[发明专利]一种MBE同质外延生长SrTiO3薄膜的方法有效
申请号: | 201110447762.2 | 申请日: | 2011-12-28 |
公开(公告)号: | CN102492985A | 公开(公告)日: | 2012-06-13 |
发明(设计)人: | 杨芳;汪志明;冯加贵;郭建东 | 申请(专利权)人: | 中国科学院物理研究所 |
主分类号: | C30B25/16 | 分类号: | C30B25/16;C30B25/20;C30B29/32 |
代理公司: | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人: | 王勇 |
地址: | 100190 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供一种MBE同质外延生长SrTiO3薄膜的方法,包括:在氧气氛中于SrTiO3衬底的(110)面上共沉积Ti和Sr,同时对样品进行反射式高能电子衍射的原位实时监测;根据反射式高能电子衍射的特征衍射条纹的图案的变化来调整Sr束流和Ti束流的比例,使SrTiO3薄膜表面的重构始终围绕SrTiO3衬底表面的重构进行转换。 | ||
搜索关键词: | 一种 mbe 同质 外延 生长 srtio sub 薄膜 方法 | ||
【主权项】:
一种MBE同质外延生长SrTiO3薄膜的方法,包括:1)在氧气氛中于SrTiO3衬底的(110)面上共沉积Ti和Sr,同时对样品进行反射式高能电子衍射的原位实时监测;2)根据反射式高能电子衍射的特征衍射条纹的图案的变化来调整Sr束流和Ti束流的比例,使SrTiO3薄膜表面的重构始终围绕SrTiO3衬底表面的重构进行转换。
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- 本发明公开了一种半导体薄膜生长设备及其生长方法,该生长设备适用于化学气相沉积工艺进行半导体薄膜的生长。所述半导体薄膜生长设备,其包括:载气装置、液态源装置、生长室、旁路以及真空系统,这些部件之间通过管道按一定的逻辑关系连结成一个整体;且每条管道可独立的打开或关闭。所述液态源装置包括多个源瓶,安装在一个惰性气体控制柜里,其中源瓶安装在恒温槽里,通过载气鼓泡法将液态源输送至生长室,并在生长室中进行化学反应合成所需半导体薄膜。所述载气直接通过主管道进入生长室,并通过打开或关闭旁路控制生长室气源,以达到控制薄膜生长以及切换过程中平衡生长室压力的目的。
- LED外延片沉积方法和LED外延片沉积设备-201210592958.5
- 林翔;梁秉文 - 光达光电设备科技(嘉兴)有限公司
- 2012-12-29 - 2013-05-08 - C30B25/16
- 本发明涉及一种LED外延片沉积方法及用于实施该方法的LED外延片沉积设备。所述LED外延片包括衬底、N型氮化III族材料层、氮化III族材料量子阱层和P型氮化III族材料层;所述LED外延片沉积方法包括:提供一反应腔,衬底被放置到反应腔中;在所述反应腔中加热所述衬底;向所述反应腔中通入包含氮气的反应腔环境气体;向所述反应腔中通入氮源气体和III族源;所述氮源气体和所述III族源在所述反应腔环境气体环境中反应并在所述衬底上沉积形成所述N型氮化III族材料层、所述氮化III族材料量子阱层和所述P型氮化III族材料层。本发明的LED外延片沉积方法能够提高LED外延片的沉积速率。
- 一种实现具有自剥离功能半导体材料生长的边缘保护方法-201210337143.2
- 徐永宽;杨丹丹;张嵩;程红娟;李晖;徐所成;张丽;王迪;兰飞飞;张政;史月增 - 中国电子科技集团公司第四十六研究所
- 2012-09-13 - 2013-05-01 - C30B25/16
- 本发明公开了一种实现具有自剥离功能半导体材料生长的边缘保护方法,所述方法包括:在半导体生长衬底上制备自剥离插入层;在具有自剥离插入层的衬底上放置全覆盖衬底边缘的边缘保护环;在具有所述边缘保护环的衬底上生长氮化物半导体材料;待生长完成后,去除所述边缘保护环,得到自支撑氮化物衬底材料。本发明提供的实现半导体材料自剥离的边缘保护方法,解决了现有技术中制备自剥离氮化物衬底时出现的边缘效应、多晶沉积等影响自支撑氮化物衬底完整性差的问题。
- 气体系统-201110409679.6
- 叶芷飞;梁秉文 - 光达光电设备科技(嘉兴)有限公司
- 2011-12-09 - 2013-05-01 - C30B25/16
- 本发明实施例提了一种气体系统,包括:设置有第一气体控制单元的第一气体管路,所述第一气体控制单元用于控制所述第一气体管路上的气体流量或气体压力;设置有第二气体控制单元的第二气体管路,所述第二气体控制单元用于控制所述第二气体管路上的气体压力;气体压力平衡控制单元,跨接于所述第一气体管路和第二气体管路之间,用于产生压力控制信号,该压力控制信号作为第二气体控制单元的输入信号,使得所述第二气体管路与所述第一气体管路的气体压力保持平衡,从而使得第一气体管路和第二气体管路的气体压力基本不会波动,使得反应腔室的源气体的浓度以及质量的稳定,提高了外延工艺的稳定性和重复性,改善了形成的外延材料层的质量。
