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[发明专利]具有黑色边界区域的光刻掩模及其制造方法-CN201810457279.4有效
发明人：林进祥;陈建诚;李信昌;陈嘉仁;许倍诚;苏益辰;李环陵;沈仓辉 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-05-14 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： G03F1/22 文献下载
摘要：光刻掩模包括衬底、设置在衬底的第一侧上方的反射结构和设置在反射结构上方的图案化的吸收层。光刻掩模包括第一区域和在俯视图中围绕第一区域的第二区域。图案化的吸收层位于第一区域中。通过以下方法形成光刻掩模：在衬底上方形成反射结构，在反射结构上方形成吸收层，限定光刻掩模的第一区域，以及限定光刻掩模的第二区域。第一区域的限定包括图案化吸收层。第二区域限定为在俯视图中围绕第一区域。本发明的实施例还涉及具有黑色边界区域的光刻掩模及其制造方法。
具有黑色边界区域光刻及其制造方法

[发明专利]表面等离子体共振曝光光刻方法-CN200810207793.9无效
发明人：叶志成;郑君 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2008-12-25 - 公布日： 2009-05-27 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种光电技术领域的表面等离子体共振曝光光刻方法，由不同金属材料图形或者同种金属材料不同厚度图形构成不透光掩模版，利用棱镜耦合激发某些图形对应的表面等离子体进行曝光光刻，步骤为：将棱镜、带有金属薄膜掩模版的基板和带有光刻胶的基片从上到下放置入射光被折射到基板和金属薄膜掩模版的交界面，共振耦合成为和金属薄膜掩模版图形对应的表面等离子体光波，这些光波使光刻胶层曝光，显影得到光刻图形，利用此光刻图形做掩模，刻蚀和去胶，最后在基片上得到和金属薄膜掩模版对应的图形
表面等离子体共振曝光光刻方法

[发明专利]掩模版移动装置、光刻机及光刻方法-CN201810145886.7在审
发明人：丁功明 -专利权人：上海微电子装备(集团)股份有限公司
申请日： 2018-02-12 - 公布日： 2019-08-20 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种掩模版移动装置、光刻机及光刻方法。该掩模版移动装置包括：加热模块；所述加热模块包括掩模支架和加热单元；所述掩模支架内设置有掩模版设置区；所述加热单元固定于所述掩模支架上，所述加热单元包括第一加热面，所述第一加热面与所述掩模版设置区对应。本发明提供的掩模版移动装置，可以解决现有技术中，在光刻过程中，因掩模版受热膨胀后会产生弯曲，进而造成受热膨胀后掩模版上的图形偏离最佳的物面位置，致使出现物像距误差的问题，达到了提高掩模版定位的正确率，进而提高半导体集成电路的制作良率的目的
掩模版移动装置加热单元掩模支架加热模块受热膨胀光刻机加热面设置区光刻半导体集成电路光刻过程图形偏离物面位置物像距正确率良率制作

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN03102958.2无效
发明人：山田哲也;上野敦史;辻田好一郎;山口敦美;冈川崇 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2003-01-21 - 公布日： 2003-12-03 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：为了抑制随栅电极的细线化而引起的长度方向的缩短，而对在蚀刻栅电极材料膜4形成栅电极时成为掩模的硬掩模5a作细线化处理。这时，预先形成有源区1上有开口部11的光刻胶掩模10；至少用光刻胶掩模10覆盖硬掩模5a的长度方向上的两端部分，且至少将开口部11处硬掩模5a的有源区1正上方部分整个露出。通过以光刻胶掩模10为掩模的蚀刻使硬掩模5a细线化，硬掩模5a的有源区1上的部分被细线化，但其长度方向上不随之被缩短。结果，用经细线化的硬掩模5a形成的栅电极的长度不被缩短。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]改善金属硅化物掩模层缺陷的方法-CN201310393694.5有效
发明人：顾梅梅;张景春;陈建维;张旭升 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2013-09-02 - 公布日： 2013-12-18 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明涉及改进金属硅化物研磨层技术领域，尤其涉及一种改善金属硅化物掩模层缺陷的方法。本发明公开了一种改善金属硅化物掩模层缺陷的方法，通过在制备金属硅化物掩模层后，于该金属硅化物掩模层上覆盖一层氧化薄膜，以作为其保护层，在后续的光刻工艺中，以隔绝金属硅化物掩模层与光刻胶接触，进而有效避免因金属硅化物掩模层与光刻胶反应形成缺陷
改善金属硅化物掩模层缺陷方法

