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[发明专利]一种逆向照明接近接触纳米光刻装置-CN200810056085.X无效
发明人：杨勇;胡松;姚汉民;唐小萍;邢薇;赵立新;张春梅;严伟 -专利权人：中国科学院光电技术研究所
申请日： 2008-01-11 - 公布日： 2008-07-09 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种逆向照明接近接触纳米光刻装置包括：基片、光刻胶、金属掩模版和均匀准直照明系统；在基片上面涂有光刻胶，在光刻胶接近接触放置金属掩模版，当均匀准直照明系统逆向照明，从基片侧向入射到基片上，在光刻胶和金属掩模版之间由于介电常数的匹配而激发了表面等离子体波，该表面等离子体波具有局部增强效应，通过表面等离子体波的传播，可以在不需要改动照明系统就将可以接近接触放置的金属掩模版上的图形转移到光刻胶上，实现超衍射纳米光刻目的，以极低成本实现纳米量级图形的制作。本发明既提高了光刻分辨力，又降低了成本，提高了工作效率。
一种逆向照明接近接触纳米光刻装置

[发明专利]制造沟槽型功率器件的方法-CN201410465854.7在审
发明人：沈思杰 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2014-09-12 - 公布日： 2016-04-06 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种制造沟槽型功率器件的方法，包括：通过第一次光刻及刻蚀在衬底的终端区域形成掩模层图案，执行离子注入形成保护环；沉积掩模材料层，部分地填充掩模层的图案，通过第二次光刻及刻蚀在衬底的器件区域形成凹槽；在凹槽的侧壁形成侧墙；利用形成有侧墙的掩模层结构在衬底中刻蚀出沟槽，并在沟槽中填充多晶硅材料；去除凹槽的侧壁上的侧墙，并执行离子注入，以便在多晶硅结构两侧形成注入区；通过第三次光刻形成注入掩模图案，此后利用注入掩模图案对衬底进行注入以形成阱区；利用掩模材料填充凹槽，并进行平坦化处理，并且通过第四次光刻及刻蚀在掩模层和掩模材料层中形成接触区凹槽。
制造沟槽功率器件方法

[发明专利]一种极紫外光刻光源‑掩模联合优化方法-CN201510354242.5有效
发明人：马旭;陈譞博;汪杰;李艳秋 -专利权人：北京理工大学
申请日： 2015-06-24 - 公布日： 2017-06-23 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明提供一种极紫外光刻光源‑掩模优化方法，本方法分别应用参数化和像素化光源，并将掩模主体图形和辅助图形分别构造为若干单边尺寸大于或等于预定阈值的基本模块的叠加，将优化目标函数构造为成像保真度函数与光源及掩模罚函数之和；之后本方法基于标量成像模型，采用共轭梯度法和改进的共轭梯度法对极紫外光刻光源及掩模图形进行混合优化，且在每次迭代中确保掩模主体图形和辅助图形之间的最小间距大于或等于预定阈值，并在优化结束后修正掩模图形，去除无法制造的边缘凸起并补偿掩模阴影效应。本方法可同时补偿极紫外光刻系统中的光学邻近效应、杂散光效应、光刻胶效应和掩模阴影效应，并且有效提高优化后掩模的可制造性。
一种紫外光刻光源联合优化方法

[发明专利]基于双采样率像素化掩模图形快速光学邻近效应修正方法-CN202010770073.4有效
发明人：陈国栋;李思坤;王向朝 -专利权人：中国科学院上海光学精密机械研究所
申请日： 2020-08-03 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： G03F1/36 文献下载
摘要：一种基于双采样率像素化掩模图形的快速光学邻近效应修正方法，以低采样率掩模图形的透过率矩阵作为目标图形，以高采样率掩模图形的透过率矩阵作为待修正图形。从待修正图形的频谱中提取出低频部分作为低采样率掩模图形的频谱，利用光刻成像模型计算出光刻胶图形。根据光刻胶图形与目标图形计算成像异常。根据成像异常类型，自适应地选择待修正区域，通过对高采样率掩模图形的透过率矩阵进行局部调整，实现掩模图形的修正，使光刻胶图形轮廓逐渐逼近目标图形轮廓。本发明采用两种采样率对掩模图形进行采样，兼顾了掩模修正精度和修正效率；同时，自适应地选择修正区域，进一步提高了掩模修正效率。
基于采样率像素化掩模图形快速光学邻近效应修正方法

