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[发明专利]一种X射线曝光间隙控制方法-CN200910241924.X无效
发明人：刘刚;熊瑛;周杰;张晓波;田扬超 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2009-12-15 - 公布日： 2010-06-09 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种X射线曝光间隙控制方法，在X射线掩模的非窗口区域上制作台阶，所述台阶的制作工艺为：首先利用旋涂工艺在掩模上涂上所需厚度的光刻胶或其它聚合物，然后采用光刻工艺或刻蚀工艺在掩模上得到所需高度的台阶；将涂有光刻胶的样品放在夹具上，样品上的光刻胶面朝上，然后将有台阶的掩模放在所述样品上，使得掩模有图形的一面与光刻胶面相对；利用等厚干涉原理来判断掩模和样品之间的平行度，同时利用夹具来调节两者之间的平行度。本发明解决了X射线曝光中间隙难以控制、掩模与光刻胶的平行性难以保证的问题，同时实现对掩模的有效保护。
一种射线曝光间隙控制方法

[发明专利]一种基于双层胶技术的掩模平坦化方法-CN201310361799.2有效
发明人：罗先刚;王长涛;赵泽宇;王彦钦;沈同圣;刘玲;胡承刚;黄成;杨磊磊;潘思洁;崔建华;赵波 -专利权人：中国科学院光电技术研究所
申请日： 2013-08-19 - 公布日： 2013-11-20 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于双层胶技术的掩模平坦化方法，其主要步骤为：在平面或者曲面基底上沉积铬膜层并制备掩模图形，之后在其上先后涂敷光刻胶A和光刻胶B，采用中心波长为365nm的紫外曝光光源从基底的背面入射，使光刻胶B感光，利用光刻胶A在光刻胶B显影液中的溶解速率大于光刻胶B在光刻胶B显影液中的显影速率的特性形成侧向沟槽，再利用电子束蒸镀沉积二氧化硅，厚度和掩模铬层厚度相等。将掩模浸泡于有机溶剂中去除A、B光刻胶，最后得到平坦化的掩模。该方法可以应用到一体式曝光器件的掩模平坦化工艺中，如Superlens和缩小Hyperlens器件的掩模平坦化工艺。
一种基于双层技术平坦方法

[发明专利]一种用混合技术制作X光光刻掩模的方法-CN94103513.1无效
发明人：高士平;孙宝银;程秀玲 -专利权人：中国科学院微电子中心
申请日： 1994-04-19 - 公布日： 1995-10-25 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：一种用混合技术制作X光光刻掩模的方法，涉及一种制作含有深亚微米金吸体图形的X光光刻掩模的方法，特别是涉及一种在掩模基片上制作三层结构，通过特殊设计的常规光刻掩模版的套准光刻和垂直定向刻蚀，采用常规电镀和在图形侧面覆盖金膜相结合的混合技术，制备含有深亚微米线宽的金吸收体图形的X光光刻掩模的方法。
一种混合技术制作光刻方法

[发明专利]用氦气去除浮渣-CN200980118478.1无效
发明人：艾伦·詹森 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2009-05-11 - 公布日： 2011-04-27 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明还提供了一种晶片，所述晶片上有图案化的光刻胶掩模，其中所述光刻胶掩模有图案化的光刻胶掩模特征，在所述光刻胶掩模特征的底部有浮渣。将所述浮渣从所述光刻胶掩模特征的底部去除，包括：提供一种主要包括氦气的去除浮渣气体，并使所述氦气形成等离子体，从而去除所述浮渣。
氦气去除浮渣

[发明专利]相移掩模的制作方法-CN202110839905.8在审
发明人：居碧玉;栾会倩;张丽娜;王影;王奇 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2021-07-20 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： G03F1/26 文献下载
摘要：本申请公开了一种相移掩模的制作方法，涉及半导体制造领域。该相移掩模的制作方法包括提供掩模基板；根据第一层图形设计数据，对掩模基板进行第一次图形化处理；在掩模基板表面涂布光刻胶；根据第二层图形设计数据，对光刻胶进行曝光和显影，显影后的光刻胶完全包裹划片道内需要被保留的不透光层，且划片道内需要被去除的不透光层不被光刻胶覆盖；以光刻胶为掩模，对掩模基板上的不透光层进行刻蚀；解决了目前相移掩模板的划片道内的条状缺陷的问题；达到了提高优化相移掩模的图形设计数据，提高相移掩模的良品率的效果
相移制作方法

