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[发明专利]相移光掩模制作方法-CN201210352942.7无效
发明人：毛智彪 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2012-09-19 - 公布日： 2012-12-19 - 主分类号： G03F1/26 文献下载
摘要：本发明提供了一种相移光掩模制作方法。在含有可成形硬膜的第一光刻胶的相移光掩模基板上，通过第一光刻在第一光刻胶中形成第一版图图形结构；在第一光刻胶上涂布固化材料以固化第一光刻胶中第一版图图形的结构，加热使固化材料与第一光刻胶表面反应以形成不溶于第二光刻胶的隔离膜，用显影液去除多余的固化材料；在固化后的第一光刻胶上涂布第二光刻胶；进行第二光刻从而在第二光刻胶膜中形成第二版图图形的结构；通过刻蚀将光刻胶中的第一版图图形和第二版图图形分别转移到部分透光的硅化鉬薄膜和不透光的铬薄膜中,完成相移光掩模制作。本工艺减少了制作相移光掩模工艺中的刻蚀步骤，可以有效地提高产能和减少制作成本。
相移光掩模制作方法

[发明专利]基于水平集算法的超分辨光刻逆向光学邻近效应修正方法-CN202111594444.9有效
发明人：罗先刚;孔维杰;刘相志;尹格;王长涛 -专利权人：中国科学院光电技术研究所
申请日： 2021-12-23 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： G03F1/36 文献下载
摘要：本公开提供一种基于水平集算法的超分辨光刻逆向光学邻近效应修正方法，包括：根据目标图形得到第一掩模数据，并构建水平集函数；进行正向仿真，得到光刻胶上的电场分布、掩模上的第一结构矢量电场分布；根据光刻胶上的电场分布得到光刻胶图形，计算光刻胶图形与目标图形的成像误差；进行伴随仿真，得到第二结构矢量电场分布；根据第一结构矢量电场分布、第二结构矢量电场分布及成像误差计算得到水平集梯度；使用水平集梯度对水平集函数进行演化，并更新得到第二掩模数据，使用第二掩模数据进行迭代计算，直至获得满足预设条件的掩模数据，完成逆向光学邻近效应的修正。本公开还提供一种表面等离激元超分辨的光刻方法、逆向光学邻近效应修正系统。
基于水平算法分辨光刻逆向光学邻近效应修正方法

[发明专利]一种光掩模边缘和侧面光刻胶的去除装置及方法-CN202010741764.1有效
发明人：徐飞;邬治国;沈健 -专利权人：常州瑞择微电子科技有限公司
申请日： 2020-07-29 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： G03F7/16 文献下载
摘要：本发明公开一种光掩模边缘和侧面光刻胶的去除装置及方法，涉及光掩模技术领域，包括依次设置于光掩模边缘的第一喷头和第二喷头，第一喷头和第二喷头沿光掩模边缘线性移动；第一喷头上设置有第一去胶溶剂喷嘴和第一真空吸入口，第一去胶溶剂喷嘴垂直设置于光掩模的侧面上部，第一真空吸入口垂直设置于光掩模的背面边缘；第二去胶溶剂喷嘴垂直设置于光掩模的正面边缘，第二真空吸入口垂直设置于光掩模的侧面；第一去胶溶剂喷嘴和第二去胶溶剂喷嘴均通过进液管连接有供液组件本发明同时清洗光掩模侧面残留光刻胶和边缘光刻胶，且在清洗过程中不会影响到其他区域的光刻胶。
一种光掩模边缘侧面光刻去除装置方法

[发明专利]沉积掩模和制造沉积掩模的方法-CN201610461420.9在审
发明人：姜勋;甘范修;张宗燮;全祐奭 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2016-06-23 - 公布日： 2017-03-22 - 主分类号： C23C14/04 文献下载
摘要：公开了沉积掩模和制造沉积掩模的方法。该方法包括在基构件上形成光刻胶图案，该光刻胶图案具有多个倒锥形光学图案和由光学图案限定的光学开口；在光学开口中以及在光学图案上形成掩模材料层；移除光学图案和形成在光学图案上的掩模材料层，留下形成在光学开口中的掩模材料层
沉积制造方法

[发明专利]掩模板及利用掩模板进行光刻和测量步进精度的方法-CN201310476007.6有效
发明人：潘光燃;王焜;石金成;高振杰;文燕 -专利权人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2013-10-12 - 公布日： 2018-08-07 - 主分类号： G03F1/44 文献下载
摘要：本发明公开了一种掩模板及利用掩模板进行光刻和测量步进精度的方法，用以解决现有技术中存在的测量步进精度过程复杂的问题。该掩模板包括：位于矩形曝光区域内、用于使光刻胶在经过光刻后被保留的第一步进精度测量图案和第三步进精度测量图案，以及位于矩形曝光区域内、用于使光刻胶在经过光刻后被刻蚀的第二步进精度测量图案和第四步进精度测量图案
步进掩模板精度测量光刻图案矩形曝光区域测量光刻胶刻蚀保留

