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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种改善硅片周边光刻胶形貌的方法-CN201110021322.0无效
发明人：孟鸿林;王雷;郭晓波 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2011-01-19 - 公布日： 2012-07-25 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种改善硅片周边光刻胶形貌的方法，包括如下步骤：步骤1，光刻胶的旋涂、烘烤；步骤2，通过掩模版挡板定义出单个曝光区域的大小，再通过光刻机的曝光系统对硅片周边进行曝光，此次曝光无需掩模版；步骤3，常规的带掩模版的图形区域曝光；步骤4，显影，形成光刻胶图形并去除硅片周边光刻胶。
一种改善硅片周边光刻形貌方法

[发明专利]一种掩模形貌图处理方法、装置以及计算机设备-CN202210085792.1在审
发明人：兰涛明 -专利权人：东方晶源微电子科技(北京)有限公司
申请日： 2022-01-25 - 公布日： 2022-05-31 - 主分类号： G03F1/36 文献下载
摘要：本发明涉及光刻技术领域，特别涉及一种掩模形貌图处理方法，包含以下步骤：获取待处理掩模设计版图以及所述待处理掩模设计版图对应的掩模形貌图；将所述掩模形貌图输入预设的已训练形貌图映射模型得到所述掩模形貌图对应的光刻胶形貌图本发明提供的一种掩模形貌图处理方法、装置和计算机设备解决了对于掩模形貌图进行处理时间成本高的技术问题。
一种形貌处理方法装置以及计算机设备

[发明专利]光刻用防护薄膜组件-CN200810125314.9有效
发明人：白崎享 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2008-06-18 - 公布日： 2009-01-21 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明提供一种光刻用防护薄膜组件，其目的在于达到即使在掩模上粘贴防护薄膜组件，掩模也不会产生应变的效果。在本发明的光刻用防护薄膜组件中，用来将防护薄膜组件粘贴于掩模上的掩模黏着剂具有平坦面，且该面的平坦度在15μm以下。
光刻防护薄膜组件

[发明专利]光刻对准方法和装置-CN201310286469.1在审
发明人：赵超;钟汇才 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2013-07-09 - 公布日： 2015-01-14 - 主分类号： H01L21/68 文献下载
摘要：本发明公开了一种光刻对准的方法和装置。该光刻对准方法包括：a在衬底和掩模上分别形成衬底对准标记和掩模对准标记；b将激励电路连接到所述衬底对准标记或所述掩模对准标记，所述激励电路在与之连接的对准标记内部引入变化的电流和磁场；c将所述衬底对准标记和所述掩模对准标记相耦合；d测量表示所述耦合的强度的一个或多个参数；e将检测到所述一个或多个参数的最大值的掩模位置作为其对准位置；以及f将所述掩模移动到所述对准位置。本发明还公开了用于操作该光刻对准方法的装置。本发明的光刻对准方法和装置通过使用针对对准标记的电磁检测辅助手段，来实现衬底的对准。
光刻对准方法装置

[发明专利]用于制造半导体器件和切割道的方法-CN201880082710.X在审
发明人：米卡尔·科林;奥黛莉·伯舍乐 -专利权人：赛峰集团
申请日： 2018-12-17 - 公布日： 2020-08-07 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：在衬底(102)中制造半导体器件(100)的方法，该方法包括：‑将中间掩模的图案光刻到衬底的一部分上，该中间掩模的图案限定半导体器件的第一元件，多次重复对图案的曝光以限定所有器件；‑在所有衬底上对蚀刻掩模的图案进行光刻；‑将光刻图案蚀刻到衬底厚度的一部分中，其中，环绕器件的第一切割道(130)被包含在蚀刻掩模和/或中间掩模的图案中，并且对蚀刻掩模进行光刻限定了第二切割道(140)，第二切割道由衬底(102)的边缘的预定断裂线限定
用于制造半导体器件切割方法

[发明专利]形成薄膜图案的方法以及具有该薄膜图案的平板显示器-CN201110154262.X有效
发明人：金正五;李正一;金江一;方政镐;白正善 -专利权人：乐金显示有限公司
申请日： 2011-06-02 - 公布日： 2011-12-14 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：形成薄膜图案的方法包括：在基板上顺序形成第一到第三薄膜层，在第三薄膜层上形成第一光刻胶图案，利用第一光刻胶图案作为掩模构图第二和第三薄膜层以形成具有彼此不同线宽的第一和第二薄膜掩模图案，在位于第一薄膜层和第二薄膜掩模图案之间的第一和第二薄膜掩模图案彼此不重叠的区域形成第二光刻胶图案，去除第一和第二薄膜掩模图案，以及通过利用第二光刻胶图案作为掩模构图第一薄膜层以形成薄膜图案。
形成薄膜图案方法以及具有平板显示器

