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[发明专利]图案化材料和图案化薄膜-CN202010761964.3在审
发明人：张宇;曾志雄;周慧慧 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2020-07-31 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： G03F7/075 文献下载
摘要：本申请提供一种图案化材料，包括聚硅氧烷，所述聚硅氧烷包括至少一个由Si‑O键重复构成的环状结构和连接在所述环状结构中的Si原子上的有机基团；其中，至少一个所述环状结构中的部分Si原子被金属元素取代，和/本申请图案化材料在1nm～15nm X射线照射下，具有高敏感性、高图案分辨率，可实现高质量、高效率图案化工艺。将本申请图案化材料用于芯片等电子元器件的制备，可提高电子元器件精度和制备效率。本申请还提供了采用该图案化材料形成的图案化薄膜。
图案材料薄膜

[发明专利]图案化方法以及图案化结构-CN201810243170.0有效
发明人：张峰溢;李甫哲 -专利权人：联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司
申请日： 2018-03-23 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明公开一种图案化方法以及图案化结构，其中该图案化方法包括下列步骤。在材料层上形成掩模层。以第一光刻制作工艺于掩模层中形成第一开孔。在第一开孔中形成第一掩模图案。在形成第一间隙壁之后，在第二开孔中形成第二掩模图案。第一间隙壁于第二开孔中围绕第二掩模图案。移除掩模层以及第一间隙壁。以蚀刻制作工艺将第一掩模图案以及第二掩模图案的图形转移至材料层。
图案方法以及结构

[发明专利]图案化材料、图案化组合物和图案形成方法-CN202110402526.2在审
发明人：张磊;仪晓凤;王迪;张宇 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2021-04-14 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：本申请涉及一种图案化材料、图案化组合物和图案形成方法。本申请的图案化材料具有金属氧团簇骨架、辐射敏感性有机配体和第二配体，所述辐射敏感性有机配体经由配位原子而与金属M配位，所述配位原子为选自氧原子、硫原子、硒原子、氮原子、磷原子中的至少一种，并且所述辐射敏感性有机配体为单齿配体或者为两齿以上的配体
图案材料组合形成方法

[发明专利]图案化的方法与图案化的装置-CN201410717197.0在审
发明人：杨大弘 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2014-12-01 - 公布日： 2015-11-25 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种图案化的方法与图案化的装置，该图案化的方法包括：在材料层上形成图案化的掩模层，图案化的掩模层具有第一开口裸露出部分材料层；进行前处理工艺以对第一开口裸露的材料层改质，而形成改质区；进行刻蚀工艺以移除改质区的材料层
图案方法装置

[发明专利]图案化方法-CN201710628501.8在审
发明人：张峰溢;李甫哲;陈界得 -专利权人：联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司
申请日： 2017-07-28 - 公布日： 2019-02-05 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本发明公开一种图案化方法，包含在硬掩模层上形成第一间隙壁图案和第一周围图案，形成平坦化层覆盖第一间隙壁图案和第一周围图案，在平坦化层上形成第二间隙壁图案和第二周围图案，其中第二间隙壁图案和第一间隙壁图案部分重叠，第二周围图案和第一周围图案完全不重叠。移除未重叠于第二间隙壁图案的第一间隙壁图案，形成一阵列图案，然后同时以该阵列图案、该第二周围图案和该第一周围图案为掩模对硬掩模层进行蚀刻，形成一图案化硬掩模层。
图案间隙壁平坦化层硬掩模层图案化图案化硬掩模层蚀刻阵列图案不重叠掩模移除覆盖

[发明专利]图案化方法-CN201811183258.4在审
发明人：曾晋沅;沈育佃;林纬良;赖志明;江国诚;朱熙甯;林立德;刘如淦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-10-11 - 公布日： 2019-06-07 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：提供了一种图案化方法。在图案化基板以形成预定图案时，减少角落圆润化的方法包括：将预定图案分为第一图案与第二图案，第一图案形成角落的第一边缘，而第二角落形成角落的第二边缘。第二图案的至少一部分与第一图案重叠，因此第一边缘与第二边缘相交以形成预定图案的角落。方法亦包括形成第一图案于基板上的第一掩模层中以露出基板，并形成第二图案于第一掩模层中以露出基板。接着蚀刻第一掩模层所露出的基板以获得图案。
图案基板预定图案掩模层图案化蚀刻图案化基板图案形成图案重叠相交

[发明专利]图案化基底-CN201880065712.8在审
发明人：拉里·勒罗伊·克歇尔;吉尔·玛琳·奥尔;蒂莫西·伊恩·马兰;凯琳·安妮·奥罗拉 -专利权人：宝洁公司
申请日： 2018-10-22 - 公布日： 2020-05-22 - 主分类号： A61F15/00 文献下载
摘要：图案化基底具有：第一基底区域，所述第一基底区域被递增机械拉伸为具有皱褶；以及第二基底区域，所述第二基底区域具有完全被所述第一基底区域围绕的多个离散未拉伸部分。
图案基底