[发明专利]降低光掩模板条纹的方法及装置-CN201410211411.5有效
发明人：邓振玉;张沛;李跃松 -专利权人：深圳清溢光电股份有限公司
申请日： 2012-12-03 - 公布日： 2017-06-13 - 主分类号： G03F1/72 文献下载
摘要：本发明适用于光掩模生产领域，尤其涉及降低光掩模板条纹的方法及装置，所述方法包括下述步骤设计制作光掩模检测板；根据划分间隔通过光掩模检测板对光掩模板的涂胶或不同区域的光强度进行矩阵测量，测量每个矩阵点，得到每个矩阵点的偏差；将图形按照矩阵点划分间隔进行分割，分割成小单元，按照分割后图形每个顶点所在的坐标测量小单元矩阵中的四个点围成的区域，根据小单元矩阵中的四个点求出此点的偏差，在进行光刻前对图形进行反补。本发明通过对产生光掩模板条纹的原因，对光掩模板进行光刻前光刻采用的图形进行反补，使得光刻后反补的效果抵消了由于误差导致的出现条纹的情况，使得降低光掩模板出现条纹的情况。
降低模板条纹方法装置

[发明专利]三维微纳结构光刻系统及其方法-CN201911115004.3有效
发明人：邵仁锦;浦东林;朱鹏飞;张瑾;朱鸣;陈林森 -专利权人：苏州苏大维格科技集团股份有限公司;苏州大学
申请日： 2019-11-14 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种三维微纳结构光刻系统，包括数字掩模装置、空间光调制器、投影物镜和工作台，其中：数字掩模装置与空间光调制器电性连接，投影物镜设置于空间光调制器与工作台之间，工作台用于固定待光刻的基片；数字掩模装置用以生成数字掩模，数字掩模包括图形曝光区，数字掩模装置将数字掩模上传至空间光调制器，空间光调制器用以显示数字掩模，光经过空间光调制器上的图形曝光区后射向投影物镜，图形曝光区的高度与曝光剂量呈正比；投影物镜将图形光投影在基片上本发明的三维微纳结构光刻系统，结构简单、精度高、成本低、快速高效。本发明还涉及一种三维微纳结构光刻方法。
三维结构光刻系统及其方法

[发明专利]三维微纳结构光刻系统及其方法-CN201911115238.8有效
发明人：邵仁锦;浦东林;朱鹏飞;张瑾;朱鸣;徐顺达;吕帅;陈林森 -专利权人：苏州苏大维格科技集团股份有限公司;苏州大学
申请日： 2019-11-14 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种三维微纳结构光刻系统，包括数字掩模装置、空间光调制器、投影物镜和旋转工作台，数字掩模装置与空间光调制器电性连接，投影物镜设置于空间光调制器与旋转工作台之间，旋转工作台用于固定待光刻的基片；数字掩模装置用以生成数字掩模，数字掩模包括图形曝光区，数字掩模装置将数字掩模上传至空间光调制器，空间光调制器用以显示数字掩模，空间光调制器发出的光经过图形曝光区后射向投影物镜，图形曝光区的高度与曝光剂量呈正比；投影物镜将图形光投影在基片上本发明的三维微纳结构光刻系统，结构简单、精度高、成本低、快速高效。本发明还涉及一种三维微纳结构光刻方法。
三维结构光刻系统及其方法

[发明专利]集成电路结构及其形成方法-CN201611190733.1有效
发明人：魏文信;胡宪斌;侯上勇;陈伟铭 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-12-21 - 公布日： 2019-09-24 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：该方法包括对光刻胶执行第一光照射和第二光照射。使用第一光刻掩模，对光刻胶执行第一光照射，所述第一光刻掩模覆盖所述光刻胶的第一部分。所述光刻胶的第一部分具有在第一光照射中曝光的第一带状部分。使用第二光刻掩模，对所述光刻胶执行第二光照射，所述第二光刻掩模覆盖所述光刻胶的第二部分。所述光刻胶的第二部分具有在所述第二光照射中曝光的第二带状部分。该方法还包括使光刻胶显影，以去除第一带状部分和第二带状部分，蚀刻光刻胶下方的介电层以形成沟槽，以及用导电部件填充沟槽。
集成电路结构及其形成方法

[发明专利]用于光刻应用的光刻胶层上的碳的选择性沉积-CN202180040091.X在审
发明人：拉里·高;南希·冯 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-06-09 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：本文公开的实施方式包括一种用于蚀刻硬掩模层的方法，此方法包括在包含含金属材料的硬掩模层上形成包含有机金属材料的光刻胶层，经由具有选定图案的掩模将此光刻胶层暴露于紫外线辐射，去除此光刻胶层的未照射区域以图案化此光刻胶层，在此图案化光刻胶层的顶表面上选择性地形成包含含碳材料的钝化层，此形成此钝化层包括在图案化光刻胶层的顶表面上选择性地沉积钝化材料，修整此钝化材料的不期望部分，以及蚀刻由具有在上面形成的此钝化层的此图案化光刻胶层暴露的此硬掩模层
用于光刻应用胶层上选择性沉积

