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[发明专利]光刻胶-CN201910372874.2有效
发明人：饶夙缔;陈孝贤 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2019-05-06 - 公布日： 2020-07-10 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：本发明提供一种光刻胶，包括树脂、光引发剂、聚合物单体、溶剂以及光反应粒子，其中，所述光引发剂在光照下产生自由基，用于引发聚合物单体发生光交联固化反应形成高聚物，所述光反应粒子根据光的波长对光进行选择性吸收并释放出抗氧化剂，用于捕捉光引发剂在光照下产生的自由基，从而降低聚合物单体的反应程度，进而达到控制光刻胶膜层不同深度的反应程度的作用，在曝光制程中使整个光刻胶膜层的反应程度达到均匀一致，解决在光刻工艺中由于光刻胶表底层反应差异而形成的
光刻

[发明专利]一种光刻胶涂布系统及方法-CN201711392363.4在审
发明人：朱治国 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2017-12-21 - 公布日： 2018-04-20 - 主分类号： B05B13/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种光刻胶涂布系统及方法，所述光刻胶喷涂系统包括晶圆承载台、驱动装置、光刻胶存储装置及光刻胶喷头；所述驱动装置与所述晶圆承载台连接以驱动所述晶圆承载台旋转；所述光刻胶喷头位于所述晶圆承载台上方，所述光刻胶喷头的数量为多个，每个所述光刻胶喷头均与所述光刻胶存储装置活动连接。光刻胶喷头位于晶圆承载台上方，光刻胶喷头的数量为多个，每个光刻胶喷头均与光刻胶存储装置活动连接，由此可以根据晶圆的尺寸、光刻胶均匀性设置光刻胶喷头的位置，从而使得光刻胶喷头更好的适应对于晶圆的涂布，由此能够减少光刻胶涂布的时间，减少甩出晶圆的光刻胶量，最后减少了光刻胶使用量，还减少了光刻胶涂布不良。
一种光刻胶涂布系统方法

[发明专利]修正光刻胶图形误差的方法-CN200810113982.X有效
发明人：陈海华;黄怡;张海洋 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2008-05-30 - 公布日： 2009-12-02 - 主分类号： G03F1/14 文献下载
摘要：一种修正光刻胶图形误差的方法，包括下列步骤：根据密集型分布光刻胶图形和稀疏型分布光刻胶图形的电路图形尺寸，依次执行第一光刻胶修剪步骤、第二光刻胶修剪步骤修剪光刻胶图形或依次执行第二光刻胶修剪步骤、第一光刻胶修剪步骤修剪光刻胶图形；检测所述光刻胶图形，若所述密集型分布光刻胶图形和稀疏型分布光刻胶图形中相同电路图形的尺寸差异超过跨栅距蚀刻偏差的范围，则重复上述步骤，其中，所述第一光刻胶修剪步骤与第二光刻胶修剪步骤中密集型分布光刻胶图形和稀疏型分布光刻胶图形的蚀刻速率比较结果相反所述修正光刻胶图形误差的方法减小了密集型分布光刻胶图形和稀疏型分布光刻胶图形的尺寸差异，提高了光刻工艺的精度。
修正光刻图形误差方法

[发明专利]一种具有多重过滤能力的光刻胶输送系统-CN201811408987.5在审
发明人：宋海生;李德建;吴鹏 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2018-11-23 - 公布日： 2019-01-22 - 主分类号： G03F7/16 文献下载
摘要：本发明公开一种具有多重过滤能力的光刻胶输送系统，用于输送光刻胶的过程中，其中包括：一光刻胶瓶；一光刻胶过滤系统，光刻胶过滤系统包括第一光刻胶储存罐、光刻胶过滤器组、第一光刻胶缓冲罐、第一光刻胶压缩泵、第二光刻胶储存罐、第二光刻胶缓冲罐；一光刻胶喷涂系统，光刻胶喷涂系统包括第二光刻胶压缩泵、第三光刻胶缓冲罐、喷嘴。本发明的技术方案有益效果在于：把整个光刻胶输送系统分为过滤系统与喷涂系统，在过滤系统中增加压缩泵和多个过滤器，同时增加循环回路，以进行循环过滤提高过滤效果，在喷涂系统中增加压缩泵，能够精确地输送光刻胶的喷涂，进一步提高光刻胶喷涂的稳定性。
光刻胶过滤系统压缩泵光刻胶喷涂输送系统缓冲罐多重过滤喷涂系统储存罐多个过滤器光刻胶瓶过滤器组过滤效果循环过滤循环回路喷嘴喷涂