[发明专利]混合光学和电子束光刻方法-CN201210353673.6在审
发明人：孟令款;李春龙;贺晓彬 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2012-09-20 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明公开了一种混合光学和电子束光刻方法，包括：在衬底上形成结构材料层和第一硬掩模层；进行第一光刻/刻蚀，形成第一硬掩模图形；在第一硬掩模图形上形成第二硬掩模层；进行第二光刻/刻蚀，形成第二硬掩模图形；依照本发明的混合光学和电子束光刻方法，将同一层次图形按线条大小进行分开处理，大的线条采用光学曝光，而精细图形采用电子束曝光，可以大幅缩减曝光时间，提高产能。
混合光学电子束光刻方法

[发明专利]采用独立掩模误差模型的掩模验证系统和方法-CN201210140632.9有效
发明人：叶军;斯蒂芬·亨斯克 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2006-09-08 - 公布日： 2012-09-12 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：公开了系统和方法，所述系统和方法用于检验所制造的光刻掩模；从掩模检验数据中提取物理掩模数据；基于在所述物理掩模数据和掩模布局数据之间的差别确定系统的掩模误差数据；基于所述系统的掩模误差数据生成系统的掩模误差参数；形成具有系统的掩模误差参数的独立的掩模误差模型；采用特定的掩模和/或特定的投影系统预期光刻过程的图案化性能；以及预期工艺修正，所述工艺修正优化图案化性能并由此优化最终器件产量。
采用独立误差模型验证系统方法

[发明专利]采用独立掩模误差模型的掩模验证系统和方法-CN200680041991.1有效
发明人：叶军;斯蒂芬·亨斯克 -专利权人：睿初科技公司
申请日： 2006-09-08 - 公布日： 2008-11-12 - 主分类号： G03F1/00 文献下载
摘要：公开了系统和方法，所述系统和方法用于检验所制造的光刻掩模；从掩模检验数据中提取物理掩模数据；基于在所述物理掩模数据和掩模布局数据之间的差别确定系统的掩模误差数据；基于所述系统的掩模误差数据生成系统的掩模误差参数；形成具有系统的掩模误差参数的独立的掩模误差模型；采用特定的掩模和/或特定的投影系统预期光刻过程的图案化性能；以及预期工艺修正，所述工艺修正优化图案化性能并由此优化最终器件产量。
采用独立误差模型验证系统方法

[发明专利]一种接近接触式曝光装置-CN202111267783.6在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：智慧星空（上海）工程技术有限公司;深圳智达星空科技（集团）有限公司
申请日： 2021-10-29 - 公布日： 2022-01-21 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明属于光刻设备技术领域，具体涉及一种接近接触式曝光装置。用于将掩模图形接近式曝光或接触式曝光至工件上，包括：照明匀光系统，用于产生接近式曝光或接触式曝光所用均匀平行光；工件台，与照明匀光系统相对设置，用于放置工件；掩模版，设置在照明匀光系统与工件台之间，设置有掩模图形；透光膜，针对均匀平行光具有高透光性，设置在工件与掩模版之间，用于隔离工件所涂覆光刻胶与掩模版。本发明通过在掩模版与工件上的光刻胶之间增加一张超薄的透光膜，将掩模版和光刻胶隔离开，然后再采用接触式或接近式曝光方式，解决了现有接近接触式曝光机防污染和曝光高分辨率无法兼得的问题。
一种接近接触曝光装置

