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[发明专利]提高p型III族氮化物材料空穴浓度的方法及其应用-CN202210066098.5在审
发明人：孙钱;刘建勋;黄应南;孙秀建;冯美鑫;杨辉 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2022-01-20 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高p型III族氮化物材料空穴浓度的方法及其应用。所述的方法包括：在p型III族氮化物材料生长过程中和/或生长完成后，使所述p型III族氮化物材料与卤素基活性原子和/或卤素基活性基团接触反应，以移除所述p型III族氮化物材料中的部分III族原子，从而在所述p型III族氮化物材料中产生阳离子空位；以及激活包含有所述阳离子空位的p型III族氮化物材料中的受主杂质。本发明提供的一种提高AlGaN半导体材料空穴浓度的方法，突破了传统p型AlGaN材料面临的受主型Mg原子并入效率低、自补偿效应严重等局限，可利用III族阳离子空位来大幅增加处于III族原子晶格位点的Mg受主型杂质浓度、从而显著提高p型AlGaN材料中的空穴浓度。
提高 iii 氮化物材料空穴浓度方法及其应用

[发明专利]III族氮化物半导体光电器件结构及其制备方法-CN202210012371.6在审
发明人： 冯美鑫;孙钱;刘建勋;黄应南;孙秀建;杨辉 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2022-01-04 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种III族氮化物半导体光电器件结构及其制备方法。所述光电器件结构包括沿指定方向依次设置的p型半导体层、有源区和n型半导体层所形成的外延结构以及与p型半导体层配合的p电极和与n型半导体层配合的n电极；所述外延结构中还形成有电流注入窗口；其中，所述p电极至少覆盖p型半导体层表面的第一区域且与p型半导体层形成欧姆接触，所述第一区域环绕第二区域设置，所述第二区域与所述电流注入窗口对应设置。本发明中提供的III族氮化物半导体光电器件结构具有串联电阻低、光损耗小和热阻小等优点，可大幅提升光电性能和可靠性。
iii 氮化物半导体光电器件结构及其制备方法

[发明专利]高光效深紫外发光二极管及其制备方法-CN202111549806.2在审
发明人：邓彪;刘乐功;熊文浚;冯美鑫;孙钱;刘卫;杨勇;杨辉 -专利权人：广东中科半导体微纳制造技术研究院;中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2021-12-17 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： H01L33/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种高光效深紫外发光二极管及其制备方法。所述高光效深紫外发光二极管包括：外延结构，所述外延结构包括依次层叠设置的第一半导体层、有源层和第二半导体层；第一电极和第二电极，所述第一电极、第二电极分别经第一欧姆接触层、第二欧姆接触层与所述第一半导体层、第二半导体层电性接触；所述第一半导体层、第一欧姆接触层、第二欧姆接触层为第一掺杂类型，所述第二半导体层为第二掺杂类型。本发明实施例提供的一种高光效深紫外发光二极管采用重掺杂的欧姆接触层降低了p型与n型欧姆接触结构的制作难度，可以同时实现p型及n型电极的高反射率，大幅提高器件的取光效率。
高光效深紫发光二极管及其制备方法

[发明专利]高取光效率的III族氮化物紫外发光二极管及其制备方法-CN202111427556.5在审
发明人： 冯美鑫;孙钱;刘建勋;黄应南;孙秀建;杨辉 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2021-11-26 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01L33/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种高取光效率的III族氮化物紫外发光二极管及其制备方法。所述二极管结构包括外延结构，所述外延结构包括p型层、n型层和有源区，所述有源区分布于所述p型层和n型层之间；其中，所述p型层上还设置有n型布拉格反射镜层，且所述n型布拉格反射镜层内分布有多个纳米级孔洞。本发明中提供的III族氮化物紫外发光二极管结构取光效率高、漏电小、可靠性高，且工艺制备简单，成本低。
高取光效率 iii 氮化物紫外发光二极管及其制备方法

[发明专利]高电光转换效率的III族氮化物紫外发光二极管及其制法-CN202111417914.4在审
发明人： 冯美鑫;孙钱;刘建勋;黄应南;孙秀建;杨辉 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2021-11-26 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01L33/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种高电光转换效率的III族氮化物紫外发光二极管及其制法。所述二极管结构包括外延结构，所述外延结构包括p型层、n型层和有源区，所述有源区分布于所述p型层和n型层之间；其中，所述p型层与有源区之间还分布有具有微纳结构的反射层，所述反射层至少用于将从有源区向p型层传播的光向n型层反射。本发明提供的发光二极管，取光效率高、串联电阻小，可大幅提升电光转换效率和可靠性。
电光转换效率 iii 氮化物紫外发光二极管及其制法

