专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]器件-CN201410427550.1无效
  • U·汉森 - 罗伯特·博世有限公司
  • 2014-08-27 - 2015-03-18 - H01L23/495
  • 本发明涉及用于具有至少两个ASIC元件和/或MEMS元件的器件的封装方案,该方案可用标准工序并尤其用标准部件非常简单及成本上有利地转换应用。此外根据本发明的封装方案可实现具有相对小的“脚印”的封装壳体,它的元件在该器件结构中在很大程度上得到应力的脱耦。根据本发明将至少一个第一元件安装在一个扁平的第一载体上并与第一载体电连接。
  • 器件
  • [实用新型]器件-CN201922397352.6有效
  • L·M·C·迪迪奥 - 意法半导体国际有限公司
  • 2019-12-27 - 2020-11-06 - H01L23/495
  • 本实用新型涉及器件。公开了一种包括在引线框架的至少部分上的金属氧化层的引线框架。更特别地,描述了在锡电镀层被形成之前具有在一个或多个引线上形成金属层和金属氧化物层的引线框架。在一个或多个引线与锡电镀层之间的金属层和金属氧化物层减少了锡晶须的形成,因此减少了短路的可能性,并且改善了封装结构和被生产的器件的总体可靠性。
  • 器件
  • [发明专利]一种BCD半导体器件-CN202010607698.9有效
  • 乔明;吕怡蕾;梁龙飞;张波 - 电子科技大学
  • 2020-06-30 - 2022-12-02 - H01L27/06
  • 本发明提供一种BCD半导体器件,包括集成于同一芯片上的高压Split Gate MOS器件、高压NLDMOS器件、高压PLDMOS器件、N‑JFET器件、低压NMOS器件、低压PMOS器件、NPN器件、LPNP器件、TVS器件、Diode器件和Zener器件,所有器件均采用深槽隔离。本发明在衬底上实现Split Gate MOS、NLDMOS、PLDMOS、N‑JFET器件、NMOS器件、PMOS器件、NPN器件、LPNP器件、TVS器件、Diode器件和Zener器件的单片集成,由埋层和介质槽组成的隔离区域实现集成芯片上各个器件之间的隔离,避免了电压的串扰问题,并且由于Split Gate MOS器件功率密度高,可有效减小芯片面积。
  • 一种bcd半导体器件
  • [发明专利]一种器件结构-CN201710731014.4在审
  • 武乐强 - 西安易朴通讯技术有限公司
  • 2017-08-23 - 2017-12-05 - H05K1/18
  • 本发明提供一种器件结构,包括位于所述结构主板上的目标器件以及防撞器件;所述防撞器件设置于所述目标器件的周边,且所述防撞器件的整体高度大于所述目标器件的高度。本发明实施例中,在目标器件,即待保护的器件的周边放置了防撞器件,防撞器件的高度大于目标器件的高度,即当在主板上叠加另一个主板的时候,由于防撞器件高于目标器件,防撞器件能够有效的保护目标器件不会被碰撞,且防撞器件是放置在目标器件的周边,大小可以根据目标器件周边的位置关系来确定,对工艺要求较低,在目标器件放置在极端位置时,仍能够有效的保护目标器件
  • 一种器件结构
  • [实用新型]一种器件结构-CN201721078477.7有效
  • 武乐强 - 西安易朴通讯技术有限公司
  • 2017-08-23 - 2018-05-25 - H05K1/18
  • 本实用新型提供一种器件结构,包括:位于所述结构主板上的目标器件以及防撞器件;所述防撞器件设置于所述目标器件的周边,且所述防撞器件的整体高度大于所述目标器件的高度。本实用新型实施例中,在目标器件,即待保护的器件的周边放置了防撞器件,防撞器件的高度大于目标器件的高度,即当在主板上叠加另一个主板的时候,由于防撞器件高于目标器件,防撞器件能够有效的保护目标器件不会被碰撞,且防撞器件是放置在目标器件的周边,大小可以根据目标器件周边的位置关系来确定,对工艺要求较低,在目标器件放置在极端位置时,仍能够有效的保护目标器件
  • 目标器件防撞主板本实用新型保护目标器件结构工艺要求极端位置器件设置叠加
  • [发明专利]带保护的可调激光器自动定标系统及方法-CN202010398869.1有效
  • 赵佳生;夏小波;何建军 - 杭州兰特普光电子技术有限公司
  • 2020-05-12 - 2021-07-06 - H04B10/50
  • 本发明的技术方案是:该系统包括:光器件阵列,具有若干光器件器件选择开关,用于选择所述光器件阵列中的某一光器件作为待测器件;光器件驱动模块,用于驱动所述光器件阵列中器件选择开关所选的光器件;电流保护元件,接于所述光器件驱动模块与所述光器件阵列之间,用于获取光器件驱动模块与光器件阵列之间的电流大小,并在电流过大时切断光器件驱动模块;参数测量模块,用于测量所述光器件阵列中器件选择开关所选光器件器件参数;光信号测量模块,用于测量所述光器件阵列中器件选择开关所选光器件输出的光信号;控制模块,具有:预检测单元、定标模块。本发明适用于光通信、光器件领域。
  • 保护可调激光器自动定标系统方法
  • [发明专利]一种可集成功率半导体器件及其制造方法-CN201910845004.2有效
  • 乔明;何林蓉;李怡;赖春兰;张波 - 电子科技大学
  • 2019-09-07 - 2022-01-25 - H01L27/12
  • 本发明提供一种可集成功率半导体器件及其制造方法,包括集成于同一芯片上的纵向高压器件、第一高压pLDMOS器件、高压nLDMOS器件、第二高压pLDMOS器件、低压NMOS器件、低压PMOS器件、低压NPN器件和低压Diode器件,第一高压pLDMOS器件、高压nLDMOS器件、第二高压pLDMOS器件、低压NMOS器件、低压PMOS器件、低压NPN器件和低压Diode器件均采用介质隔离,第一高压pLDMOS器件、高压nLDMOS器件采用多沟道设计,第二高压pLDMOS器件采用单沟道设计,本发明提出一种部分埋氧的集成技术,采用离子注入等方式形成埋氧层,这种技术可集成横向高压器件、纵向高压器件以及低压器件,且无漏电流与串扰问题,相比横向高压器件而言,具有更低的导通电阻且占用更小的芯片面积。
  • 一种集成功率半导体器件及其制造方法

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