[发明专利]偏振膜高分辨力掩模板-CN200310100172.8无效
发明人：余国彬;姚汉民;罗先刚;严佩英;胡松;刘业异 -专利权人：中国科学院光电技术研究所
申请日： 2003-10-15 - 公布日： 2005-04-20 - 主分类号： G03F1/14 文献下载
摘要：偏振膜高分辨力掩模板，属于对投影光学光刻系统中掩模板结构的进一步优化改进，其特征是根据掩模板上的特征图形，在掩模上相应的区域覆盖一层偏振膜，偏振膜将使不透光区域相邻的透光区域上透过偏振方向相互垂直的线偏振成像光束(或旋向相反的圆偏振成像光束、旋向相反且长轴相互垂直的椭圆偏振成像光束)，将产生偏振光的偏振膜和传统掩模板结合为一体结构，使掩模板本身具有输出偏振光的功能，增加掩模图形的基本周期，能降低成像光束的衍射角，减邻近效应，提高光刻分辨力，而投影光刻设备不需作任何改动，用于深亚微米和100纳米级的投影光刻。
偏振分辨力模板

[发明专利]光限定孔板以及其制备方法-CN201180068568.1有效
发明人： H·许 -专利权人：斯坦福设备有限公司
申请日： 2011-12-23 - 公布日： 2013-11-27 - 主分类号： B41J2/16 文献下载
摘要：在一个实施方案中，制造孔板的方法包括：在基底之上沉积可释放的种子层，在可释放的种子层上施用第一图案化的光刻掩模，所述第一图案化的光刻掩模具有所要求的孔图案的负片图案，在可释放的种子层的暴露部分上电镀第一材料并由第一掩模限定，在第一材料之上施用第二光刻掩模，所述第二光刻掩模具有第一空洞的负片图案，在第一材料的暴露部分上电镀第二材料并由第二掩模限定，除去以上两个掩模，并且蚀刻可释放的种子层，以释放第一材料和第二材料。
限定及其制备方法

[发明专利]光刻掩模制造-CN02823847.8无效
发明人： P·－Y·严 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2002-10-02 - 公布日： 2005-08-17 - 主分类号： G03F1/14 文献下载
摘要：一种在光刻成像系统中应用的用于形成半导体晶片的图形的光刻掩模。该光刻掩模包括一个衬底，以及一个在衬底上的吸收体。该吸收体经选择性的刻蚀以形成掩模特征。在一个实施例中，掩模包括一个衬底上的薄层，薄层的厚度和材料产生一个抵消相位误差的相位纠正，因此掩模的共用的工艺窗口被保持在一个阈值水平之上。在另一个实施例中，掩模包括一个多层次反射体，多层次反射体的若干部分在相邻于掩模的特征处被刻蚀。在还有一个实施例中，吸收体的折射率匹配或接近匹配于光刻成像在其中发生的环境的折射率。
光刻制造

[发明专利]光刻掩模版以及掩模版图案成型方法-CN202110300142.X在审
发明人：孟祥鹏;孙延涛;陈庆煌;刘志成 -专利权人：泉芯集成电路制造(济南)有限公司
申请日： 2021-03-22 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： G03F1/76 文献下载
摘要：本申请提供一种光刻掩模版以及掩模版图案成型方法，涉及半导体制程技术领域。本申请提供包括多个间隔排列的掩模条形图的原始掩模图案，并在每个掩模条形图的两侧分别添加至少一个与该掩模条形图间隔设置的散射条纹，使散射条纹的条纹延伸方向与对应掩模条形图的长度延伸方向平行，接着在每个掩模条形图的两个端部位置附近添加与该掩模条形图间隔设置的辅助散射纹路，形成待曝光的目标掩模版图案，使具有目标掩模版图案的光刻掩模版在进行曝光处理时，可通过辅助散射纹路提升由掩模条形图曝光得到的曝光图形的端部边缘平缓度，从而在提升光刻工艺窗口的同时，改善与有效掩模图案对应的曝光图案的边缘内缩状况
光刻模版以及图案成型方法

[发明专利]一种掩模版及光刻机-CN202111652270.7在审
发明人：胡健;徐阳;周世均;王晓龙;郑海昌;陈力钧 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2021-12-30 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： G03F1/38 文献下载
摘要：本发明提供了一种掩模版及光刻机。其中，掩模版包括曝光区域，和环绕在所述曝光区域外的非曝光区域，所述非曝光区域中设置有多个辅助图案，每个所述辅助图案包括多个间隔排列的条纹图形，其中，每个所述条纹图形的线宽小于光刻机的分辨率极限。在利用光刻机对该掩模版进行曝光时，即使存在杂散光会通过掩模版的非曝光区域的现象，然而由于辅助图案中的条纹图形未达到光刻机的分辨率而难以被识别，进而不会将辅助图案映射在晶圆上，从而有效解决光刻机因漏光带来的鬼影问题
一种模版光刻

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