[发明专利]图案化方法-CN202010014002.1在审
发明人：巴山刚;岩城友博;大岛弘充 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2020-01-07 - 公布日： 2020-09-22 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本申请案涉及图案化方法。一些实施例包含一种将目标材料图案化的方法。提供具有位于所述目标材料上方的掩蔽材料的组合件。在所述组合件上方形成第一线。所述第一线沿着第一方向延伸且通过第一空间彼此横向地间隔开。图案包含所述第一交叉区及所述第二交叉区。将所述图案转移到所述掩蔽材料中，以在所述掩蔽材料中位于所述第一交叉区及所述第二交叉区正下方的位置中形成孔。将所述孔延伸到所述目标材料中。
图案方法

[发明专利]图案化方法-CN202110435562.9在审
发明人： F·拉扎里诺;V·M·布兰克 -专利权人： IMEC非营利协会
申请日： 2021-04-22 - 公布日： 2021-10-26 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本公开涉及提供底层的图案化以在底层中形成第一组沟槽和第二组沟槽的方法。该方法基于辅以间隔物辅助(SA)技术的两个光刻‑蚀刻(LE)图案化工艺的组合。相应地，本发明方法可被称为“SALELE图案化工艺”。
图案方法

[发明专利]图案化方法-CN202110435987.X在审
发明人： V·M·布兰克;F·拉扎里诺 -专利权人： IMEC非营利协会
申请日： 2021-04-22 - 公布日： 2021-10-26 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本公开涉及提供底层的图案化以在底层中形成第一组沟槽和第二组沟槽的方法。该方法基于辅以间隔物辅助(SA)技术的两个光刻‑蚀刻(LE)图案化工艺的组合。相应地，本发明方法可被称为“SALELE”图案化工艺。
图案方法

[发明专利]图案化基板-CN202080066595.4在审
发明人：约迪·格热希科维亚克;安东尼·舍皮斯;安东·J·德维利耶 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2020-09-25 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：一种用于图案化基板的方法，在该方法中,可以在基板上形成图案化的光致抗蚀剂结构，图案化的光致抗蚀剂结构具有侧壁。可以在侧壁上沉积间隔物材料的共形层。然后,可从基板去除图案化的光致抗蚀剂结构，留下间隔物材料。然后，可以使用侧壁间隔物作为蚀刻掩模来定向地蚀刻基板以形成具有目标临界尺寸的基板。
图案化基板

[发明专利]图案化方法-CN202111229032.5在审
发明人： V·M·布兰卡;F·拉扎瑞诺 -专利权人： IMEC 非营利协会
申请日： 2021-10-21 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：根据一个方面，提供了一种图案化方法，其包含：在下部图案记忆层上，形成第一上部阻挡的图案，然后形成上部图案记忆层，然后形成第二上部阻挡的图案；随后，使用光刻和蚀刻在上部图案记忆层中图案化上沟槽，并沿上沟槽的侧壁形成间隔线，以限定提供间隔的上沟槽，至少一个子集被相应的第一上部阻挡中断；通过将提供间隔的上沟槽蚀刻到下部图案记忆层中，在下部图案记忆层中形成第一下沟槽，第一下沟槽的至少一个子集被保留在由第一上部阻挡中的相应阻挡限定的位置处的下部图案记忆层部分中断；随后，形成辅助沟槽掩模堆叠体并使用光刻和蚀刻使其中的辅助沟槽图案化；和此后，对下部图案记忆层中的第二下沟槽进行图案化，图案化包括：使用图案化的辅助沟槽掩模堆叠体、间隔线和第二上部阻挡作为蚀刻掩模，第二下沟槽的至少一个子集被保留在由所述第二上部阻挡中的相应阻挡所限定的位置处的下部图案记忆层部分中断
图案方法

[发明专利]图案化方法-CN200910005762.X有效
发明人：施仁杰;叶孝蔚 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2009-02-06 - 公布日： 2009-10-14 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明提供一种图案化方法，包括于基底上形成光致抗蚀剂图案，光致抗蚀剂图案于基底上包括至少一预期开口与至少一留白开口于其中，于光致抗蚀剂图案与基底上形成图案化感光材料层，其中图案化感光材料层覆盖光致抗蚀剂图案的留白开口，以及对光致抗蚀剂图案的预期开口进行化学微缩辅助光刻解析度强化工艺。
图案方法

[发明专利]图案化方法-CN201710594271.8有效
发明人：施信益 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2017-07-20 - 公布日： 2020-10-09 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：本发明公开了一种图案化方法，其包含以下步骤。在基板上依序形成底层、硬罩幕层、缓冲罩幕层和罩幕层。图案化罩幕层与缓冲罩幕层，以形成第一柱状体。在第一柱状体中移除部分缓冲罩幕层。以第一柱状体的罩幕层为罩幕，图案化牺牲介电材料，以形成第二柱状体。在第二柱状体上沉积保形的间隔层，并使间隔层在相邻的第二柱状体之间形成间隔柱状体。间隔柱状体与第二柱状体之间存在第二间隙。本发明的图案化方法可在使用现有机台与微影工艺下缩减图案化的大小及图案间的间距，使工艺裕度的控制较佳。
图案方法

[发明专利]图案化方法-CN201710537322.3有效
发明人：张峰溢;李甫哲;郭明峰;蔡建成 -专利权人：联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司
申请日： 2017-07-04 - 公布日： 2020-08-11 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：本发明公开一种图案化方法，其利用存储阵列区内及周边区内具有不同的图案密度，所产生的蚀刻负载效应，而能够在各向异性蚀刻存储阵列区内的第一硬掩模层时，周边区内的第一硬掩模层不需覆盖住。
图案方法

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