[发明专利]使用光掩模制造半导体器件的方法-CN202210338407.X在审
发明人：张仲豪;陈明威;马艾杰;陈庆跃 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-04-01 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本申请涉及使用光掩模制造半导体器件的方法。在制造半导体器件的方法中，在EUV扫描仪中，对形成在半导体衬底上方的光致抗蚀剂层执行使用EUV掩模的EUV光刻操作。在EUV光刻操作之后，从EUV扫描仪的掩模台卸载EUV掩模。EUV掩模被置于低于大气压的减压下。在该减压下以100℃至350℃的范围内的第一温度加热EUV掩模。在加热之后，EUV掩模被储存在掩模储料器中。
使用光掩模制造半导体器件方法

[发明专利]减少立体图形光刻失真的光刻方法-CN202111613795.X在审
发明人：刘涛;王诗男;龚燕飞;邰立;吴俊 -专利权人：上海新微技术研发中心有限公司
申请日： 2021-12-27 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： G03F1/46 文献下载
摘要：本发明提供一种减少立体图形光刻失真的光刻方法，包括：1)提供一基底，基底的表面具有凹台结构；2)于基底表面、凹台结构的侧壁和底部形成光刻胶层；3)提供一光掩模，光掩模包括透光基底和掩膜图形层，在掩膜图形层上形成抗反射层；4)基于光掩模对光刻胶层进行曝光处理，掩膜图形层至少遮挡凹台结构底部的部分光刻胶层，且至少显露凹台结构侧壁的部分光刻胶层；5)对光刻胶层进行显影处理。本发明可以有效解决立体图形在接触式曝光时光掩膜界面反射光的问题，从而使得光刻图形得到保真。
减少立体图形光刻失真方法

[发明专利]一种薄膜铌酸锂光子器件的制备方法-CN202310477875.X在审
发明人：黄庆忠;李宏伟;曾德圣;孙军强 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2023-04-28 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：包括：在薄膜铌酸锂表面旋涂光刻胶，使用光刻机进行曝光并显影；通过电子束蒸发或磁控溅射工艺先后沉积形成一层钛膜和一层铬膜；湿法去除光刻胶，剥离得到由钛与铬构成的金属硬掩模；借助干法刻蚀，去除掩模未遮蔽区域的铌酸锂材料；湿法腐蚀金属掩模。本发明的硬掩模采用了钛与铬的双层薄膜结构，可以有效避免铬掩模碎裂的情况，同时，在器件图形密集区可以实现更好的剥离效果，有效避免剥离过程中掩模碎屑对掩模结构的损伤，提升刻蚀掩模的质量，改善光子器件性能。
一种薄膜铌酸锂光子器件制备方法

[发明专利]电子束光刻方法-CN201210357243.1在审
发明人：贺晓彬;孟令款;丁明正;刘艳松 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2012-09-21 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种电子束光刻方法，包括：在结构材料层上形成硬掩模层；在硬掩模层上形成电子束光刻胶；采用电子束曝光系统，对电子束光刻胶进行曝光，其中通过增加曝光剂量来提高电子束光刻胶的抗刻蚀性；采用显影液对曝光后的电子束光刻胶显影，形成电子束光刻胶图形；以电子束光刻胶图形为掩模，各向异性刻蚀硬掩模层和结构材料层，形成所需的精细线条。依照本发明的电子束光刻方法，在保证高宽比不变的情况下通过改变工艺条件来提高电子束胶的抗刻蚀性能，防止电子束胶被完全损失，由此提高了线条的精度、改进了最终器件的性能。
电子束光刻方法

[发明专利]头对头图形的制备方法-CN201911398950.3有效
发明人：李艳丽;杨渝书;伍强 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2019-12-30 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：本发明提供了一种头对头图形的制备方法，包括：提供一衬底，并在衬底上形成有待刻蚀层、第一硬掩模层、第二硬掩模层、牺牲层、第一介质层以及光刻胶层，经过EUV光刻，形成具有第一头对头图形的图形化的第一光刻胶层，并通过刻蚀工艺，将所述第一头对头图形转移至第二硬掩模层；然后通过再次EUV光刻形成具有第二头对头图形的图形化的第二光刻胶图形，并通过刻蚀工艺，将所述第二头对头图形也转移至第二硬掩模层；最后，将所述第一头对头图形和第二头对头图形转移到待刻蚀层上上述方法只需要两次光刻曝光，就可形成周期减半且尺寸很小的头对头图形，即通过EUV光刻和刻蚀工艺达到节省光刻层次并能实现得到周期减半，且尺寸很小的头对头图形。
对头图形制备方法

