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[发明专利]掩模及其配置方法、光刻系统和光刻方法-CN201910617337.X在审
发明人：黄增智;夏睿;藤井光一 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2019-07-10 - 公布日： 2019-09-13 - 主分类号： G03F1/76 文献下载
摘要：本公开涉及一种掩模及其配置方法、光刻系统和光刻方法。该掩模包括：第一掩模图案和第二掩膜图案。第一掩模图案对应于通过光刻工艺将在晶圆上形成的目标图案，该第一掩模图案包括沿第一方向延伸的一个或多个第一条状图形。第二掩模图案包括沿与第一方向成角度的第二方向延伸的一个或多个第二条状图形，并且第二掩模图案对应于通过光刻工艺将在晶圆上形成的冗余图案。
掩模图案掩模方向延伸光刻工艺光刻系统条状图形光刻晶圆目标图案冗余图案掩膜图案配置

[发明专利]通过二次曝光解决连接孔钨栓粘合层剥落缺陷的方法-CN201410217928.5在审
发明人：范荣伟;王恺;龙吟;顾晓芳;陈宏璘 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2014-05-21 - 公布日： 2014-08-06 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供了一种通过二次曝光解决连接孔钨栓粘合层剥落缺陷的方法，在连接孔钨栓形成工艺中执行下述步骤：设计用于对整个晶圆进行预曝光光刻的光刻掩模版，所述光刻掩模版的形状为圆形，所述光刻掩模版的直径小于所述晶圆的直径；在对所述晶圆的有源区抗反射涂层洗边之后，以使得所述光刻掩模版的圆心对齐所述晶圆的圆心的方式将所述光刻掩模版布置在所述晶圆上，从而利用所述光刻掩模版对所述晶圆进行预曝光工艺以去除所述晶圆暴露区的光阻残留；在去除光阻残留后进行光刻工艺。
通过二次曝光解决连接孔钨栓粘合剥落缺陷方法

[发明专利]凸面双闪耀光栅制备方法、装置及凸面双闪耀光栅-CN202011186785.8在审
发明人：郭培亮;李莹;李坤;张玉良;杨海涛;赵东峰 -专利权人：歌尔股份有限公司
申请日： 2020-10-29 - 公布日： 2021-02-05 - 主分类号： G02B5/18 文献下载
摘要：所述方法包括：通过双光束曝光法对已涂布光刻胶的凸面基底进行光刻处理，以获取光刻胶光栅，所述光刻胶光栅包括不同的预设光栅区域；根据各预设光栅区域对应的预设闪耀角获取对应预设光栅区域的同质掩模槽形；基于各预设光栅区域的同质掩模槽形，以所述光刻胶为掩模对对应的预设光栅区域进行离子束刻蚀，以获取石英掩模光栅；通过分区遮蔽方法以石英为掩模，对所述石英掩模光栅进行倾斜扫面离子束刻蚀，获得凸面双闪耀光栅。本发明通过同质掩模法制作凸面闪耀光栅，降低制作难度，提升制作速率。
凸面闪耀光栅制备方法装置

[发明专利]极紫外光刻掩模缺陷检测系统-CN201210156651.0无效
发明人：李海亮;谢常青;刘明;李冬梅;牛洁斌;史丽娜;朱效立;王子欧 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2012-05-18 - 公布日： 2013-12-04 - 主分类号： G03F1/84 文献下载
摘要：本发明公开了一种极紫外光刻掩模缺陷检测系统，该极紫外光刻掩模缺陷检测系统包括极紫外光源、极紫外光传输系统(包括多层膜平面反射镜和多层膜凹面聚光镜)、极紫外光刻掩模、样品扫描台、光子筛、CCD相机、PC机该极紫外光刻掩模缺陷检测系统利用光子筛代替传统的史瓦西透镜，实现极紫外波段对掩模的成像，从而对掩模上的缺陷进行检测。本发明利用光子筛的体积小、易加工、低成本和分辨率强的特性代替了加工难度极大、成本高昂和体积大的史瓦西透镜，实现成本较低、体积较小并且分辨率强的极紫外光刻掩模缺陷检测装置。
紫外光刻缺陷检测系统

[发明专利]极紫外光刻光源掩模优化方法-CN202011279713.8在审
发明人：张子南;李思坤;王向朝;成维;胡少博;刘珍 -专利权人：中国科学院上海光学精密机械研究所
申请日： 2020-11-16 - 公布日： 2021-02-23 - 主分类号： G03F1/76 文献下载
摘要：一种极紫外光刻光源掩模优化方法，采用像素表征光源和掩模图形，通过点脉冲修正的厚掩模成像模型计算光刻胶像，以光刻胶图形和目标图形之间的图形误差作为评价函数，采用基于社会学习机制的粒子群算法(SLPSO)优化光源分布和掩模图形本发明利用极紫外光刻厚掩模成像模型建立评价函数，提高了优化过程中成像计算的精度。另外，利用SLPSO算法有效提高了优化效率和寻优能力，提高了成像质量。
紫外光刻光源优化方法

