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[发明专利]光学邻近修正方法-CN202210411744.7在审
发明人：罗连波;严中稳;陈巧丽 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2022-04-19 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G03F1/36 文献下载
摘要：一种光学邻近修正方法，包括：提供初始设计版图，所述初始设计版图中具有参考图形以及若干主要图形，所述参考图形具有参考边，每个所述主要图形具有若干主要边；获取搜索参数，根据所述搜索参数以所述参考边为基准确定搜索区域；当任意一个所述主要边与所述搜索区域具有重合部时，将所述主要边标记为待选边；获取筛选条件，并将符合所述筛选条件的所述待选边标记为选定边。通过所述搜索区域进行粗选操作获取若干待选边，再通过筛选条件对若干所述待选边进行进一步的细选操作，进而从若干待选边中获取最终的选定边。通过这种选边机制能够有效的排除具有干扰的所述待选边，进而减少多选或者误选，使得选边结果更加精确，提升后续光学邻近修正效果。
光学邻近修正方法

[发明专利]光学邻近修正方法-CN202210404047.9在审
发明人：严中稳;罗连波;陈巧丽 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2022-04-18 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G03F1/36 文献下载
摘要：一种光学邻近修正方法，包括：提供初始设计版图，初始设计版图中具有参考图形以及若干主要图形，参考图形具有参考边，每个主要图形具有若干主要边；以每个主要边为基准，获取第一搜索参数以确定第一搜索区域；当参考边与任意一个第一搜索区域具有重合部时，将第一搜索区域所对应的主要边标记为待选边；以参考边为基准，根据第一搜索参数获取第二搜索参数，以确定第二搜索区域；当任意一个待选边与第二搜索区域具有重合部时，将待选边标记为选定边。通过第一搜索区域和第二搜索区域的双向选边机制进行选边操作，减少多选或者误选的情况，使得选边结果更加精确，进而提升后续光学邻近修正的效果。
光学邻近修正方法

[发明专利]一种版图拆分方法、装置、计算机可读介质及设备-CN202310863720.X在审
发明人：刘思;张逸中;陈钊 -专利权人：东方晶源微电子科技（上海）有限公司
申请日： 2023-07-13 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： G03F1/36 文献下载
摘要：本发明涉及集成电路掩模拆分技术领域，特别涉及一种版图拆分方法、装置、计算机可读介质及设备。所述版图拆分方法包括以下步骤：获取初始版图，根据预设规则将初始版图划分多个初始单元；基于预设标准将初始单元分类为大单元或小单元；对大单元进行再划分处理，获得子单元；对所述小单元及子单元进行运算并输出拆分版图。通过对面积较大、图像复杂的初始版图进行多次划分，将其划分为较小的运算单元再对所述运算单元进行运算，从而可以有效提高计算资源的利用率且有效降低运算时间。
一种版图拆分方法装置计算机可读介质设备

[发明专利]拼接曝光用掩模-CN202280015916.7在审
发明人：宋政哲;吴在燮;朴民俊;曺喜载;金光熙;韩昌熹 -专利权人：韩国科学技术院
申请日： 2022-09-16 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： G03F1/36 文献下载
摘要：根据本发明一个实施方案的用于形成线和空间图案的方法包括：在基板上沿第一方向和第二方向曝光掩模并且拼接所述掩模。用于形成线和空间图案的方法包括以下步骤：在所述基板上进行第一曝光，使得所述掩模的第一拍摄在所述第一方向上彼此接触；和在所述基板上进行第二曝光，使得所述掩模的第二拍摄彼此接触，从而在所述第二方向上与所述第一拍摄间隔开并且在所述第一方向上相对于所述第一拍摄偏移。
拼接曝光用掩模

[发明专利]图形修正方法及系统、光掩模版的制备方法-CN202310937634.9有效
发明人：赵广;罗招龙;杜远远 -专利权人：合肥晶合集成电路股份有限公司
申请日： 2023-07-28 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： G03F1/36 文献下载
摘要：本申请涉及一种图形修正方法及系统、光掩模版的制备方法。图形修正方法包括：获取设计图形，设计图形包括多个间隔排布的待修正图形；对设计图形进行光学临近修正，以得到多个间隔排布的初始修正图形；获取初始修正图形中违反掩模版最小规则的修正区域，并将修正区域去除；基于修正区域于初始修正图形的侧边设置条状图形；将条状图形与初始修正图形合并，以得到目标图形。本申请的图形修正方法，可以提高图形的收敛度和准确度，保证光刻的准确性，进一步保证了产品的性能。
图形修正方法系统模版制备

