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[发明专利]光刻投影物镜及光刻机-CN202210384013.8在审
发明人：侯宝路;王进霞;王彩红;王彦飞;王锋;李运锋 -专利权人： 上海微电子装备（集团）股份有限公司
申请日： 2022-04-12 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种光刻投影物镜，包括沿光轴顺次排列的第一镜组、第二镜组、第三镜组、第四镜组和第五镜组，所述第一镜组的光焦度#imgabs0#第二镜组的光焦度#imgabs1#第三镜组的光焦度#imgabs2#第四镜组的光焦度#imgabs3#和第五镜组的光焦度#imgabs4#满足#imgabs5##imgabs6#在满足高曝光分辨率的基础上可以减少透镜数量和非球面镜的数量，降低光刻投影物镜的设计成本及制造周期，提高产品市场竞争力；同时，通过正、负相间的光焦度组合，提高光刻投影物镜的像质校正能力，进而提高曝光成像质量，实现更小的曝光分辨率和CDU。相应的，本发明还提供了一种光刻机。
光刻投影物镜

[实用新型]量检测设备-CN202321039764.2有效
发明人：袁林栋;郎东春;颜小龙;周许超;张杰;陈朵朵;程宇;徐凤森;陈楠;齐会平 -专利权人： 上海微电子装备（集团）股份有限公司
申请日： 2023-04-28 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本实用新型提供一种量检测设备。其中，所述量检测设备包括风管和气浴装置；其中，所述风管和所述气浴装置之间为可拆卸连接，以便于在密封连接所述风管和所述气浴装置时，可存留一些调整余量，以确保在对接时二者的端面位置能够精确对准，提高密封连接效果。
检测设备

[发明专利]硅片对准标记的检测定位方法、系统、电子设备及介质-CN202210346590.8在审
发明人：易兵;刘涛;周许超;张记晨;鲁阳;高贯义;王敬贤 -专利权人： 上海微电子装备（集团）股份有限公司
申请日： 2022-03-31 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： G06V10/75 文献下载
摘要：本发明提供了一种硅片对准标记的检测定位方法，先建立知识库，所述知识库中具有若干种已知对准标记的第一检测图像的第一特征信息，然后获取待测对准标记的第二检测图像的第二特征信息，将所述第一特征信息与所述第二特征信息逐项进行相似性比对，并根据比对得到的若干所述已知对准标记获取所述待测对准标记在硅片上的位置信息，从而精确地找到所述已知对准标记，提高了待测对准标记的检测定位精度及效率。相应的，本发明还提供了一种硅片对准标记的检测定位系统、电子设备及非暂态计算机可读存储介质。
硅片对准标记检测定位方法系统电子设备介质

[发明专利]光刻机最佳焦面位置的获取方法-CN202210295548.8在审
发明人：王博;张家锦 -专利权人： 上海微电子装备（集团）股份有限公司
申请日： 2022-03-23 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明提供一种光刻机最佳焦面位置的获取方法。所述获取方法包括：提供掩模版，掩模版上设置有包括多条线条的测试掩模结构，且部分数量的线条包括间隔排布的多个尖端图形；将掩模版设置于光刻机中，以不同的离焦量对多个基底进行曝光，并分别将测试掩模结构的图案转移到多个基底上形成测试结构；测量各个基底上的测试结构的套刻偏移量；使用套刻偏移量和对应的离焦量进行曲线拟合获得拟合曲线；以及在设定离焦量范围内求解拟合曲线的极值点对应的离焦量，并以极值点对应的离焦量确定光刻机的最佳焦面位置。利用该获取方法获得的光刻机的最佳焦面位置的精度较高。
光刻最佳位置获取方法

[发明专利]调平装置、调平方法和键合设备-CN202210293588.9在审
发明人：朱鸷 -专利权人： 上海微电子装备（集团）股份有限公司
申请日： 2022-03-23 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供了一种调平装置、调平方法和键合设备，所述调平装置包括：解耦单元，设置于所述上压盘的背向所述下压盘的一面上，所述解耦单元用于使得所述上压盘沿着Rx和Ry方向偏转；至少三组垂直调整单元，设置于所述上压盘和所述下压盘的外围，所述垂直调整单元包括阻尼调节杆和压缩调节杆，所述阻尼调节杆具备随压缩量变化而变化的阻尼；至少三组测量单元，用于在所述压缩调节杆压缩所述阻尼调节杆时，测量获得所述上压盘与所述基片之间的楔形误差。本发明的技术方案使得上压盘与基片之间的平行度能够自适应调平，进而使得键合精度得到提高。
平装平方设备