[发明专利]光刻胶更换方法及系统和光刻胶管理方法及系统-CN202110583599.6在审
发明人：张宏旸 -专利权人：上海积塔半导体有限公司
申请日： 2021-05-27 - 公布日： 2021-08-10 - 主分类号： G06Q10/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种光刻胶更换方法，包括：获取待更换光刻胶信息；按照预设规则查询光刻胶管理信息，以得到与所述待更换光刻胶信息对应的目标光刻胶信息；接收基于所述目标光刻胶信息所领取的光刻胶的第一待验证信息；根据所述待更换光刻胶信息对所述第一待验证信息进行验证；当验证成功时，则基于所领取的光刻胶执行光刻胶更换操作；接收更换下的光刻胶的第二待验证信息；根据所述待更换光刻胶信息对所述第二待验证信息进行验证；当验证成功时，则光刻胶更换结束。上述光刻胶更换方法，可以确保更换的光刻胶正确无误，避免换胶错误，防止光刻胶更换错误造成晶圆报废。
光刻更换方法系统胶管

[发明专利]双重光刻胶及其处理方法-CN201210101344.2有效
发明人：胡华勇 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2012-03-31 - 公布日： 2013-10-23 - 主分类号： G03F7/075 文献下载
摘要：一种双重光刻胶，包括依次形成在目标层上的第一光刻胶层、第二光刻胶层，所述第一光刻胶层为正光刻胶层或负光刻胶层，所述第二光刻胶层与第一光刻胶层反性，所述第一光刻胶层与所述第二光刻胶层在同一曝光过程中曝光，所述正光刻胶层为含硅的水溶性正光刻胶。本发明还提供了该双重光刻胶的处理方法。采用本发明的技术方案，通过采用含氟的刻蚀气体对含硅的水溶性正光刻胶具有较高的选择比，使得双重光刻胶图案之间的转移更精准，提高了工艺的可控性。
双重光刻及其处理方法

[发明专利]光刻胶涂胶喷嘴定位拾取装置-CN201210439549.1有效
发明人：王阳 -专利权人：沈阳芯源微电子设备有限公司
申请日： 2012-11-06 - 公布日： 2016-11-30 - 主分类号： G03F7/16 文献下载
摘要：本发明涉及半导体匀胶显影设备，具体地说是一种光刻胶涂胶喷嘴定位拾取装置。包括光刻胶喷嘴拾取系统、光刻胶喷嘴装置及光刻胶喷嘴平台，其中光刻胶喷嘴平台上设有定位孔，所述光刻胶喷嘴装置安装在光刻胶喷嘴平台上、并通过光刻胶喷嘴平台上的定位孔定位，所述光刻胶喷嘴拾取系统的定位结构位于光刻胶喷嘴装置的上方，光刻胶喷嘴平台上用于定位光刻胶喷嘴装置的定位中心、光刻胶喷嘴拾取系统的定位中心和光刻胶喷嘴装置的喷胶中心在同一直线上，光刻胶喷嘴拾取系统通过打开或闭合定位结构对光刻胶喷嘴装置进行拾取和定位。本发明通过使光刻胶喷嘴装置的定位中心和光刻胶喷嘴喷涂中心重合来提高定位精度，减少结构件体积，提高成品率和生产效率。
光刻涂胶喷嘴定位拾取装置

