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- [发明专利]OPC修正方法-CN202110196848.6在审
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张月雨
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上海华力集成电路制造有限公司
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2021-02-22
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2021-06-18
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G03F1/36
- 本发明公开了一种OPC修正方法，包括：步骤一、建立多个精度不同的OPC模型；步骤二、提供需要做OPC修正的目标版图；步骤三、选择精度最低的OPC模型对目标版图进行多次OPC运算并形成对应的OPC中间层；步骤四、选择精度更高一层的OPC模型对前一层精度的OPC模型形成的OPC中间层进行多次OPC运算并形成对应的OPC中间层；步骤五、重复步骤四直至形成精度次高的OPC模型对应的OPC中间层；步骤六、选择精度最高的OPC模型对精度次高的OPC模型对应的OPC中间层进行多次OPC运算形成最终OPC结果。本发明能在保证修正精度的条件下，降低总OPC运算时间。
- opc修正方法
- [发明专利]OPC热点的修补方法-CN202110865191.8在审
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何大权;陈翰;张辰明
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上海华力微电子有限公司
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2021-07-29
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2021-10-15
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G03F1/36
- 本发明提供了一种OPC热点的修补方法，包括：设定第一验证规格，对初始OPC图形进行第一次修补，修补多次，每次修补后均使用第一验证规格进行局部OPC验证，输出第一OPC修补图形和第一OPC热点标记图形；设定第二验证规格，使用其对第一OPC修补图形进行全版图OPC验证，输出第二OPC热点标记图形；以第二OPC热点标记图形为修补点，对第一OPC修补图形进行第二次修补，修补多次，每次修补后均使用第一验证规格进行局部OPC验证，输出第二OPC修补图形第三OPC热点标记图形；设定第三验证规格，使用其对第二OPC修补图形进行全版图OPC验证，输出最终OPC验证结果。本发明可以筛选出可能是临界点的OPC热点图形，从而减少OPC热点数量。
- opc热点修补方法
- [发明专利]减少修正迭代次数的OPC方法-CN201410428712.3有效
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何大权;顾婷婷;魏芳;朱骏;张旭昇
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上海华力微电子有限公司
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2014-08-27
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2020-10-02
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G03F1/36
- 本发明提供了一种减少修正迭代次数的OPC方法，包括：执行OPC过程，经过原始迭代次数，得到原始OPC修正图形；对原始OPC修正图形进行验证；找出原始OPC修正图形与目标图形的差距为原始OPC修正量，并设定原始OPC修正的临界值；将原始OPC修正图形中原始OPC修正量超过原始OPC修正的临界值的目标图形进行标记；设定新的迭代次数，执行新的OPC迭代过程，并在第一次迭代中，将原始OPC修正量赋值于标记的目标图形；得到并验证新的OPC修正图形；判断新的OPC修正图形的验证结果是否在误差标准内；是，则新的迭代次数为新的OPC的迭代次数；否则，使新的迭代次数再加1，并重新执行新的OPC过程，直至新的OPC的验证结果在误差标准内从而保证了OPC精度和节约了时间。
- 减少修正次数opc方法
- [发明专利]OPC修正方法、装置、电子设备及计算机存储介质-CN202211195415.X在审
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盛明珠
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上海积塔半导体有限公司
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2022-09-28
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2022-11-29
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G03F1/36
- 本申请提供一种OPC修正方法、装置、电子设备及计算机存储介质，应用于半导体集成电路制造技术领域，包括：步骤1：根据获取的版图数据和OPC修正对OPC覆盖层的覆盖原则，确定版图数据的OPC配方，OPC覆盖层覆盖在版图数据上的字符图形上；步骤2：根据OPC配方对版图数据完成OPC修正。通过覆盖原则对版图数据进行判断，然后根据版图数据与覆盖原则的符合情况确定具体的OPC全流程中的OPC配方，针对不同的OPC覆盖层的覆盖情况使用不同的OPC配方对版图数据进行OPC修正，在不影响原有的OPC修正流程的同时，提高OPC修正的效率，并且避免了通过常规OPC修正流程时，由于OPC覆盖层的覆盖不规范，导致的字符图形的边缘产生锯齿状等不规则图形的问题，提高OPC修正的效率。
- opc修正方法装置电子设备计算机存储介质
- [发明专利]针对SRAM图形OPC一致性检测的方法-CN202110278678.6在审