[发明专利]光路稳定控制装置及光刻机-CN202210295567.0在审
发明人：程斌斌;罗兵;赵建军;张洪博 -专利权人： 上海微电子装备（集团）股份有限公司
申请日： 2022-03-23 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种光路稳定控制装置及光刻机，所述光路稳定控制装置包括：入风口、挡风板、导流格栅以及多孔组件；其中，所述入风口用于通入压缩气体；所述挡风板用于把气体分为两路，第一路气体通过所述导流格栅，第二路气体通过所述多孔组件；所述导流格栅用于均匀化所述第一路气体以对干涉仪进行散热；所述多孔组件用于均匀化所述第二路气体以维持干涉仪光路的压力稳定。本发明提供的光路稳定控制装置提高了干涉仪光路的稳定性，并且解决了干涉仪自身发热导致的测量偏差，从而提升了干涉仪的测量精度。
稳定控制装置光刻

[发明专利]一种闭环控制的单频激光干涉测量增益调整的装置和方法-CN202310783225.8在审
发明人：熊显名;王晓博;杜浩;张文涛;徐乐;陈文伟;顾俊 -专利权人：桂林电子科技大学;上海微电子装备（集团）股份有限公司
申请日： 2023-06-29 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： G01B11/02 文献下载
摘要：本发明提供的是一种闭环控制的单频激光干涉测量增益调整的装置和方法。其特征是：单频激光信号通过闭环增益调整装置后转换为数字信号用于相位解算。所述装置和方法为：单频激光干涉仪发出的激光信号经由光电转换模块、直流偏置模块和增益模块信号后，被模数转换模块采集发送给FPGA单元，解算后获得直流偏差和增益控制数据。通过反馈网络对光电转换模块、直流偏置模块和增益模块进行直流补偿和反馈调节。本发明可用于单频激光干涉测量的信号增益调整前处理，维持采集信号在模数转换模块的采样范围内均匀稳定。
一种闭环控制激光干涉测量增益调整装置方法

[发明专利]一种玻璃基板对准测量系统、方法和设备-CN202210264483.0在审
发明人：唐江锋;杨宣华;赖勇;蓝科 -专利权人： 上海微电子装备（集团）股份有限公司
申请日： 2022-03-17 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： G01B11/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种玻璃基板对准测量系统、方法和设备，其中，系统中上位机与第一运动控制模块连接，其用于根据上位机的第一指令控制所有线阵相机的焦面处于同一平面，并控制线阵相机按照第一预设路径进行步进；和/或，上位机与第二运动控制模块连接，其用于根据上位机的第二指令控制玻璃基板按照第二预设路径进行步进；玻璃基板按照线阵相机的分辨率划分有n个区域，线阵相机按照第一预设路径在扫描第m区域后形成第m区域的图像；上位机根据第m区域的图像获取第m区域中的各个芯片的位置，同时，线阵相机并行继续按照第一预设路径扫描第m+1区域形成第m+1区域的图像，m，n均为正整数，m小于n，以实现快速的获取各个芯片的精准位置。
一种玻璃对准测量系统方法设备

[发明专利]真空蒸镀装置及其蒸发头、真空蒸镀方法-CN201711244921.2有效
发明人：陈勇辉;郝征;李志丹;张俊 -专利权人： 上海微电子装备（集团）股份有限公司
申请日： 2017-11-30 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： C23C14/24 文献下载
摘要：本发明提供了一种真空蒸镀装置及其蒸发头、真空蒸镀方法。所述蒸发头包括蒸发头腔体，还包括多个喷射方向不同且喷射方向互不相交的喷嘴，所述多个喷嘴与所述蒸发头腔体连通。发明采用蒸发头具有多个喷嘴，实现了多张需蒸镀基底同时蒸镀的目的。另外，本发明与现有技术相比缩小了掩模板的尺寸，可以减少或避免掩模板过大所引起的形变问题，同时使用缩小后的掩模板有利于提高对位精准度以及产品分辨率。
真空装置及其蒸发方法

[发明专利]真空吸附手、基底交接装置及光刻机-CN201710944128.7有效
发明人：郑清泉 -专利权人： 上海微电子装备（集团）股份有限公司
申请日： 2017-09-30 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明提供一种真空吸附手、基底交接装置及光刻机。所述真空吸附手包括吸附轴、吸头、主体支架、驱动组件及防转结构。所述基底交接装置包括底座和对称分布于所述底座的若干所述真空吸附手。所述光刻机包括基底台，所述基底台设有基底交接区，所述基底台内安装有所述基底交接装置，所述基底交接装置位于所述基底交接区的下方，所述基底交接区表面对应于所述真空吸附手的位置开有通孔；交接基底时，所述真空吸附手可经由所述通孔向上延伸。本发明提供的基底交接装置提高了自身空间利用率，降低了空间尺寸；另外，该基底交接装置采用圆形的气浮导轨，使装置易于制造，容易满足导轨制造精度的要求。
真空吸附基底交接装置光刻