[发明专利]提高光刻分辨率的方法-CN02111138.3无效
发明人：赵永凯;黄惠杰;任冰燕;杜龙龙;程兆谷;路敦武;杨良民 -专利权人：中国科学院上海光学精密机械研究所
申请日： 2002-03-22 - 公布日： 2002-10-23 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种提高光刻分辨率的方法,在接近或接触式光刻的掩模板上的铬膜图案中的空气间隙内和在掩模板铬膜与硅片上光刻胶层之间的空气层隙内,填充折射率大于掩模板基片折射率的透明材料。并对空气层隙内与光刻胶层相接触的透明材料层的表面进行抛光。因此进行光刻时,由于空气间隙和空气层隙内填充了折射率较大的透明材料,使得光束的折射角减小,衍射距离减小,有效地削弱了衍射效应。从而提高了光刻的分辨率。本发明的方法简单,容易操作。能够避免掩模板的表面损伤。可以对掩模板进行反复填充和多次利用。光刻的分辨率可以达到亚半微米。
提高光刻分辨率方法

[发明专利]一种掩模板的制作方法-CN201010229457.1无效
发明人：李春兰;洪志华;戴海哲;谭景霞;熊启龙;邓振玉 -专利权人：深圳清溢光电股份有限公司
申请日： 2010-07-16 - 公布日： 2010-12-15 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：本发明适用于掩模板制造技术领域，公开了一种掩模板的制作方法，是用于原材料结构为衬底层、灰阶掩模层、基础材质层及光刻胶层的掩模板的制作，所述制作方法包括以下步骤：(a)制作第一图形和第二图形，采用第一图形对光刻胶层进行第一次曝光；(b)采用第二图形对光刻胶层进行第二次曝光；(c)将光刻胶层最薄处的区域内的光刻胶去除；(d)刻蚀步骤(c)中去除光刻胶层区域处的基础材质层及灰阶掩模层；(e)将所余光刻胶层最薄处区域内的光刻胶去除；(f)刻蚀步骤(e)中去除光刻胶层区域处的基础材质层。本发明提供的一种掩模板的制作方法，可直接连续使用两组图形进行两次曝光，解决了现有技术中二次对位时偏差大的技术问题。
一种模板制作方法

[发明专利]刻蚀高深度光波导的制备工艺-CN201210296470.8有效
发明人：柏宁丰;许正英;孙小菡;蒋卫锋;刘旭;胥爱民;吴体荣 -专利权人：东南大学;南京华脉科技有限公司
申请日： 2012-08-20 - 公布日： 2013-01-09 - 主分类号： G02B6/13 文献下载
摘要：一种刻蚀高深度光波导的制备工艺，包括以下步骤：1）用沉积法，在衬底上制备掺杂的芯层，形成平板光波导；2）用光刻工艺，在步骤1）制取的平板光波导上获得与掩模版图形相反的光刻胶掩模；3）用溅射工艺，在步骤2）获取的样品表面制备金属掩模；4）清洗去除与掩模版图形相反的光刻胶掩模及金属掩模；5）用光刻工艺，在步骤4）制作的金属掩模层上，再增加与金属掩模层具有相同图形的光刻胶层，6）使用RIE设备，通入SF4、
刻蚀深度波导制备工艺

[发明专利]一种半导体器件的制造方法-CN202111228709.3在审
发明人：张利斌;韦亚一;宋桢;粟雅娟;何建芳;马乐 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2021-10-21 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种半导体器件的制造方法，在待引出结构上形成光刻涂层，光刻涂层包括第一膜层、光刻膜层和第二膜层，第一膜层和第二膜层的折射率都小于1，以便光刻涂层形成一个反射系数较高的光学结构，利用目标波长的光和掩模对光刻涂层进行曝光，待引出结构被光刻涂层进行反射，将待引出结构作为掩模成像至光刻膜层，同时将掩模的图形也成像至光刻膜层，即待引出结构和掩模的图形都成像至光刻膜层的目标区域，目标区域对应待引出结构，实现了待引出结构的图层与接触孔所在图层的自对准，只有在一次曝光过程中待引出结构和掩模的图形同时在光刻膜层成像的重叠区域才会对应待引出结构，能够提高不同的图层之间的对准精度，降低对准误差。
一种半导体器件制造方法

[发明专利]一种用于光刻机的光源掩模优化方法-CN201510097250.6有效
发明人：闫观勇;李思坤;王向朝 -专利权人：中国科学院上海光学精密机械研究所
申请日： 2015-03-05 - 公布日： 2015-06-17 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种用于光刻机的光源掩模优化方法，光源由对称的子光源组成，优化方法是梯度法。计算目标函数F对光源或掩模的梯度，包含计算目标函数F对空间像的梯度及计算空间像对光源或掩模的梯度两部分。采用使目标函数F最优的阈值进行掩模二值化。本发明适用于图形误差、光刻机工艺窗口、掩模误差增强因子等多种目标函数F，得到的对称光源保证了光刻机的远心性能，减少了掩模二值化对目标函数F的损失，有效提高了光刻成像质量。
一种用于光刻光源优化方法