- 一种气相外延设备进行材料生长的控制系统-201220221883.5
- 袁志鹏;刘鹏;赵红军;张茶根;张俊业;毕绿燕;张国义;童玉珍;孙永健 - 东莞市中镓半导体科技有限公司
- 2012-05-16 - 2013-02-06 - C30B25/16
- 本实用新型公开了一种气相外延设备进行材料生长的控制系统,属于半导体技术领域。本系统包括一工控机和一可编程控制器,所述工控机通过工业通信总线分别与气相外延设备的可编程控制器、气体流量计、和/或压力控制器、和/或加热器、和/或转动盘连接。设置多个温区加热器进行动态补偿衬底温度。在气动阀控制方面取消逐个控制,设置联动自动控制开关,根据各路源气的设定值,联动打开气动阀和设定MFC。在压力控制方面,增加限制蝶阀角度控制,控制范围在大于5°小于40°之间,达到压力平稳控制和保证气体一直往下流。在材料生长控制方面,除了能实现自动运行菜单外,创造实行跳步生长、无缝更新菜单和中途指定步生长。
- 化学气相淀积硅外延生长方法-201110177850.5
- 刘继全 - 上海华虹NEC电子有限公司
- 2011-06-28 - 2013-01-02 - C30B25/16
- 本发明公开了一种化学气相淀积硅外延生长方法,将基片传入工艺腔体,通入氢气净化,然后使压力控制到第一压力,使基片温度升高到第一温度,以第一流量通入氢气并持续第一时间进行烘烤;然后使基片温度降低到第二温度,将压力升高为第二压力,将向通入氢气的流量降低到第二流量并持续第二时间进行稳定,第二温度低于第一温度,第二压力高于第一压力,第二流量低于第一流量;稳定结束后通入硅源气体,进行硅外延生长;最后降低基片温度,将基片传出。本发明的化学气相淀积硅外延生长方法,能降低在具有P型重掺杂的或具有P型埋层的硅衬底上生长硅外延时的P型自掺杂程度。
- 专利分类
- 一种Nd<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-Yb<sub>2</sub>O<sub>3</sub>改性的La<sub>2</sub>Zr<sub>2</sub>O<sub>7</sub>-(Zr<sub>0.92</sub>Y<sub>0.08</sub>)O<sub>1.96</sub>复相热障涂层材料
- 无铅[(Na<sub>0.57</sub>K<sub>0.43</sub>)<sub>0.94</sub>Li<sub>0.06</sub>][(Nb<sub>0.94</sub>Sb<sub>0.06</sub>)<sub>0.95</sub>Ta<sub>0.05</sub>]O<sub>3</sub>纳米管及其制备方法
- 磁性材料HN(C<sub>2</sub>H<sub>5</sub>)<sub>3</sub>·[Co<sub>4</sub>Na<sub>3</sub>(heb)<sub>6</sub>(N<sub>3</sub>)<sub>6</sub>]及合成方法
- 磁性材料[Co<sub>2</sub>Na<sub>2</sub>(hmb)<sub>4</sub>(N<sub>3</sub>)<sub>2</sub>(CH<sub>3</sub>CN)<sub>2</sub>]·(CH<sub>3</sub>CN)<sub>2</sub> 及合成方法
- 一种Bi<sub>0.90</sub>Er<sub>0.10</sub>Fe<sub>0.96</sub>Co<sub>0.02</sub>Mn<sub>0.02</sub>O<sub>3</sub>/Mn<sub>1-x</sub>Co<sub>x</sub>Fe<sub>2</sub>O<sub>4</sub> 复合膜及其制备方法
- Bi<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-TeO<sub>2</sub>-SiO<sub>2</sub>-WO<sub>3</sub>系玻璃
- 荧光材料[Cu<sub>2</sub>Na<sub>2</sub>(mtyp)<sub>2</sub>(CH<sub>3</sub>COO)<sub>2</sub>(H<sub>2</sub>O)<sub>3</sub>]<sub>n</sub>及合成方法
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- 荧光材料(CH<sub>2</sub>NH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>ZnI<sub>4</sub>
- Li<sub>1.2</sub>Ni<sub>0.13</sub>Co<sub>0.13</sub>Mn<sub>0.54</sub>O<sub>2</sub>/Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>复合材料的制备方法