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- [发明专利]掩模版的形成方法及掩模版-CN201910004761.7有效
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姚军;曹清晨;刘峻;胡小龙;高峰
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长江存储科技有限责任公司
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2019-01-03
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2021-11-05
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G03F7/20
- 本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种掩模版的形成方法、光刻方法及掩模版。掩模版的形成方法包括如下步骤：制作一包括多个测试区域的测试掩模版，测试区域包括若干亚分辨率图案，且各测试区域中亚分辨率图案的排布密度不同；采用测试掩模版对测试光刻胶层进行曝光；对所述测试光刻胶层显影后建立包括排布密度与残留厚度之间对应关系的数据库；自数据库中选择与目标残留厚度对应的目标排布密度，以所述目标排布密度制作包括多个所述亚分辨率图案的目标掩模版。本发明极大的简化了在晶圆表面形成特定厚度光刻胶层的操作，降低了光刻成本，提高了光刻效率。
- 模版形成方法
- [发明专利]晶体管的形成方法-CN201310754245.9在审
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张海洋;尚飞
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中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
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2013-12-31
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2015-07-01
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H01L21/336
- 本发明提供一种晶体管的形成方法，包括提供衬底，在所述衬底表面形成包括伪栅的伪栅结构，在衬底上形成层间介质层，在层间介质层上覆盖硬掩模层，在硬掩模层上形成光刻掩模层，并将光刻掩模层的图形转移到所述硬掩模层中，以在硬掩模层中形成露出伪栅的开口，去除光刻掩模层，以硬掩模层为掩模，采用脉冲等离子体刻蚀去除所述伪栅，在去除伪栅所形成的开口中形成金属栅极。在去除伪栅之前，先去除硬掩模层上方的光刻掩模层，使得伪栅结构上方只存在硬掩模层，在对伪栅结构中的伪栅进行干法刻蚀的过程中，伪栅表面的污染物较少，采用较低刻蚀强度的脉冲等离子体刻蚀即可将伪栅去除干净，避免了较高的刻蚀强度对层间介质层的损伤
- 晶体管形成方法
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