[发明专利]多重图形化的光刻顺序的确定方法-CN202111242999.7有效
发明人：王嘉鸿;童宇诚;夏忠平 -专利权人：福建省晋华集成电路有限公司
申请日： 2021-10-25 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种多重图形化的光刻顺序的确定方法。该方法中，基于所获得至少两个掩膜版中掩模图形的工艺窗口的大小排布顺序，以进一步根据工艺窗口的大小排布顺序而确定出所对应的掩模版的光刻顺序。通过将工艺窗口较大的掩模图形所对应的掩模版优先执行光刻步骤，并将工艺窗口较小的掩模图形所对应的掩模版靠后执行光刻步骤，以提高最终形成的图形的良率，增大多重图形化工艺的整体工艺窗口。
多重图形光刻顺序确定方法

[发明专利]极紫外光刻厚掩模缺陷的快速仿真方法-CN201310102557.1有效
发明人：刘晓雷;李思坤;王向朝;步扬 -专利权人：中国科学院上海光学精密机械研究所
申请日： 2013-03-27 - 公布日： 2013-07-10 - 主分类号： G03F1/72 文献下载
摘要：一种极紫外光刻厚掩模缺陷的快速仿真方法，该方法将缺陷多层膜等效为无缺陷平面镜和缺陷平面镜两部分，首先通过薄掩模近似得到掩模吸收层衍射谱，相位补偿后经过缺陷多层膜反射，然后再进行相位补偿，最后通过薄掩模近似和相位补偿，得到极紫外光刻缺陷掩模衍射谱。本发明可以有效的仿真缺陷对掩模成像的影响，并提高了极紫外光刻厚掩模缺陷的仿真速度。
紫外光刻厚掩模缺陷快速仿真方法

[发明专利]微机电系统装置及其形成方法-CN201910629444.4在审
发明人：王怡人;林宏桦;谢元智 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-07-12 - 公布日： 2020-10-13 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：接着在第一电极层之上沉积硬掩模层。在硬掩模层上形成具有第一电极图案的光刻胶掩模。使用光刻胶掩模向硬掩模层中进行第一刻蚀，以将第一电极图案转移到硬掩模层。接着移除光刻胶掩模。使用硬掩模层进行第二刻蚀，以将第一电极图案转移到第一电极层，以及移除硬掩模层。
微机系统装置及其形成方法

[发明专利]极紫外光刻无缺陷掩模衍射谱快速严格仿真方法-CN201310534000.5有效
发明人：刘晓雷;李思坤;王向朝;步扬 -专利权人：中国科学院上海光学精密机械研究所
申请日： 2013-10-31 - 公布日： 2014-03-05 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：一种极紫外光刻无缺陷掩模衍射谱快速严格仿真方法，采用等效膜层法由上至下逐层计算膜层复反射系数得到整个多层膜的复反射系数，首先通过吸收层薄掩模模型计算掩模吸收层衍射谱，然后经过多层膜反射，最后再次通过吸收层薄掩模模型，得到极紫外光刻无缺陷掩模衍射谱。本发明方法可以快速准确的仿真极紫外光刻无缺陷掩模衍射谱。
紫外光刻缺陷衍射快速严格仿真方法

[发明专利]圆筒形掩模板的涂布装置和涂布方法-CN201310222164.4有效
发明人：刘洋;伍强;胡华勇 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-06-05 - 公布日： 2018-06-05 - 主分类号： G03F7/16 文献下载
摘要：一种圆筒形掩模板的涂布装置和涂布方法，所述涂布装置包括：基台；精密位移控制平台，位于基台上，精密位移控制平台在基台上沿扫描方向直线来回移动；压印模板，固定于精密位移控制平台的上表面，所述压印模板内具有凹槽；光刻胶喷头，位于压印模板上方，用于向凹槽内喷吐光刻胶；掩模板载物台，用于装载圆筒形掩模板，使圆筒形掩模板绕中心轴旋转，并能使圆筒形掩模板的表面贴合压印模板的上表面；其中，当在凹槽内喷吐满光刻胶时，圆筒形掩模板的表面贴合压印模板的上表面，精密位移控制平台沿扫描方向移动，同时圆筒形掩模板绕中心轴旋转，将凹槽内的光刻胶涂覆于圆筒形掩模板表面。该涂布装置能在圆筒形掩模板表面形成厚度均匀的光刻胶层。
圆筒形掩模板压印模板精密位移控制平台涂布装置光刻胶上表面掩模板表面表面贴合扫描方向中心轴掩模板载物台光刻胶喷头光刻胶层厚度均匀基台涂覆移动装载