[发明专利]一种光刻胶提示装置及提示方法-CN202310530732.0在审
发明人：刘厚鑫;刘欢 -专利权人：上海众鸿半导体设备有限公司
申请日： 2023-05-11 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： G03F7/16 文献下载
摘要：本申请提供一种光刻胶提示装置及提示方法，涉及半导体技术领域。所述光刻胶提示装置包括光刻胶瓶、光刻胶管路、称重装置、控制装置和光刻胶瓶槽，所述光刻胶瓶内容置有光刻胶，所述光刻胶管路插入所述光刻胶瓶的光刻胶内，所述光刻胶瓶置于所述称重装置上，所述称重装置设于所述光刻胶瓶槽内，使得实时监测所述光刻胶瓶内光刻胶的剩余重量，方便进行新的光刻胶退冰等工艺操作，且在不影响机台工艺正常进行的情况下同时进行，以便合理安排工艺时间，提升工艺效率，且也不会因为退冰时间安排不合理而导致有效期短的光刻胶失效
一种光刻提示装置方法

[发明专利]光刻胶回吸装置、光刻胶涂布设备及光刻胶涂布方法-CN202010752075.0在审
发明人：金在植;张成根;林锺吉;贺晓彬;杨涛;李俊峰;王文武 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2020-07-30 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： B05C5/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种光刻胶回吸装置、光刻胶涂布设备及光刻胶涂布方法，涉及半导体制造技术领域，其中光刻胶回吸装置包括监测器、通断回吸机构以及控制器，监测器安装在光刻胶涂布设备上，用于监测光刻胶涂布设备中光刻胶喷嘴内的光刻胶液柱；通断回吸机构设置在光刻胶涂布设备的光刻胶管路上，通断回吸机构中的调节组件用于调节光刻胶管路中光刻胶的回吸量，以控制与光刻胶管路连通的光刻胶喷嘴内的光刻胶液柱的位置；控制器分别与监测器和通断回吸机构信号连接本发明公开的光刻胶回吸装置能够避免光刻胶因距离光刻胶喷嘴的开口过近而发生凝结或滴落。
光刻胶回吸装置布设胶涂布方法

[发明专利]应用于光刻胶收集杯的光刻胶清洗装置和清洗方法-CN201711173572.X在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2017-11-22 - 公布日： 2019-05-28 - 主分类号： B08B9/093 文献下载
摘要：本发明提供一种应用于光刻胶涂布设备的光刻胶清洗装置和清洗方法，以及应用其的光刻胶涂布设备，其中，光刻胶清洗装置包括至少一个设置于光刻胶收集杯的内壁顶部第一清洗喷嘴，用于向光刻胶收集杯的内壁喷出清洗液。本发明实施例的光刻胶清洗装置和光刻胶涂布设备可以在不拆卸光刻胶收集杯的情况下对光刻胶进行清洗，并且可以清洗全部的残留光刻胶，包括残留在光刻胶收集杯的内壁顶部的光刻胶，从而避免光刻胶反溅问题，提高晶圆的良率，降低光刻时间和成本，提供工作效率。
光刻胶收集杯清洗装置光刻胶涂布清洗内壁顶部残留应用工作效率清洗喷嘴清洗液拆卸光刻晶圆良率内壁喷出

[发明专利]光刻胶去除工艺的测试方法-CN201711305598.5有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：绍兴奥美电子科技有限公司
申请日： 2017-12-08 - 公布日： 2021-04-27 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供了一种光刻胶去除工艺的测试方法，所述光刻胶去除工艺的测试方法包括：在半导体衬底涂覆第一光刻胶，所述第一光刻胶覆盖所述半导体衬底的整个表面；在所述第一光刻胶表面依次涂布多层光刻胶，其中所述多层光刻胶均为环状结构且具有不同环宽，且与所述第一光刻胶形成具有多个台阶图形的光刻胶多级台阶结构；对所述光刻胶多级台阶结构的各个台阶图形的光刻胶厚度进行测量；在所述光刻胶多级台阶结构进行半导体工艺处理，并对所述光刻胶多级台阶结构的各个台阶图形进行光刻胶去除工艺测试
光刻去除工艺测试方法