[实用新型]掩模版冷却装置以及光刻机台-CN201721524036.5有效
发明人：刘连军;郝保同 -专利权人：上海微电子装备（集团）股份有限公司
申请日： 2017-11-15 - 公布日： 2018-05-25 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本实用新型提供一种掩模版冷却装置以及光刻机台。所述掩模版冷却装置包括采集单元、冷却单元以及控制单元，所述控制单元分别与所述采集单元和所述冷却单元通讯连接，所述采集单元用于获取曝光过程中掩模版上具有曝光区域的表面的温度信息并反馈给控制单元，所述冷却单元设置在所述掩模版的一侧并用于对所述表面喷射气体所述光刻机台包括用于放置所述掩模版的承板台以及所述掩模版冷却装置。本实用新型通过对掩模版上影响掩模倍率的关键部位进行冷却，起到了很好的冷却效果，从而保证了光刻过程中掩模倍率的稳定，进而确保了光刻的精度。
掩模版冷却单元冷却装置光刻机台采集单元本实用新型温度信息掩模表面喷射关键部位光刻过程冷却效果喷射气体喷射状态曝光过程曝光区域通讯连接承板台冷却反馈保证

[发明专利]刮伤掩模修补装置及方法-CN201310030316.0有效
发明人：李会丽;闻人青青;张俊;李志丹 -专利权人：上海微电子装备（集团）股份有限公司
申请日： 2013-01-25 - 公布日： 2018-08-24 - 主分类号： G03F1/72 文献下载
摘要：本发明公开了一种刮伤掩模修补装置及方法，该装置包括支架装置、缺陷检测装置以及修补模块，其中，支架装置安装在光刻机室内，所述缺陷检测装置和修补模块均安装在所述支架装置上，且所述修补模块包括多个不同尺寸的修补笔芯所述刮伤掩模修补装置的支架装置直接安装在光刻机室内，能够在掩模刮伤时及时且快速的在光刻机内部进行修理，不影响光刻机的产能，使光刻机的功能更齐全、自动化程度更高，使掩模修补直接在光刻机内完成，充分利用了光刻机的内部空间
刮伤掩模修补装置方法

[发明专利]图案复制掩模、半导体装置制造方法及掩模图案制作用程序-CN03154842.3无效
发明人：坂井淳二郎 -专利权人：株式会社瑞萨科技
申请日： 2003-08-15 - 公布日： 2004-05-19 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：在双镶嵌结构形成时抑制沟道形成用的光刻胶图案(光刻胶掩模)上出现的通孔附近的图案不良。图案复制掩模101的掩模图案110由遮光图案111和透光图案112构成。另外，掩模101用于负型光刻胶，但对于正型光刻胶用的掩模将遮光图案111和光透过图案112相互调换即可。
图案复制半导体装置制造方法制作程序

[发明专利]EUV光掩模及其制造方法-CN202210925585.2在审
发明人：苏伟硕;赖昱泽;王圣闵;谢艮轩;郑介任;张雅惠 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-08-03 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： G03F1/24 文献下载
摘要：本公开涉及EUV光掩模及其制造方法。一种用于极紫外(EUV)光刻的光掩模，该光掩模包括用于将光掩模与EUV光刻工具对准的掩模对准标记，以及设置在掩模对准标记周围的亚分辨率辅助图案。
euv 光掩模及其制造方法

[发明专利]用于制造半导体器件的光刻工艺的方法-CN200610074166.3有效
发明人：林水典;卢欣荣;罗益全 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2006-04-07 - 公布日： 2006-10-11 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种用于制造半导体器件的光刻工艺的方法。该方法包括如下步骤：定义一光刻掩模的测试临界尺寸目标；测量一掩模临界尺寸；比较掩模临界尺寸和该测试临界尺寸目标，并据以决定一临界尺寸误差；依据该临界尺寸误差决定一光刻光基准能量；以及依据该光刻光基准能量曝光一晶片
用于制造半导体器件光刻工艺方法

[发明专利]光刻机掩模的优化方法-CN201610077507.6有效
发明人：王磊;王向朝;李思坤;杨朝兴 -专利权人：中国科学院上海光学精密机械研究所
申请日： 2016-02-03 - 公布日： 2017-12-12 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种光刻机掩模的优化方法，该方法利用离散余弦变换将基于像素表示的掩模信息转换到频域，截取低频部分作为优化变量并将其编码为粒子，将理想图形与当前掩模对应的光刻胶像每一点差异的平方和作为评价函数，通过粒子群优化算法优化掩模图形本发明可以有效提高光刻系统的成像质量，具有原理简单、易于实现、收敛速度较快、优化后的掩模可制造性强的优点。
光刻机掩模优化方法