[发明专利]一种基于信息论的成像分辨率增强方法-CN202110729150.6有效
发明人：马旭;潘毅华 -专利权人：北京理工大学
申请日： 2021-06-29 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： G03F1/26 文献下载
摘要：本发明提供一种基于信息论的成像分辨率增强方法，首先根据信息理论建立PSM的光刻系统信道模型，然后求解信息理论下的最优掩模概率分布、最优光刻系统参数集合，以及最优工艺参数集合，最后采用信息理论方法建立PSM优化算法的数学模型，提高算法收敛精度；由此可见，本发明实质为用信道模型模拟光刻系统，将光刻成像过程抽象为PSM掩模信息在信道中传输的过程，将PSM图案与其对应的光刻成像视为信道的输入信号与输出信号，将光刻系统参数和光刻工艺参数等视为影响PSM信息传输的信道参数，采用算法对PSM掩模进行优化相当于对输入信号的编码过程，进而能够通过信息论方法提高PSM掩模优化算法的收敛精度。
一种基于信息论成像分辨率增强方法

[发明专利]掩模基版、掩模版及光刻设备-CN202210807754.2在审
发明人：林岳明;季明华;黄早红 -专利权人：上海传芯半导体有限公司
申请日： 2022-07-11 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： G03F1/60 文献下载
摘要：本公开涉及一种掩模基版、掩模版及光刻设备。所述掩模基版包括：基底，设置于所述基底入光侧的光致发光层，以及设置于所述基底出光侧的遮光层；所述光致发光层可使入射的第一曝光光束转变为具有更短波长的第二曝光光束射出。所述掩模版包括：基底，设置于所述基底入光侧的光致发光层，以及设置于所述基底出光侧的遮光层；所述遮光层中形成有掩模图案；所述光致发光层可使入射的第一曝光光束转变为具有更短波长的第二曝光光束射出。所述光刻设备包括：曝光机以及所述掩模版；所述曝光机用于向所述掩模版照射所述第一曝光光束。本公开可以有效提高光刻分辨率，以实现低成本、高效率且大面积的纳米光学光刻，并确保光刻图案的刻蚀精度。
掩模基版模版光刻设备

[发明专利]一种微纳米结构成形方法-CN201410018577.5有效
发明人：张宜文 -专利权人：四川云盾光电科技有限公司
申请日： 2014-01-16 - 公布日： 2015-07-22 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：一种微纳米结构成形方法：(1)在基底表面涂覆光刻胶；(2)将基底的光刻胶面和掩模图形分别放置于微透镜阵列的像面和物面处；(3)在掩模图形上方放置毛玻璃，并利用光源照射毛玻璃产生散射光，作为掩模图形的曝光光源；(4)对掩模图形进行缩小投影曝光，在曝光过程中，移动掩模图形或移动涂覆有光刻胶的基片，或移动微透镜阵列实现对抗蚀剂表面光强的连续调制；(5)更换其它物体，并移动掩模图形、微透镜阵列、涂覆抗蚀剂基片三者之间的相对位置，重复步骤(4)实现不同物体的嵌套光刻；取出基片进行显影，获得需要的连续面形微结构。本发明不需要大型设备制备光刻掩膜，大大降低了工艺的复杂程度。
一种纳米结构成形方法

[发明专利]复合光子筛投影式光刻系统-CN201110234020.1有效
发明人：谢常青;高南;华一磊;朱效立;李海亮;史丽娜;李冬梅;刘明 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2011-08-16 - 公布日： 2011-12-21 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明涉及微纳加工技术领域，公开了一种复合光子筛投影式光刻系统，该系统包括依次放置的照明系统、掩模板、复合光子筛和衬底，其中：照明系统，用于产生入射光，并将该入射光照射至掩模板；掩模板，用于提供复合光子筛成像的物方，入射光透过掩模板后被照射至复合光子筛；复合光子筛，用于实现成像功能，将掩模板上的图形在衬底上成像；衬底，用于接收复合光子筛对掩模板上图形所成的像。利用本发明，由于采用复合光子筛代替传统投影式光刻系统中的投影物镜，不仅能够保留传统投影式光刻系统效率高的优点，实现快速的大批量光刻，提高光刻效率，而且可以有效地降低成本，减小系统体积。
复合光子投影光刻系统

[发明专利]一种基于微透镜阵列的连续面形微结构成形方法-CN200710121242.6有效
发明人：杜春雷;董小春;刘强;邓启凌 -专利权人：中国科学院光电技术研究所
申请日： 2007-08-31 - 公布日： 2008-02-20 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：一种基于微透镜阵列的连续面形微结构成形方法：(1)在基底表面涂覆光刻胶；(2)将基底的光刻胶面和掩模图形分别放置于微透镜阵列的像面和物面处；(3)在掩模图形上方放置毛玻璃，并利用光源照射毛玻璃产生散射光，作为掩模图形的曝光光源；(4)对掩模图形进行缩小投影曝光，在曝光过程中，移动掩模图形或移动涂覆有光刻胶的基片，或移动微透镜阵列实现对抗蚀剂表面光强的连续调制；(5)更换其它物体，并移动掩模图形、微透镜阵列、涂覆抗蚀剂基片三者之间的相对位置，重复步骤(4)实现不同物体的嵌套光刻；(6)取出基片进行显影，获得需要的连续面形微结构。本发明不需要大型设备制备光刻掩膜，大大降低了工艺的复杂程度。
一种基于透镜阵列连续微结构成形方法