[发明专利]一种掩模版组及应用该掩模版组的曝光设备-CN202310610593.2在审
发明人：请求不公布姓名 -专利权人：深圳智达星空科技（集团）有限公司;智慧星空（上海）工程技术有限公司
申请日： 2023-05-29 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： G03F1/38 文献下载
摘要：本申请提供一种掩模版组及应用该掩模版组的曝光设备，应用于半导体和泛半导体制备技术领域，该掩模版组通过在工作掩模版和工作光源之间设置防护掩模版，并在工作掩模版和/或防护掩模版上设置透明加热系统，可显著减少到达工作掩模版的无效光刻能量，防止掩模版热膨胀造成的光刻图案畸变；并可尽快达到掩模版的热平衡，保持掩模版温度稳定，提升工艺稳定性，减少准备时间，提高生产效率、降低次品率，具有极高的市场应用前景。
一种模版应用曝光设备

[发明专利]一种分辨率可调的浸没式表面等离激元干涉光刻方法-CN201811606317.4在审
发明人：董建杰;张卫平 -专利权人：广西大学
申请日： 2018-12-25 - 公布日： 2019-03-29 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种分辨率可调的浸没式表面等离激元干涉光刻方法。其步骤为：(1)在玻璃平板表面制作铝掩模板；(2)在铝掩模板上旋涂一层聚甲基丙烯酸甲(PMMA)；(3)静置步骤(2)中的PMMA至其完全固化；(4)在PMMA表面镀一层附加介质薄膜；(5)在附加介质薄膜表面再镀一层附加铝薄膜；(6)在光刻胶基底上镀一层铝薄膜；(7)在光刻胶基底的铝薄膜表面旋涂一层光刻胶；(8)在光刻胶表面滴上浸没液体；(9)将带有附加薄膜的铝掩模板放置到光刻胶表面上方，让浸没液体将铝掩模板的附加铝薄膜和光刻胶连接在一起；(10)用单色平行光垂直照射掩模板，完成曝光；(11)对光刻胶进行显影，得到光刻图形。
掩模板光刻胶铝薄膜浸没液体基底表面等离激元光刻胶表面纳米线阵列光栅干涉光刻介质薄膜浸没式可调的分辨率制作聚甲基丙烯酸甲单色平行光玻璃平板垂直照射光刻图形完全固化照明波长表面镀上旋显影旋涂薄膜曝光

[发明专利]基于亚分辨率辅助图形种子插入的曲线型逆向光刻方法-CN202110799532.6在审
发明人：陈国栋;李思坤;王向朝 -专利权人：中国科学院上海光学精密机械研究所
申请日： 2021-07-15 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： G03F1/38 文献下载
摘要：基于亚分辨率辅助图形种子插入的曲线型逆向光刻方法。所述方法采用像素表征掩模图形，掩模图形中每个像素代表该位置的透过率。将背景区域中插入亚分辨率辅助图形种子的目标图形作为初始掩模图形，以不同曝光剂量偏差和离焦量条件下光刻胶图形与目标图形之间的图形误差的加权和作为评价函数，借助优化算法实现掩模优化。直接根据目标图形插入亚分辨率辅助图形种子操作简单，不受光刻工艺条件和光刻成像模型的约束，提高了逆向光刻的收敛效率和掩模优化性能。
基于分辨率辅助图形种子插入曲线逆向光刻方法

[发明专利]一种柔性制作多焦点微透镜阵列结构的方法-CN202210458849.8在审
发明人：黄胜洲;谢芳琳;孙家乐;蒋铖玮;王雷;李懿;武晨旭 -专利权人：安徽工程大学
申请日： 2022-04-25 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： G02B3/00 文献下载
摘要：本发明涉及光学成像领域，具体是一种柔性制作多焦点微透镜阵列结构的方法，步骤如下：制作三种数字掩模版；在衬底上旋涂一层负性光刻胶，用一号掩模版进行第一次无掩模曝光，曝光显影得到初步的结构；在第一层光刻胶上旋涂第二层光刻胶，基于二号掩模版进行第二次曝光显影；在第二层光刻胶上选图第三层光刻胶，基于三号掩模版进行第三次曝光显影，得到具有三种不同厚度的多层微柱结构；对多层微柱结构进行热回流工艺处理，封装热回流后的球面微透镜得到多焦点微透镜阵列结构
一种柔性制作焦点透镜阵列结构方法

[发明专利]步进式重复曝光光刻机的掩模板工件台及曝光工艺-CN201210335253.5无效
发明人：朱骏;张旭昇 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2012-09-11 - 公布日： 2012-11-28 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明属于半导体制造技术领域，首先提出了一种步进式重复曝光光刻机的掩模板工件台，包括用于放置掩模板的固定平台，所述掩模板上具有实际图形区域。所述固定平台相对于光刻机本体之间设置有X轴移动装置以Y轴移动装置，所述X轴与Y轴延伸方向均平行于掩模板，且X轴与Y轴相互垂直。采用上述特征的掩模板工作台，在进行曝光工艺时，能够通过X轴移动装置和/或Y轴移动装置，使得需要曝光的实际图形区域的对角线中心与光刻机镜头中心重合，进而避免步进式重复曝光光刻机的光学镜头局部受热不均匀的问题，从而能够改善光刻机的套准精度表现。
步进重复曝光光刻模板工件工艺