[发明专利]一种光学临近效应的修正方法、修正装置及掩模-CN201911039992.8有效
发明人：马乐;韦亚一;张利斌;陈睿 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2019-10-29 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： G03F1/36 文献下载
摘要：本发明提供一种光学临近效应的修正方法，包括：获得测试图形；基于测试图形的掩模进行曝光，获得曝光数据；基于测试图形的数据和曝光数据的对应关系建立OPC第一规则库；确定待修正版图的关键区域，并获得关键区域的图形特征参数；根据关键区域的图形特征参数对OPC第一规则库进行筛选，得到OPC第二规则库；基于OPC第二规则库修正待修正版图，得到修正后版图，基于修正后版图制作用于曝光的掩模。本发明还提供一种光学临近效应的修正装置。根据关键区域的图形特征参数对OPC第一规则库进行筛选，降低规则库中的规则数量，缩短修正的运行时间。本发明还提供一种利用上述修正方法形成的掩模，提高了曝光后图形的保真度。
一种光学临近效应修正方法装置

[发明专利]应用矩阵积分法优化光刻部分相干模型的方法-CN202310749886.9在审
发明人：柯顺魁 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2023-06-21 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： G03F1/36 文献下载
摘要：本申请提供一种应用矩阵积分法优化光刻部分相干模型的方法，包括：步骤S1，部分相干光光刻成像理论模型的构建；步骤S2，部分相干光光刻成像模型的实现；步骤S3，积分法转换优化光刻部分相干成像算法。用矩阵积分法将计算光刻部分相干成像需要的四层循环转换成两层循环；或者，用矩阵积分法将等效光源的两层循环变成矩阵运算，然后将非相干叠加的两层循环采用并行算法，既缩短了光照修正的周期，也节省了光罩出版的交货期。
应用矩阵积分优化光刻部分相干模型方法

[发明专利]光学临近效应矫正方法及装置、可读存储介质、终端-CN202311156177.6在审
发明人：请求不公布姓名 -专利权人：全芯智造技术有限公司
申请日： 2023-09-07 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： G03F1/36 文献下载
摘要：一种光学临近效应矫正方法及装置、可读存储介质、终端，所述方法包括：步骤A：对待修正版图中的各个待修正图形进行分割，每个待修正图形的每条边被分割为一条或多条线段，每条线段具有至少一个控制点；步骤B：对所述待修正版图进行光刻模型仿真，根据仿真结果确定至少一部分控制点的光强误差；步骤C：基于所述光强误差和预设光强阈值，确定至少一部分光强误差对应的控制点的近似零点，并判断该控制点是否处于震荡状态，以确定该控制点的移动偏移量。本发明可以有效提高光学临近效应矫正的矫正效果。
光学临近效应矫正方法装置可读存储介质终端

[发明专利]光学邻近修正模型的校正方法-CN201910527584.0有效
发明人：杜杳隽 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2019-06-18 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： G03F1/36 文献下载
摘要：一种光学邻近修正模型的校正方法，包括：提供具有待测量图形的原始版图；确定待测量图形的待测量位置；通过原始版图获得形成于物理晶圆上的物理晶圆图形；获取待测量位置对应在物理晶圆图形上的关键尺寸为第一尺寸；执行检测工艺，包括：采用OPC模型对原始版图进行模拟，获得模拟图形；根据待测量位置在模拟图形上选定第一待测量区域，并采集第一待测量区域中的多个关键尺寸的量测数据；根据多个关键尺寸的量测数据和第一尺寸类型，获取待测量位置对应在模拟图形上的关键尺寸为第二尺寸；根据第二尺寸和第一尺寸，判断误差函数值的收敛性是否满足光学邻近修正的要求；当未满足要求时，校正OPC模型，并返回执行检测工艺的步骤。本发明提高OPC精准度。
光学邻近修正模型校正方法

[发明专利]一种基于OPC模型的无掩模光刻优化方法-CN202110709880.X有效
发明人：彭飞;桂成群;宋毅;薛兆丰 -专利权人：矽万（上海）半导体科技有限公司;武汉大学
申请日： 2021-06-25 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： G03F1/36 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于OPC模型的无掩模光刻优化方法，包括如下步骤：步骤S1、根据光刻胶曝光数据以及光刻胶化学反应函数获得优化的光刻胶函数模型；步骤S2、根据光刻机参数、目标图案以及所述光刻胶函数模型，构建自适应成像模型；步骤S3、将所述目标图案的数值作为晶圆电路板图的像素化数值，来构建第一代价函数和约束条件，并根据所述约束条件对所述目标图案的曝光剂量分布数值进行更新；以及步骤S4、将反向曝光能量分布的数值作为曝光能量分布数值，来构建第二代价函数和约束条件，并根据所述约束条件对所述目标图案的曝光剂量分布数值进行进一步更新。本发明的优化方法计算量小、设置简单以及可根据需要对全局曝光点进行并行优化。
一种基于 opc 模型无掩模光刻优化方法