[发明专利]多重成像光刻装置以及方法-CN200910047580.9有效
发明人：蔡燕民 -专利权人：上海微电子装备有限公司
申请日： 2009-03-13 - 公布日： 2009-08-19 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明提出一种多重成像光刻装置及其方法，多重成像光刻装置包括照明光源、掩模台、掩模、投影物镜、工件台、基底及其它测量装置，且多重成像光刻装置还包括二元相位光栅，二元相位光栅设置于掩模和投影物镜之间。本发明多重成像光刻装置及其方法，利用二元相位光栅可以将硅片上多个曝光视场同时曝光，不需要消耗曝光视场之间的步进运动时间以及稳定时间，是一种高产率的光刻方法及光刻装置。
多重成像光刻装置以及方法

[发明专利]快闪存储器件的制造方法-CN200710130367.5无效
发明人：沈贵潢;郑宇荣 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2007-07-18 - 公布日： 2008-03-12 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：一种制造快闪存储器件的方法包括：提供衬底，所述衬底具有绝缘层、绝缘层上方的第一掩模层、第一掩模层上方的第二掩模层、第二掩模层上方的第一光刻胶图案，所述第一光刻胶图案具有第一间距。在所述第一光刻胶图案上方提供材料层。蚀刻所述材料层以使所述材料层转化为具有第二间距的材料层图案，所述第二间距小于所述第一间距。利用所述材料层图案蚀刻所述第二硬掩模层，以形成沿第一方向延伸的第二硬掩模层图案。蚀刻第二光刻胶图案，所述第二光刻胶图案限定未暴露的第一区域和暴露的第二区域，所述第二区域沿着与所述第一方向正交的第二方向延伸。利用所述第二光刻胶图案蚀刻所述第一硬掩模层，以形成具有有角形状的第一硬掩模层图案。
闪存器件制造方法

[发明专利]增大光刻工艺窗口的方法、电子设备和存储介质-CN202111636322.1在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：全芯智造技术有限公司
申请日： 2021-12-29 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： G03F1/36 文献下载
摘要：本公开的示例实施例提供了增大光刻工艺窗口的方法、电子设备和存储介质。该方法包括：确定成本函数，成本函数表示光刻工艺窗口的成本，成本表示在光刻工艺窗口的条件下，利用掩模而在晶圆上形成的图形与期望在晶圆上形成的图形之间的差异；确定成本函数相对于掩模的成本梯度图，成本梯度图表示掩模的成本梯度的分布，成本梯度表示成本的变化；以及基于成本梯度图，在掩模上放置亚分辨率辅助图形SRAF。本公开的实施例能够增大光刻工艺窗口，从而改善光刻质量。
增大光刻工艺窗口方法电子设备存储介质

[发明专利]石英/AZ光胶紫外光光刻掩模的制备方法-CN200510060784.8无效
发明人：孔泳;陈恒武 -专利权人：浙江大学
申请日： 2005-09-15 - 公布日： 2006-03-01 - 主分类号： G03F1/08 文献下载
摘要：一种石英/AZ光胶紫外光光刻掩模的制备方法，其特征是：使用的光刻掩模材料是AZ光胶和石英基片。使用标准光刻技术，将预先设计好的图形从菲林片上转移到涂覆有AZ光胶的石英基片上，通过显影除去经过曝光的AZ光胶，经洗静，烘干后，即可制得载有设计图形的石英/AZ光胶紫外光光刻掩模。该紫外光光刻掩模可用于以200－360nm的紫外光作为光源来实现图形的精确转移。本发明具有工艺简单，成本低，制备周期短的优点。
石英 az 紫外光光刻制备方法

[发明专利]一种双深度浅沟道隔离槽及其制备方法-CN201910407317.X有效
发明人：杨渝书;伍强;李艳丽 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司;成都微光集电科技有限公司
申请日： 2019-05-15 - 公布日： 2021-07-02 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明提供一种双深度浅沟道隔离槽及其制备方法，双深度浅沟道隔离槽的制备方法包括：提供一衬底，衬底上依次形成有硬掩模层和图形化的第一光刻胶层；以图形化的第一光刻胶层为掩模，刻蚀形成第一开口和第二开口，再去除第一光刻胶层；在硬掩模层上形成图形化的第二光刻胶层；以图形化的第二光刻胶层和硬掩模层为掩模，刻蚀形成第二隔离槽的第一部分，再去除所述第二光刻胶层；以硬掩模层为掩模，刻蚀形成第二隔离槽的第二部分和第一隔离槽，使得感光区的第一隔离槽和逻辑区的第二隔离槽同时形成
一种深度沟道隔离及其制备方法