[发明专利]一种Array板光刻胶的剥离方法-CN201210290702.9有效
发明人：陈建荣;刘兴华;于春崎;任思雨;胡君文;谢凡;李建华 -专利权人：信利半导体有限公司
申请日： 2012-08-15 - 公布日： 2012-11-14 - 主分类号： G03F7/42 文献下载
摘要：本申请公开了一种Array板光刻胶的剥离方法，用于对Array板的光刻胶剥离返修，包括：对所述Array板表面的光刻胶进行干法剥离，去除光刻胶的过烘部分；在所述已经去除过烘部分的光刻胶上涂覆光刻胶剥离液，与所述已经去除过烘部分的光刻胶进行反应，将所述已经去除过烘部分的光刻胶从所述Array板上剥离。在对Array板的光刻胶剥离返修时，采用本申请提供的一种Array板光刻胶的剥离方法，对光刻胶采用干法剥离，就能去除一层很薄的在后烘制程中被过烘的光刻胶，然后再利用光刻胶剥离液将剩余的光刻胶剥离，就能够彻底剥离掉Array板上的光刻胶。
一种 array 光刻剥离方法

[发明专利]光栅制作方法-CN201711323285.2有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：郑君雄
申请日： 2017-12-12 - 公布日： 2021-06-11 - 主分类号： G02B5/18 文献下载
摘要：本发明提供了一种光栅制作方法，所述光栅制作方法包括：在基底表面依次形成第一光刻胶和第二光刻胶，其中所述第二光刻胶覆盖所述第一光刻胶，且其最低显开能量小于所述第一光刻胶；采用第一掩膜板对所述第二光刻胶进行第一次曝光处理，其中所述第二光刻胶在第一掩膜区域形成第一光刻胶图形；采用第二掩膜板对所述第二光刻胶进行第二次曝光处理，其中所述第二掩膜板至少部分覆盖所述第一曝光区域，且所述第一光刻胶在第二曝光区域形成第二光刻胶图形；对所述第一光刻胶和所述第二光刻胶进行显影处理，形成具有第一光刻胶图形和第二光刻胶图形的光刻胶台阶结构。
光栅制作方法

[发明专利]光刻胶沉积设备以及使用该设备形成光刻胶薄膜的方法-CN02150649.3无效
发明人：朴韓守;權寧鍾 -专利权人：阿泰技术有限公社;朴韩守
申请日： 2002-11-12 - 公布日： 2004-06-02 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：提供一种光刻胶沉积设备以及一种使用该设备形成光刻胶薄膜的方法。光刻胶沉积设备包括：真空室(它包括在其上加载基片的基片支架)，连接于真空室的光刻胶存储罐，以及连接于光刻胶存储罐的压电装置(它把在光刻胶存储罐中存储的液态光刻胶汽化为雾化的光刻胶以向真空室提供雾化光刻胶由于在光刻胶存储罐中汽化液态光刻胶，并且在稀薄的大气压下在真空室中把雾化的光刻胶沉积为光刻胶薄膜，所以可以大大改善最终光刻胶薄膜的厚度均匀性。由于不需要高速旋转基片，所以可以防止对基片的损害。此外，由于光刻胶沉积设备在光刻胶沉积期间使用了边缘覆盖层，所以不需要从基片边缘去除不需要光刻胶的附加工序，由此改进了制造合格率并降低了制造成本。
光刻沉积设备以及使用形成薄膜方法

[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN202310046118.7在审
发明人：李伟峰 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2023-01-31 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： G03F7/16 文献下载
摘要：本发明提供的一种半导体结构及其制造方法中，由于在具有缺陷结构的衬底的顶表面上依次形成第一光刻胶材料层和图案化的第二光刻胶层，并使第一光刻胶材料层覆盖所述缺陷结构，且第二光刻胶层和第一光刻胶材料层的正负性不同如此第一光刻胶材料层不仅能够平整化衬底顶表面，使形成在第一光刻胶材料层上的第二光刻胶层更具平整化，改善光刻工艺环境。如此可以第二光刻胶层为掩膜，通过简单便捷的第二光刻工艺在第一光刻胶材料层以去除多余的第一光刻胶材料层，以将第二光刻胶层的图案复制至第一光刻胶层，层叠的第一光刻胶层和第二光刻胶层构成光刻胶图案层，如此提升了制造半导体结构的效率
半导体结构及其制造方法

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