[发明专利]一种单频激光干涉信号损耗误差补偿的装置和方法-CN202310783220.5在审
发明人：熊显名;王晓博;杜浩;张文涛;郭昕;周方均;顾俊 -专利权人：桂林电子科技大学;上海微电子装备（集团）股份有限公司
申请日： 2023-06-29 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： G01B11/02 文献下载
摘要：本发明提供的是一种单频激光干涉信号损耗误差补偿的装置和方法。所述装置包括雪崩二极管1、负高压模块2、跨阻放大器3、信号调理单元4、电压检测单元5、电压控制单元6以及信号处理单元7，所述方法为利用单频激光干涉测量信号的相位特征对四通道单频激光干涉信号的光功率和AC/DC差异进行幅值和直流偏置补偿。本发明可用于单频激光信号相位解算中硬件的误差补偿，有效降低单频激光干涉系统对误差处理的解算难度，从而提高相位解算的准确性。
一种激光干涉信号损耗误差补偿装置方法

[发明专利]一种防污染保护装置、物镜和光刻机-CN202210195403.0在审
发明人：洪国;湛宾洲;程斌斌;王成;杨若霁;李运锋 -专利权人： 上海微电子装备（集团）股份有限公司
申请日： 2022-03-01 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种防污染保护装置、物镜和光刻机，属于半导体技术领域。该防污染保护装置包括视场挡板和环形主体结构，气流经过进气口依次通过第一环形通道和第二环形通道，从第二环形通道进入容纳腔后的气流最终从视场窗口排出，在容纳腔内形成保护镜头不被污染的气层，从而使光束穿过镜头后可经过容纳腔和视场窗口投射到工件上，由于在第二环形通道和第一环形通道内匀化处理，使出气流更大匀化，避免局部产生涡旋形成污染物滞留区域；还可以有效抵御侧向风扰动。
一种污染保护装置物镜光刻

[实用新型]射流装置及曝光装置-CN202320922959.5有效
发明人：龚辉;陈康;夏洪发;贾翔;赵建军;洪国 -专利权人： 上海微电子装备（集团）股份有限公司
申请日： 2023-04-21 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本实用新型提供一种射流装置及曝光装置：至少两个喷管，所述射流装置于工作状态下，至少两个所述喷管被配置为围绕光源装置的阳极依次设置；其中，每个所述喷管包括总管道和两个以上的分支管道，所有所述分支管道以不同角度分别与所述总管道相连通，且所有所述分支管道的总出流面平行于所述阳极；所有所述分支管道的总出流面积小于所述总管道的进流面积。本实用新型提供的所述射流装置，通过降低喷管出流总面积，增加了气流的射流速度，增加了表面换热效果，通过至少两个分支管道，增加了喷射区域，弥补因喷管出流总面积减小而导致的射流扩散面积变小的问题，从而可以提升阳极降温效果。
射流装置曝光

[发明专利]激光退火系统及其退火方法-CN202210190773.5在审
发明人：黄元昊;周伟;刘晓;董洪波;赖勇;苏海业;罗闻 -专利权人： 上海微电子装备（集团）股份有限公司
申请日： 2022-02-28 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L21/268 文献下载
摘要：本发明提供了一种激光退火系统及其退火方法，所述退火系统包括：吸盘、激光辐射模块、高温测量模块、误差测量模块与前馈补偿模块；吸盘用于放置衬底；激光辐射模块用于发出激光辐射对衬底进行退火；高温测量模块用于测量衬底表面温度；误差测量模块用于获得高温测量补偿信息；前馈补偿模块根据所述衬底表面温度、所述高温测量补偿信息，调整所述激光辐射模块发出的激光辐射，从而提高温度测量的准确性，进而提升闭环反馈控制的准确性，提高退火均匀性。
激光退火系统及其方法

[实用新型]片叉和晶片传输设备-CN202320361383.X有效
发明人：张向飞;解奇军 -专利权人： 上海微电子装备（集团）股份有限公司
申请日： 2023-03-01 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本实用新型提供一种片叉。该片叉包括片叉本体、垫片和吸盘，吸盘固定在垫片上，垫片通过螺钉可拆卸地固定在片叉本体上。如此在更换片叉本体上的破损吸盘时，可以拆卸螺钉并将破损吸盘及其连接的垫片一起取下，再将固定有合格吸盘的垫片安装在片叉本体上，如此即完成了吸盘线上的保养，而破损吸盘与其连接的垫片的分离、以及合格吸盘的固定均可以在线下进行，进而可以大大提高吸盘的更换效率，降低设备的线上维护时间。此外，垫片是可回收再利用的，可以降低维护成本，提高产品竞争力。本实用新型还提供一种包括上述片叉的晶片传输设备。
晶片传输设备

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