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- [发明专利]掩模图形转移组件及曝光设备-CN202311111049.X在审
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陈晨;牛志元;张瑾轩
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光科芯图（北京）科技有限公司
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2023-08-31
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2023-09-29
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G03F1/76
- 本发明涉及光刻技术领域，具体涉及一种掩模图形转移组件及曝光设备。掩模图形转移组件包括光波发射结构、载台和掩模，光波发射结构适于发射球面光波，载台具有适于承载基片的承载平面，以使基片与球面光波的球心对应设置；掩模与载台间隔设置且位于载台靠近光波发射结构的一侧；掩模为曲面结构且曲面结构具有透光部，至少部分掩模的曲率与到达掩模的球面光波的曲率相等，至少部分球面光波沿掩模的径向穿过透光部到达设置于承载平面的基片上，以将掩模上的掩模图形转移到基片上。本发明中，曲面掩模可以极大减小甚至消除球面光波到达掩模所形成的像差，能够将掩模上的图形真实准确地转移到需要形成图形的基片上，有助于提高成像质量。
- 图形转移组件曝光设备
- [发明专利]无抗蚀剂图案化掩模-CN202010254819.6有效
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M·克里斯塔;S·阿米尼
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IMEC 非营利协会;鲁汶天主教大学
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2020-04-02
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2023-09-08
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G03F1/76
- 本发明涉及无抗蚀剂图案化掩模以及一种在待图案化层(100)上形成图案化掩模的方法，所述方法包括以下步骤：(a)在待图案化层(100)上提供碳基层(200)；(b)用含卤素基团(400)使碳基层(200)的顶表面(300)官能化；(c)通过以图案化方式使顶表面(300)暴露于能源来部分去除含卤素基团(400)，从而形成包括第一区域(510)和第二区域(520)的图案，所述第一区域具有使表面官能化的含卤素基团(400)，所述第二区域(520)没有使表面官能化的含卤素基团(400)；以及(d)相对于第一区域(510)，在第二区域(520)上选择性形成金属、金属氧化物或金属氮化物(600)。
- 无抗蚀剂图案化掩模
- [发明专利]用于设置相对激光强度的设备和方法-CN202180070282.0在审
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F·伊伦
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迈康尼股份公司
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2021-10-18
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2023-06-30
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G03F1/76
- 为表示光刻曝光的多个像素设置相应相对激光强度的一种设备、计算机程序、计算机可读介质和方法。该多个像素包括：至少一个边缘像素，位于待曝光的像素区域的边缘处；以及至少一个相邻像素，排列为在朝向该待曝光的像素区域的与边缘垂直的方向上与该至少一个边缘像素相距一个像素。该方法包括将多个像素的每个像素的相对激光强度从先前设置的相应第一相对激光强度成比例地降低到相应第二相对激光强度。将像素的相对激光强度的激光剂量转换从先前设置的第一激光剂量转换成比例地调整到第二激光剂量转换，使得每个像素的相应有效曝光激光剂量通过该相应第二相对激光强度的第二激光剂量转换来实现，该每个像素的相应有效曝光激光剂量等于由该相应第一相对激光强度的第一激光剂量转换产生的每个像素的相应有效曝光激光剂量。将该至少一个边缘像素的边缘像素或该至少一个相邻像素的相邻像素的相应相对激光强度从相应第二相对激光强度增加到相应第三相对激光强度。
- 用于设置相对激光强度设备方法
- [发明专利]光掩膜版及其制作方法-CN202310025669.5在审
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祁耀亮
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睿晶半导体（宁波）有限公司
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2023-01-09
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2023-06-06
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G03F1/76
- 一种光掩膜版及其制作方法，其中所述制作方法包括：提供透明基板，所述透明基板包括第一表面和与第一表面相对的第二表面；在所述透明基板的第一表面上形成多个分立的遮蔽图形；在所述相邻遮蔽图形的之间的透明基板的第二表面上形成线状的微透镜，所述线状的微透镜用于将从所述第二表面入射的曝光光线更多的汇聚到相邻遮蔽图形的之间的透明基板的第一表面。在采用本申请的光掩模版进行曝光时，通过所述线状的微透镜可以将从所述第二表面入射的曝光光线更多的汇聚到相邻遮蔽图形的之间的透明基板的第一表面(或者汇聚到遮蔽图形之间的透光区域内)，因而提高了透光区域的感光度，从而提高了光刻时的分辨率。
- 光掩膜版及其制作方法
- [发明专利]一种掩模图形优化方法及掩模板-CN202211559561.6在审
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陈运;丁明
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深圳晶源信息技术有限公司
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2022-12-06
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2023-03-07
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G03F1/76
- 本发明涉及光刻技术领域，特别涉及一种掩模图形优化方法及掩模板。所述方法提供初始掩模版图，将初始掩模版图划分为预设等级的分块，相邻分块间界定原始边界线，原始边界线扩展形成扩展边界线；将分块内掩模图形进行打断获得线段；在线段上放置初始评价点，模拟掩模图形形成实际掩模图像和理想掩模图像，并将初始评价点在实际掩模图像和理想掩模图像的轮廓上的投影进行关联以获得评价点的边缘放置误差；基于评价点的边缘放置误差和预设评价函数对分块扩展边界线内的掩模图形进行优化并输出分块原始边界线内的优化结果；按照预设次序优化所有分块并拼接分块原始边界线内的优化结果获得优化掩模版图。解决掩模版图内分块边界优化具有差异性的问题。
- 一种图形优化方法模板
- [发明专利]一种光罩及光罩固定装置-CN202110789539.X在审
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周冠廷
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长鑫存储技术有限公司
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2021-07-13
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2023-01-17
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G03F1/76
- 本发明涉及光掩模板材设计领域，公开一种光罩及光罩固定装置，光罩包括：光罩本体，光罩本体包括平行设置的第一侧面和第二侧面以及连接第一侧面和第二侧面的图案面；第一侧面和第二侧面均设有多个固定孔，用于与固定部配合以固定光罩本体。上述光罩中，位于图案面的两个平行的侧面作为光罩的固定面，即第一侧面和第二侧面，第一侧面和第二侧面分别设置固定孔与用于固定该光罩的固定部配合，加强光罩的固定性。相比现有技术，不需要在光罩的图案面增设真空吸盘，不占用光罩图案面的空间，使得光罩会有多余空间来利用，如增加对准次数或节省时间等。
- 一种固定装置
- [发明专利]曝光设备正交性检测方法-CN202111044702.6有效
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侯广杰;叶小龙;黄执祥;王栋
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深圳市龙图光电有限公司
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2021-09-07
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2022-11-15
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G03F1/76
- 本发明属于曝光设备正交性检测领域，尤其涉及一种掩模版以及用于曝光设备正交性检测方法，其中，包括：掩模基板，由透光材料制成；铬层，设于掩模基板的一侧板面，并具有四个镂空状的掩模图案，其中，掩模图案具有掩模指针图以及掩模刻度图案，掩模指针图呈线状，且在X方向延伸设置，掩模指针图的宽度为指针参照宽度，而长度为指针参照长度，掩模刻度图案整体呈矩形，且长度方向为X方向，掩模刻度图案包括标数图、一级刻度图、二级刻度图、三级刻度图和四级刻度图，一级刻度图、二级刻度图、三级刻度图以及四级刻度图在Y方向上依次设置。本发明能够降低曝光设备的正交性检测成本。
- 曝光设备正交检测方法
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