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[发明专利]在半导体衬底的前表面上制造电子部件的组件的方法-CN202180070722.2在审
发明人： M·诺恩盖拉德;T·欧埃克斯 -专利权人：埃克斯甘公司
申请日： 2021-10-18 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明涉及在包括多个场区域的半导体衬底的前表面上制造电子部件的组件的方法，每个场区域包括至少一个场，并且每个场包括至少一个电子部件，该方法包括多个光刻步骤来形成层的堆叠，层的堆叠形成每个电子部件，每个光刻步骤限定掩模层级，并且包括在光刻设备中的每个场上依次施加掩模，所述掩模在每个场上的定位相对于参考掩模层级来执行，其中掩模中的一个掩模被指定为标识掩模。制造方法的值得注意之处在于：‑在限定与标识掩模相关联的掩模层级的光刻步骤中，所述掩模相对于参考掩模层级以预定偏移定位，偏移针对每个场区域而不同，‑场区域的电子部件具有标识元件，标识元件表现为在参考掩模层级处限定的图案和在标识掩模层级处限定的图案之间的预定偏移
半导体衬底表面上制造电子部件组件方法

[发明专利]制造具有增强的缺陷可修复性的集成电路的方法-CN201410258190.7有效
发明人：卢彦丞;游信胜;陈政宏;严涛南 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2014-06-11 - 公布日： 2018-03-09 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明提供了用于超紫外线光刻(EUVL)工艺的方法的一个实施例，该方法包括将掩模装载到光刻系统。该掩模包括缺陷修复区，且该掩模限定了位于其上的集成电路(IC)图案。该方法也包括根据IC图案在照明模式中设置光刻系统的照明器，根据照明模式在光刻系统中配置光瞳滤波器，以及在照明模式中通过光刻系统对具有掩模和光瞳滤波器的目标实施光刻曝光工艺。
制造具有增强缺陷修复集成电路方法

[发明专利]一种近场光刻浸没系统及其浸没单元和接口模组-CN202110434777.9有效
发明人：罗先刚;赵泽宇;赵承伟;蒲明博;罗云飞 -专利权人：中国科学院光电技术研究所
申请日： 2021-04-22 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种近场光刻浸没系统及其浸没单元和接口模组，包括设备基板；掩模装载模块，安装在设备基板上并用于安装掩模板；近场光刻浸没单元，通过接口模组安装在设备基板上；供给回收系统，用于通过接口模组向近场光刻浸没单元提供气体、液体并回收液体；控制系统，与供给回收系统和近场光刻浸没单元电连接以控制供液、供气、回收和制动。近场光刻浸没系统为近场光刻掩模板和基片之间形成稳定浸没场，以及如何在增设浸没场的情况下更加方便的自动上下掩模提供了解决方案。
一种近场光刻浸没系统及其单元接口模组

[发明专利]在半导体晶片的前表面上制造电子元件组件的方法-CN202180070643.1在审
发明人： M·诺恩盖拉德;T·欧埃克斯 -专利权人：埃克斯甘公司
申请日： 2021-10-18 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：该方法包括多个光刻步骤，以形成构成每个电子元件(3)的层的堆叠，并且每个光刻步骤包括在光刻设备中对每个场(2)连续施加掩模。掩模之一还包括标识图案，该掩模被称为标识掩模。在与标识掩模相关联的光刻步骤中，光刻设备的至少一个光刻参数对于每个场区域(4)是不同的，以便在每个场区域(4)中不同地曝光标识图案。
半导体晶片表面上制造电子元件组件方法

[发明专利]光瞳相位调制器、极紫外线光刻系统及方法-CN201711038936.3有效
发明人：卢彦丞;游信胜;陈政宏;严涛南 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-10-30 - 公布日： 2020-07-10 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：光刻系统包括配置为生成极紫外线(EUV)光的辐射源。光刻系统包括限定集成电路(IC)的一个或多个部件的掩模。光刻系统包括配置为将EUV光引导到掩模上的照射器。掩模将EUV光衍射成0级光和多个更高级光。光刻系统包括配置为固定的晶圆的晶圆台，其中，根据由掩模限定的一个或多个部件来图案化该晶圆。光刻系统包括位于定位在掩模和晶圆台之间的光瞳面中的光瞳相位调制器。光瞳相位调制器配置为改变0级光线的相位。本发明还提供了印刷低图案密度部件的改进极紫外线光刻系统、器件及方法。
相位调制器紫外线光刻系统方法

[发明专利]一种PAD加厚层双层正胶光刻方法-CN202210716724.0在审
发明人：王浩旭 -专利权人：王浩旭
申请日： 2022-06-23 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明公开了一种PAD加厚层双层正胶光刻方法，包括以下步骤，固定基板；在基板的上表面均匀涂抹第一层正性光刻胶；在第一层正胶光刻胶的上方设置透明石英掩模，并对透明石英掩模进行曝光，对第一层正胶光刻胶进行光刻，光刻完成后，取下透明石英掩模；在第一层正胶光刻胶的顶部均匀涂抹第二层正性光刻胶；在第二层正胶光刻胶的上方设置使用图形石英掩模，并进行曝光，曝光完成后，取下图形石英掩模，得到双层正胶的基板，对基板进行显影，此时PAD图形已转移到基板上；再对基板进行金属镀膜，本方法，工艺稳定，可以代替负胶功能，弥补负胶厚度不足因素，剥离后加厚层侧壁毛边少，去胶溶剂易进入光刻胶的底部，更利于光刻胶剥离。
一种 pad 加厚双层光刻方法