[发明专利]基于循环一致对抗网络的掩模生成方法、装置及存储介质-CN202310682439.6在审
发明人：卓嘉祥;许东勇;沈逸江 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2023-06-09 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： G03F1/36 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种基于循环一致对抗网络的掩模生成方法、装置及存储介质，包括：利用至少1个映射矩阵表示掩模近场；选定对所述掩模近场成像图案有贡献的近场，并根据所述映射矩阵获取所述掩模近场实部数据阵列与虚部数据阵列；构造循环网络的生成器架构和鉴别器架构，得到对抗性循环网络；根据所述循环网络由所述掩模通过正向和反向各自生成掩模近场成像图案的目标函数；将循环一致性损失作为约束条件，通过循环对抗的方式训练所述循环网络，将掩码映射到对应的掩模近场，生成掩模。本发明所述的方法，在取得更快的掩模近场计算速度时，也具有更低的损失函数值，能够通过一个分割方法，直接输入掩模近场就可以得到一个掩模图案。
基于循环一致对抗网络生成方法装置存储介质

[发明专利]光掩模图案修正的方法-CN201911260194.8有效
发明人：梁时元;刘智龙;权炳仁 -专利权人：夏泰鑫半导体（青岛）有限公司
申请日： 2019-12-10 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： G03F1/36 文献下载
摘要：本发明提供一种用于制造一半导体器件的一光掩模的一设计图案的修正方法。所述修正方法包含提供所述光掩模的一基板，构建出被设计以在所述基板上形成一第一接触图案的所述光掩模的一第一掩模图案，所述第一掩模图案包含具有一孔尺寸的多个掩模孔，沿着一水平方向扩大所述多个掩模孔的所述孔尺寸，并旋转所述多个掩模孔，来调整所述第一掩模图案，以构建出被设计以形成具有多个接触孔的一第二接触图案的所述光掩模的一第二掩模图案；确认所述多个接触孔之间的多个器件间隙；以及确认所述第二接触图案与所述半导体器件中的一邻近图案之间的一套刻余量，以确定所述光掩模的所述设计图案。
光掩模图案修正方法

[发明专利]OPC中修正不对称图形的方法-CN202310944632.2在审
发明人：胡瑶;葛同广 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2023-07-28 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： G03F1/36 文献下载
摘要：本发明提供一种OPC中修正不对称图形的方法，提供具有多个器件区的版图，之后划分出每个所述器件区的标记区；选择出与多个所述器件区接触的图形，每个所述器件区对应有不同的光学邻近修正，定义该处为第一标记区；对第一标记区中的图形分别进行与其接触的每个所述器件区对应的光学邻近修正，得到用于光罩的第一修正后图形；定义所述修正后图形与所述第一标记区中图形相重合的区域为第二标记区，之后对所述第二标记区中的图形分别进行与其接触的每个所述器件区对应的光学邻近修正，得到不同的用于光罩的第二修正后图形。本发明解决了处于不同器件区之间图形两边补偿值不同的问题，增大了处于不同器件区边缘的图形工艺窗口。
opc 修正不对称图形方法

[发明专利]光学邻近效应修正方法、系统、掩膜版及可读存储介质-CN202310943906.6在审
发明人：周梦涛 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2023-07-28 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： G03F1/36 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种光学邻近效应修正方法、系统、掩膜版及可读存储介质，方法包括：选取不同类型以及不同间距下的显影图形；收集各显影图形在不同工艺窗口下的第一位置和第二位置，其中，第一位置为不考虑光刻胶折射时的成像位置，第二位置为考虑光刻胶折射时的成像位置；建立第一位置和第二位置的拟合曲线；根据拟合曲线和光掩膜图形，选取最优的第一位置和第二位置建立光学模型；根据光学模型对光掩膜图形进行光学邻近效应修正。通过找出是否考虑光刻胶折射时的两个成像位置的对应关系来建立合理的光学模型，以便于实现对显影图形的光学邻近效应修正，从而提高显影图形的质量。
光学邻近效应修正方法系统掩膜版可读存储介质

[发明专利]光罩版图信息检查的方法-CN202310944947.7在审
发明人：苏耀;陈翰;魏芳 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2023-07-28 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： G03F1/36 文献下载
摘要：本发明提供一种光罩版图信息检查的方法，获取光罩的生产级电子束曝光系统文件以及光罩上的原始版图文件；根据生产级电子束曝光系统文件和原始版图文件分别获取尺寸大小、形状相适配的待测试图形和基准图形；利用待测试图形与基准图形对比，获取待测试图形中包括每个OPC测试图形的第一最小测量区域、包括每个OPC特征图形的第二最小测量区域，以及待测试图形中每个芯片的位置坐标；对比第一最小测量区域中的OPC测试图形是否匹配，对比第二最小测量区域中OPC特征图形与基准图形是否匹配，对比芯片的位置坐标与原始版图文件是否匹配，之后输出检查结果。本发明可缩短99％以上在光罩版图信息检查自动化检查系统的运行时间。
版图信息检查方法

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