分布，确定光强对比度γ，划定光强偏高、偏低的部分，修改初始二进制掩模图形，减轻光刻图像中的成像断裂；最后，利用梯度算法优化修改后的初始二进制掩模图形，得到实值掩模图形，再将该实值掩模图形转换为二进制掩模图形，将该二进制掩模图形作为最终的初始二进制掩模图形进行光刻成像，得到最终的光刻图像，成像畸变、成像断裂同时得到进一步减轻。
能够提高成像质量光刻图像获得方法

[发明专利]减少掩膜板雾状缺陷的方法-CN201410060676.X在审
发明人：周军;朱亚丹 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2014-02-21 - 公布日： 2014-06-04 - 主分类号： G03F1/48 文献下载
摘要：本发明提供一种减少掩膜板雾状缺陷的方法，所述方法包括如下步骤：由下至上依次形成掩模板材料、金属铝和第一光刻胶，掩模板材料自下而上包括石英衬底和铬层；以第一光刻胶为掩膜，通过光刻工艺将金属铝刻蚀成铝框架，去除最后还覆盖在铝框架上的第一光刻胶；在暴露出的掩模板材料上以及铝框架上涂敷满第二光刻胶，以第二光刻胶为掩膜，通过光刻工艺将铬层刻蚀以形成掩模板图案，去除最后还覆盖在掩模板材料和铝框架上的第二光刻胶；以纯水作为电解液，通过电解将铝框架的表面氧化以形成氧化铝；在氧化铝上黏贴覆盖层以形成掩模板保护膜，从而使铝框架和掩模板粘合时无需胶水，从而减少雾状产生的影响因子，进而提高铝框架和掩模板的结合力。
减少掩膜板雾状缺陷方法

[实用新型]一种保持硅晶片干燥的光刻机-CN202021382119.7有效
发明人：李俊毅 -专利权人：福建安芯半导体科技有限公司
申请日： 2020-07-13 - 公布日： 2021-02-19 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本实用新型涉及光刻机设备领域，尤其涉及一种保持硅晶片干燥的光刻机。本实用新型要解决的技术问题是提供一种能够持续对光刻机内部工作台周围进行干燥避免硅片存在水汽而影响光刻效果的光刻机。一种保持硅晶片干燥的光刻机，包括有整体外壳、工件传输装置、激光光路设备、掩模台、掩模板、投影物镜、控制台和芯片；工件传输装置固接于整体外壳外壁；掩模传输设备固接于整体外壳内侧壁；激光光路设备固接于整体外壳；掩模台固接于激光光路设备底部；掩模板夹于激光光路设备与掩模台之间；投影物镜固接于掩模台底部。本实用新型达到了能够持续对光刻机内部工作台周围进行干燥避免硅片存在水汽而影响光刻效果的作用。
一种保持晶片干燥光刻

[发明专利]微细结构的光刻方法-CN201110006476.2有效
发明人：王红丽;闫江 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2011-01-13 - 公布日： 2012-07-18 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种微细结构的光刻方法，包括：在衬底上形成结构材料层和第一硬掩模材料层；进行第一光刻，形成第一硬掩模图形；在第一硬掩模图形上形成第二硬掩模材料层；进行第二光刻，形成第二硬掩模图形。其中。第一光刻和第二光刻的光源不同，选自i线水银弧光灯和电子束曝光系统两者之一。依照本发明的微细结构的光刻方法，将传统光学光刻技术和电子束光刻技术结合起来使用，利用电子束曝光来实现微细图形的制作，利用光学光刻来完成其他图形，这样可以既有效解决微细图形的制作问题，又不损失效率。
微细结构光刻方法

[发明专利]半导体器件的制造方法-CN200710308389.6无效
发明人：郑宇荣 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2007-12-29 - 公布日： 2008-10-08 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：一种形成半导体器件的微细图案的方法，包括：在半导体衬底上方形成蚀刻目标层、硬掩模层、底部抗反射涂(BARC)层和第一光刻胶图案。在第一光刻胶图案的表面上形成有机层。在BARC层和有机层上方形成第二光刻胶层。实施蚀刻过程，使得第二光刻胶层保留在第一光刻胶图案之间的BARC层上，并且成为第二光刻胶图案。移除在第一光刻胶图案上和在第一与第二光刻胶图案之间的有机层。使用第一和第二光刻胶图案作为蚀刻掩模来蚀刻硬掩模层。使用硬掩模图案作为蚀刻掩模来蚀刻蚀刻目标层。
半导体器件制造方法

[发明专利]一种分离式严格的掩模模型与光刻胶模型建模与标定方法-CN202111443238.8在审
发明人：尉海清;刘世元;江浩 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2021-11-30 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： G03F1/36 文献下载
摘要：本发明属于半导体行业中计算光刻相关技术领域，并具体公开了一种分离式严格的掩模模型与光刻胶模型建模与标定方法。所述方法采用分步式掩模模型与光刻胶模型参数解耦标定的新思路，强调并利用光学成像模型与掩模模型的严格性，避免了复杂费时的复杂二维结构厚掩模近场的严格求解，实现了仅从一维或简单二维结构的掩模近场严格求解出发，即可完成适用于复杂二维结构的光刻胶模型与掩模模型的分离式严格校准与标定。此外，在上述分离式掩模模型与光刻胶模型校准结果的基础上，提供了光刻胶模型与掩模模型联合迭代校准的方法，所得校准结果可使模型更加符合实际的物理情况。
一种分离严格模型光刻建模标定方法

[发明专利]在直接化学机械抛光工艺的产品中共用SL掩模板的方法-CN200910201877.6有效
发明人：阚欢 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2009-11-30 - 公布日： 2011-06-01 - 主分类号： H01L21/302 文献下载
摘要：本发明公开了一种在直接化学机械抛光工艺的产品中共用SL掩模板的方法，所述SL掩模板，是指在STI形成后，用于打开光刻对准标记区域并进行附加刻蚀时所使用的掩模板，使最终形成的光刻对准标记台阶高度满足后续光刻对准工艺需求；其中：设计一块通用SL掩模板，其包括各光刻对准标记的打开图形，各套刻标记的打开图形以及所述各图形之间用于防止光刻机挡板漏光的暗区；在光刻时通过设定不同掩模板挡板，掩模板偏移量以及硅片偏移量的参数，使所述SL掩模板用于不同的DCMP工艺的产品中。采用本发明的方法可以使所述SL掩模板在不同的DCMP工艺的产品中共用，达到降低产品生产成本的目的。
直接化学机械抛光工艺产品共用 sl 模板方法

[发明专利]光刻编程系统及其应用-CN02131352.0无效
发明人：张国飙 -专利权人：张国飙
申请日： 2002-09-29 - 公布日： 2003-04-09 - 主分类号： G03F1/00 文献下载
摘要：本发明提出一种光刻编程系统及其应用。光刻编程系统通过提高掩模版的再使用率来降低光刻成本，其核心技术是开口可编程掩模版(OPM掩模版)。OPM掩模版根据来自用户的设置数据调制其明暗图形，从而将设置数据赋值到目标载体(如硅片、常规掩模版、光盘母盘)中。通过多遍错位曝光和/或两次成像，基于成熟技术的OPM掩模版(光调制元大小～5μm)能应用到深亚微米(～0.25μm)的光刻编程中。
光刻编程系统及其应用