[发明专利]一种新型的掩模等离子体刻蚀方法-CN201610526312.5在审
发明人：尤春;周家万;张鹏;王兴平;刘维维;沙云峰;王凤鸣 -专利权人：无锡中微掩模电子有限公司
申请日： 2016-07-05 - 公布日： 2017-02-22 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型的掩模等离子体刻蚀方法，其包括以下步骤：S1、利用光刻胶掩模板对涂布在镀有铬金属膜的基板上的光刻胶层进行图案化处理，以在所述光刻胶层上得到光刻胶掩模图形；S2、以经过步骤S1图案化处理后的光刻胶层作为保护层，进行第一次干法刻蚀，去除金属铬膜；S3、使用去离子水进行清洗，去除掩模表面可能存在的残留颗粒；S4、使用SC‑1清洗液进行掩模清洗，确保残留颗粒去除彻底；S5、以图案化的光刻胶层作为保护层进行第二次干法刻蚀本发明有效地避免了二元掩模制造过程中在干法刻蚀过程中因为残料颗粒掉落造成的掩模缺陷。
一种新型等离子体刻蚀方法

[发明专利]掩模板及其制造方法-CN200810118177.6有效
发明人：朴云峰;朴春培;秦纬;王威 -专利权人：北京京东方光电科技有限公司
申请日： 2008-08-13 - 公布日： 2010-02-17 - 主分类号： G03F1/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种掩模板及其制造方法。掩模板包括基板，所述基板上形成有完全透光区域、非透光区域和半透光区域，所述半透光区域内设置有使所述半透光区域均匀透光的半透膜。本发明的技术方案中在掩模板的半透光区域采用厚度不均匀的半透膜，利用该掩模板进行沟道区域掩模曝光时，可以使沟道区域处的光刻胶曝光均匀，解决了现有技术灰色调掩模技术中曝光的光刻胶高低不平的问题，使沟道区域处曝光的光刻胶相对平坦，提高了曝光的光刻胶的平整度，从而降低了沟道桥或沟道开路的发生率；本发明还解决了现有技术半色调掩模技术中沟道处曝光的光刻胶倾角过小的问题，增大了曝光的光刻胶的倾角，提高了TFT沟道的充电特性。
模板及其制造方法

[发明专利]一种光栅刻蚀方法-CN201710239753.1在审
发明人：焦庆斌;谭鑫;巴音贺希格;齐向东;高胜英 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2017-04-13 - 公布日： 2018-11-02 - 主分类号： G02B5/18 文献下载
摘要：本发明提供的光栅刻蚀方法，在单晶硅基底上生长抗蚀层后涂覆光刻胶并前烘；利用紫外曝光显影在单晶硅基底表面进行扇形光刻胶掩模图形的制备；利用抗蚀层腐蚀剂以及单晶硅刻蚀液将扇形光刻胶掩模图形转移至单晶硅基底上，利用扇形掩模图形内不同矩形条对应刻蚀现象不同确定单晶硅基底的晶向；确定单晶硅基底的晶向后，利用紫外曝光显影进行正式光栅光刻胶掩模图形的制作；利用抗蚀层腐蚀剂将正式光栅光刻胶掩模图形转移至抗蚀层上得到抗蚀层掩模图形并对抗蚀层掩模图形进行光刻胶去除；利用单晶硅刻蚀液将抗蚀层掩模图形转移至单晶硅基底上，对单晶硅基底进行清洁处理，有效提高光栅纵横刻蚀速率比，对制作出高深宽比的光栅具有直接的重要价值。
单晶硅光栅抗蚀层基底掩模图形刻蚀光刻胶掩模图形刻胶掩模紫外曝光腐蚀剂刻蚀液扇形光晶向显影光刻胶去除刻蚀速率比高深宽比基底表面清洁处理图形转移光刻胶矩形条前烘涂覆制备对抗生长制作

[发明专利]光刻衬底标记工具及形成衬底识别标记的方法-CN201610741879.4有效
发明人：林胡伟;许志贤;邱昱玮;陈海茵;王英豪;吴育恒 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-08-26 - 公布日： 2019-09-24 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：在一些实施例中，本发明涉及光刻衬底标记工具。光刻衬底标记工具具有第一光刻曝光工具，该第一光刻曝光工具布置在共用的壳体内并且配置为在多次曝光期间生成第一类型的电磁辐射。可移动的中间掩模具有多个不同的中间掩模域，该多个不同的中间掩模域分别配置为阻挡第一类型的电磁辐射的一部分，以将衬底识别标记暴露在半导体衬底上面的感光材料内。横向元件配置为移动该可移动的中间掩模，从而使得多个中间掩模域中的各中间掩模域在多次曝光中的各曝光期间暴露至感光材料上。因此，可移动的中间掩模允许使用相同的中间掩模将衬底识别标记的不同字符串形成在感光材料内，由此提供光刻衬底标记的经济效益。本发明的实施例还涉及光刻晶圆标记工具以及形成衬底识别标记的方法。
光刻衬底标记工具形成识别方法