[发明专利]在超高密度集成电路中产生对准的过孔的方法-CN201811116294.9在审
发明人：常润滋;佘敏 -专利权人：马维尔国际贸易有限公司
申请日： 2018-09-25 - 公布日： 2019-04-02 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：该方法包括：形成堆叠的电介质层、加帽层、硬掩模层以及第一膜层和第一光刻胶层；图案化第一光刻胶层以提供金属线掩模；基于图案化的第一光刻胶层蚀刻硬掩模层，以形成金属线掩模；灰化第一光刻胶层和第一膜层；在硬掩模层上形成第二膜层和第二光刻胶层；图案化第二光刻胶层以跨金属线掩模的相对侧形成过孔掩模；基于图案化的第二光刻胶层蚀刻第二膜层和加帽层；灰化第二光刻胶层和第二膜层；基于硬掩模层的图案蚀刻电介质层和加帽层，以提供过孔区域和金属线区域；蚀刻硬掩模层和加帽层
光刻胶层硬掩模层金属线图案化加帽蚀刻膜层掩模金属线区域第一膜层电介质层孔区域灰化对准超高密度集成电路双镶嵌工艺过孔掩模图案蚀刻堆叠集成电路

[发明专利]环型磁性随机存取存储器单元结构的制造方法-CN201410071631.2有效
发明人：张永兴;王灵玲;张宏 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2014-02-28 - 公布日： 2017-09-22 - 主分类号： H01L43/12 文献下载
摘要：本发明提供一种环型MRAM单元结构的制造方法，包括提供衬底，在衬底上依次淀积下电极层、MTJ薄膜、上电极层和硬掩模层；在硬掩模层上旋涂对光线强度敏感的双重显影技术专用的光刻胶层；提供针对环形MTJ而专门设计的掩模版，对光刻胶层作曝光；用正性水成显影液对光刻胶层作初次显影，留下被掩模版遮挡的正下方处的柱状光刻胶层；用负性有机显影液对留下的光刻胶层作再次显影，去除柱状光刻胶层中靠近中心的部分，留下靠外侧的部分，形成筒状光刻胶层；以光刻胶层为掩模，刻蚀下方的硬掩模层；以硬掩模层为掩模，依次刻蚀下方的上电极层和MTJ薄膜，形成环型的MTJ。本发明使用专门设计的掩模版并结合双重显影工艺实现了制造小尺寸环型MRAM单元结构。
磁性随机存取存储器单元结构制造方法

[发明专利]集成电路制造方法及其制造系统-CN201810939965.5在审
发明人：黄旭霆;周自翔;刘如淦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-08-17 - 公布日： 2019-04-05 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本公开提供一种集成电路制造方法，包括建立一掩模模型以及一复合光刻计算(compound lithography computational,CLC)模型，上述掩模模型用以模拟一掩模图像，上述复合光刻计算模型用以模拟一晶圆图案；使用一测量的掩模图像校正上述掩模模型；使用一测量的晶圆数据及校正后的上述掩模模型校正上述复合光刻计算模型；以及使用校正后的上述复合光刻计算模型对一集成电路图案执行一光学邻近校正(OPC)程序，从而产生用于掩模工艺的一掩模图案
复合光掩模计算模型校正集成电路制造掩模图像测量光学邻近校正集成电路图案晶圆图案模型校正掩模工艺掩模图案制造系统晶圆

[发明专利]具有嵌入式清洗模块的光刻系统-CN201410084248.0在审
发明人：简上杰;陈政宏;吴瑞庆;陈家桢;谢弘璋;吕启纶;余家豪;张世明;严涛南 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2014-03-07 - 公布日： 2014-09-17 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种光刻系统。该光刻系统包括配置为使用固定在掩模台上的掩模实施光刻曝光工艺的曝光模块；以及集成在曝光模块中并且设计为使用吸附机构清洗掩模和掩模台中的至少一个的清洗模块。本发明还提供了具有嵌入式清洗模块的光刻系统。
具有嵌入式清洗模块光刻系统

[发明专利]具有嵌入式清洗模块的光刻系统-CN201811222288.1在审
发明人：简上杰;陈政宏;吴瑞庆;陈家桢;谢弘璋;吕启纶;余家豪;张世明;严涛南 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2014-03-07 - 公布日： 2019-02-22 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种光刻系统。该光刻系统包括配置为使用固定在掩模台上的掩模实施光刻曝光工艺的曝光模块；以及集成在曝光模块中并且设计为使用吸附机构清洗掩模和掩模台中的至少一个的清洗模块。本发明还提供了具有嵌入式清洗模块的光刻系统。
光刻系统清洗模块曝光模块嵌入式掩模光刻曝光清洗掩模吸附机构掩模台配置