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苏耀;陈翰;顾婷婷;魏芳
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上海华力微电子有限公司
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2021-03-15
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2021-06-29
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G06F30/398
- 本发明提供了一种针对SRAM图形OPC一致性检测的方法，包括：提供SRAM图形，图形具有拐角；获取OPC基准单元；对SRAM图形进行匹配，挑选出SRAM图形上OPC差异片段数量大于或等于3的边，从该边上选出靠近拐角处的OPC差异片段作为拐角OPC差异片段；若拐角OPC差异片段的OPC基准单元与SRAM图形的绝对差值大于第一设定值，则对相邻OPC差异片段的OPC基准单元添加与第一设定值相反并且是二分之一第一设定值的公差，否则，对该OPC差异片段的OPC基准单元添加与OPC基准单元与SRAM图形的绝对差值相同的公差，对相邻OPC差异片段的OPC基准单元添加与OPC基准单元与SRAM图形的绝对差值相反的值的公差；以调整后的OPC基准单元对SRAM图形进行OPC处理。最终提高SRAM图形中重复单元的OPC结果的一致性。
- 针对sram图形opc一致性检测方法
- [发明专利]一种构建芯片OPC模型的方法-CN201510307062.1在审
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孙刚;曹清晨
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武汉新芯集成电路制造有限公司
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2015-06-05
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2015-11-25
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G06F17/50
- 本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种构建芯片OPC模型的方法，通过人工定义规则芯片的版图划分为若干类OPC单元，再从每类OPC单元中均选一个基本单元进行OPC处理，以获取该基本单元的OPC结果，然后将OPC结果替换该OPC结果所对应的一类OPC单元中的所有基本单元，最终实现构建一个全芯片的OPC模型。该技术方案可以跳过因OPC工具做不正确的基本单元分割所带来的算法上的困难或由此而来的错误，并且将人工定义规则引入至OPC处理中，可以通过自我控制进行OPC处理，以实现对OPC处理结果的最佳控制，减少了CPU资源和运行时间，大大极大提高了OPC运行速度。
- 一种构建芯片opc模型方法
- [发明专利]OPC修正方法-CN202211390279.X在审
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柯顺魁
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上海华力微电子有限公司
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2022-11-08
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2023-01-20
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G03F1/36
- 本发明公开了一种OPC修正方法，包括：步骤一、在最佳光刻工艺条件下进行OPC建模数据收集建立基准OPC模型。步骤二、在偏离最佳光刻工艺条件下进行OPC建模数据收集建立验证OPC模型。步骤三、采用基准OPC模型对原始版图进行OPC修正得到OPC修正后的版图。采用验证OPC模型对OPC修正后的版图进行图形仿真得到验证仿真图形；判断验证仿真图形是否超出规格，如果超出规格，则重复步骤二进行OPC建模数据补充测量；如果没有超出规格，则验证OPC模型有效。本发明OPC模型能包含光刻工艺的制程参数的变化信息，当光刻工艺的制程参数在最佳光刻工艺附近变化时，依然能保证OPC修正的准确性。
- opc修正方法
- [发明专利]掩膜版制作方法及系统-CN201010560253.6有效
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王谨恒;黄旭鑫
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无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司
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2010-11-25
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2012-05-30
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G03F1/36
- 本发明实施例公开了一种掩膜版制作方法及系统，该方法包括：a)确定光刻工艺条件；b)收集设计图形的OPC数据；c)从OPC数据中筛选出设计间距小于临界值的OPC图形数据；d)根据筛选出的OPC图形数据创建OPC模型，建立OPC程序；e)根据OPC程序，对筛选出的OPC数据进行OPC运算；f)验证OPC运算后的图形数据的CD与目标CD的差值是否在误差允许范围内，如果否，返回步骤a)、b)、c)或d)，如果是，根据设计图形以及OPC运算后的图形数据制作掩膜版。本发明只对筛选出的设计间距小于临界值的图形数据进行OPC处理，减少了OPC处理的数据量，缩短了OPC运算的时间，进而缩短了掩膜版的制作周期。
- 掩膜版制作方法系统
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