[发明专利]光刻掩模基板,光刻掩模,曝光掩模,光刻掩模基板制造方法,以及半导体装置制造方法-CN201010180900.0有效
发明人：田边胜;川口厚;赤川裕之;河原明宏 -专利权人： HOYA株式会社
申请日： 2005-09-29 - 公布日： 2010-08-25 - 主分类号： G03F1/14 文献下载
摘要：一种被曝光系统的掩模台吸附的光刻掩模基板，在光刻掩模基板的主表面上除了从外部外围端部表面向内2mm的区域，平面测量区域的平整度为0.6μm或者更小，光刻掩模基板主表面的一边被掩模台吸附，以及平面测量区域的四个角部分中的至少三个具有朝向外部外围边缘上升的形状
光刻掩模基板曝光制造方法以及半导体装置

[发明专利]光刻掩模基板,光刻掩模,曝光掩模,光刻掩模基板制造方法,以及半导体装置制造方法-CN200510107561.2有效
发明人：田边胜;川口厚;赤川裕之;河原明宏 -专利权人： HOYA株式会社
申请日： 2005-09-29 - 公布日： 2006-04-05 - 主分类号： G03F1/14 文献下载
摘要：一种被曝光系统的掩模台吸附的光刻掩模基板，在光刻掩模基板的主表面上除了从外部外围端部表面向内2mm的区域，平面测量区域的平整度为0.6μm或者更小，光刻掩模基板主表面的一边被掩模台吸附，以及平面测量区域的四个角部分中的至少三个具有朝向外部外围边缘上升的形状
光刻掩模基板曝光制造方法以及半导体装置

[发明专利]基于UV-LED光刻光源的步进式曝光方法-CN202010637120.8在审
发明人：朱煜;杨开明 -专利权人：北京华卓精科科技股份有限公司
申请日： 2020-07-03 - 公布日： 2020-10-20 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于UV‑LED光刻光源的步进式曝光方法，包括：利用UV‑LED光源作为光刻光源，以形成光强均匀分布的曝光场；通过掩模对准系统将掩模标记与晶圆标记对准；通过微透镜阵列对所述UV‑LED光源的出光光束进行准直，并在掩模表面形成正方形曝光光斑；通过步进式曝光将掩模图案传递到涂有光刻胶的晶圆上。本发明可实现无限大曝光区域，可以实现亚微米级掩模对准精度，为实现高精度光刻奠定基础。
基于 uv led 光刻光源步进曝光方法

[发明专利]用于形成具有笔直轮廓的通孔的多重图案化-CN201611091047.9有效
发明人：陈濬凯;许仲豪;周家政;柯忠祁;李资良;陈志壕;潘兴强 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-12-01 - 公布日： 2020-07-10 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种方法包括在第一硬掩模层上方形成含碳层，含碳层具有大于约25％的碳原子百分比；在含碳层上方形成覆盖层；在覆盖层上方形成第一光刻胶；和将第一光刻胶用作第一蚀刻掩模，蚀刻覆盖层和含碳层。然后，去除第一光刻胶。在覆盖层上方形成第二光刻胶。将第二光刻胶用作第二蚀刻掩模，蚀刻覆盖层和含碳层。去除第二光刻胶。将含碳层用作蚀刻掩模，蚀刻位于含碳层下方的第三光刻胶。将第三光刻胶用作蚀刻掩模蚀刻位于第三光刻胶下面的介电层以形成通孔开口。用导电材料填充通孔开口。本发明实施例涉及用于形成具有笔直轮廓的通孔的多重图案化。
用于形成具有笔直轮廓多重图案

[发明专利]光刻胶曝光装置-CN201310586140.7有效
发明人：闫晓剑;田朝勇 -专利权人：四川虹视显示技术有限公司
申请日： 2013-11-19 - 公布日： 2014-02-12 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种光刻胶曝光装置，包括掩模板、反射金属薄膜和光束发生装置，掩模板的透光部分为光栅，曝光时，掩模板位于涂敷有光刻胶的基板的正上方，反射金属薄膜置于基板上与光栅对应的位置处，光束发生装置产生的曝光光束透过掩模板上的光栅均匀的直射到基板上的光刻胶上，实现光刻胶的曝光，同时，反射金属薄膜的边缘对照射到其上的曝光光束产生散射。采用本发明的光刻胶曝光装置进行光刻胶曝光时，正性光刻胶可以产生边缘与基板表面成锐角的光刻胶图案，负性光刻胶可以产生边缘与基板表面成钝角的光刻胶图案，配合传统的光刻胶曝光方法，可以通过一种光刻胶实现不同光刻胶图案的要求，简化光刻胶曝光工艺，减低成本。
光刻曝光装置