[发明专利]在浸没式平版印刷术中防止图案倒塌的等离子体表面处理-CN200810171681.2无效
发明人：金义勇;迪内士·帕德希;戴辉尚;梅休尔·B·内克;马丁·杰·西蒙斯;金柏涵 -专利权人：应用材料股份有限公司
申请日： 2008-10-23 - 公布日： 2009-05-13 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明包括一种当在浸没式显影之后干燥光刻胶掩模时减少光刻胶掩模倒塌的方法。由于特征尺寸持续缩小，用于冲洗光刻胶掩模的水的毛细作用力接近大于光刻胶对ARC的粘附力的点。当毛细作用力超过粘附力时，由于当水变干时水将相邻特征拉向彼此，掩模特征可能倒塌。通过在沉积光刻胶之前在ARC之上沉积密封氧化物层，粘附力可超过毛细作用力并且光刻胶掩模的特征可不会倒塌。
浸没平版印刷术防止图案倒塌等离子体表面处理

[发明专利]一种掩模参数的优化方法及装置-CN201810967757.6在审
发明人：何建芳;韦亚一;董立松;赵利俊 -专利权人：中国科学院微电子研究所;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2018-08-23 - 公布日： 2018-11-30 - 主分类号： G03F1/38 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种掩模参数的优化方法及装置中，通过获取测试图形、初始光源参数和初始掩模三维参数，其中初始掩模三维参数包括初始掩模厚度和初始掩模侧壁角，根据初始掩模三维参数，可以获取多组可行掩模三维参数，其中可行掩模三维参数包括可行掩模厚度和可行掩模侧壁角，基于测试图形和初始光源参数，得到每组可行掩模三维参数对应的可行光刻工艺窗口，将可行光刻工艺窗口作为衡量参考，其中，可行光刻工艺窗口最大值对应的可行掩模三维参数即可认为是本次优化的最优掩模三维参数本申请实施例中，对初始掩模三维参数以及初始光源参数进行了优化，可以获得更高的光刻分辨率，因此得到更大的光刻工艺窗口和更好的曝光分辨率。
三维初始掩模掩模光刻工艺窗口光源参数测试图形掩模参数侧壁角优化光刻分辨率曝光分辨率最优掩模申请参考衡量

[发明专利]降低电子束光刻时光刻胶粗糙度的方法-CN201210353546.6有效
发明人：孟令款;贺晓彬;李春龙 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2012-09-20 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种降低电子束光刻时光刻胶粗糙度的方法，包括：在衬底上形成结构材料层和第一硬掩模层；在第一硬掩模层上形成第二硬掩模层；在第二硬掩模层上形成电子束光刻胶图形；以电子束光刻胶图形为掩模，刻蚀第二硬掩模层形成第二硬掩模图形；以第二硬掩模图形为掩模，刻蚀第一硬掩模层形成第一硬掩模图形；以第一和第二硬掩模图形为掩模，刻蚀结构材料层，形成所需要的线条。依照本发明的方法，采用材质不同的多层硬掩模层并且多次刻蚀，防止了电子束光刻胶侧壁粗糙度传递到下层的结构材料层，有效降低了线条的粗糙度，提高了工艺的稳定性，降低了器件性能的波动变化。
降低电子束光刻时光粗糙方法

[发明专利]光刻胶图形的形成方法-CN202310333516.7在审
发明人：王梦知 -专利权人：上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司
申请日： 2023-03-31 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： G03F7/16 文献下载
摘要：本发明提供了一种光刻胶图形的形成方法，包括：提供半导体衬底和掩模版，掩模版具有若干凸起的掩模图形；将半导体衬底与掩模版具有掩模图形的一面贴合以形成若干间隙，且将半导体衬底与掩模版置于盛有光刻胶的容器中；执行超声波传导工艺，将超声波传导至容器以使光刻胶均匀填充于间隙中；以及，执行固化工艺，以固化间隙中的光刻胶形成若干光刻胶图形。本发明能够避免旋涂光刻胶的过程中出现旋涂不均的现象或空洞的产生；且无需额外的刻蚀工艺形成光刻胶图形，以简化制备工艺。
光刻图形形成方法

[发明专利]一种光刻方法-CN201010612960.5有效
发明人：单朝杰;胡华勇 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2010-12-29 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明提供的一种光刻方法，包括：提供测试晶圆；使用设计掩模版对所述测试晶圆进行光刻工艺，在测试晶圆表面形成光刻胶图形；检测所述光刻胶图形，查找发生图形坍塌的区域；根据所述光刻胶图形的坍塌区域，制作修正掩模版，所述修正掩模版具有开口，所述开口与所述图形坍塌区域相对应；提供产品晶圆；分别使用所述修正掩模版以及设计掩模版对产品晶圆进行曝光，在产品晶圆表面形成光刻胶图形。本发明通过对已发生图形坍塌的光刻胶区域进行二次曝光，使得该区域光刻胶的图形失效，从而避免了光刻胶缺陷的扩散。
一种光刻方法