[发明专利]垂直结构深紫外LED芯片及其制作方法-CN202111316647.1在审
发明人：邓彪;刘乐功;熊文浚;吕小翠;冯美鑫;孙钱;刘卫;杨勇;杨辉 -专利权人：广东中科半导体微纳制造技术研究院;中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2021-11-05 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种垂直结构深紫外LED结构及其制作方法。所述垂直结构深紫外LED结构包括外延层，该外延层包括第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层等；该外延层具有相背对的第一、第二面，该第二面远离该第一导电半导体层设置，该第二面上还开设有至少一个第二沟槽，第二沟槽的槽底面分布在该外延层的第一面上，第二沟槽的槽底面上覆盖有保护层，同时第二沟槽内还填充有应力匹配材料。本发明可以有效防止或消除在去外延衬底时因外延层应力过大导致外延层脱落等问题，同时还可以显著改善深紫外LED器件水平方向的出光，提升光提取效率，并且还有助于有效降低器件侧壁漏电的风险，大幅提升器件生产良率及改善器件可靠性。
垂直结构深紫 led 芯片及其制作方法

[发明专利]高光效发光二极管器件结构及其制作方法-CN202111285852.6在审
发明人：邓彪;刘乐功;熊文浚;吕小翠;冯美鑫;孙钱;刘卫;杨勇;杨辉 -专利权人：广东中科半导体微纳制造技术研究院;中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2021-11-01 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H01L33/46 文献下载
摘要：本发明公开了一种高光效发光二极管器件结构及其制作方法。所述高光效发光二极管器件结构包括外延层，所述外延层上依次叠设有导电的第一反射层和保护层；所述保护层的底端面和第一反射层的顶端面完全重合，所述外延层上还覆设有绝缘层，所述绝缘层和第一反射层两者在所述外延层的正投影构成互补图形，并且至少是所述第一反射层的侧壁与所述绝缘层的相应侧壁重合。本发明通过采用第一反射层与其保护层为相同形状和面积，且第一反射层与绝缘层为互补图形结构的设计，可以有效消除因Ag迁移等带来的器件可靠性差等问题，克服因低反射率保护层材料吸光带来的缺陷，显著提高发光二极管的出光效率。
高光效发光二极管器件结构及其制作方法

[发明专利]氮化物半导体垂直腔面发射激光器、其制作方法与应用-CN202010240434.4有效
发明人：孙钱;刘建勋;冯美鑫;黄应南;周宇;高宏伟;杨辉 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2020-03-31 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化物半导体垂直腔面发射激光器、其制作方法及应用。所述氮化物半导体垂直腔面发射激光器(VCSEL)包括沿设定方向依次设置的n侧DBR结构、有源区和p侧DBR结构，所述激光器的n侧形成有电流限制结构。进一步的，所述激光器的p侧与支撑片键合。本发明提供的氮化物半导体垂直腔面发射激光器具有器件电阻低、工作电压小，热阻低、散热效果好、结温低，工艺简单等优点，可大幅增强氮化物半导体VCSEL的性能和寿命，提高激光器工作稳定性。
氮化物半导体垂直发射激光器制作方法应用

[发明专利]具有单片集成结构的光电收发芯片、其制作方法与应用-CN201910560294.6有效
发明人：孙钱;陈沁;冯美鑫;文龙;刘建勋;黄应南;高宏伟;周宇;杨辉 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2019-06-26 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有单片集成结构的光电收发芯片、其制作方法及应用。所述单片集成的光电收发芯片包括集成设置的发光二极管与光探测器，所述发光二极管与光探测器之间设置有反射镜结构，所述反射镜结构至少用于防止所述发光二极管发射的光线向所述光探测器传输。进一步的，所述反射镜结构还用于将所述发光二极管发射的至少部分光线向所述发光二极管的出光面反射。本发明实施例提出的光电收发芯片具有尺寸小、制作方法简单、集成度高，且发光二极管和光探测器不会相互影响等优点，可大幅提升可见光通信模块的器件性能和稳定性。
具有单片集成结构光电收发芯片制作方法应用

[实用新型]带有异形结构的紫外LED光固化设备-CN202220721500.4有效
发明人：孙钱;汤文君;梅果;陈木华;冯美鑫 -专利权人：江西省纳米技术研究院;中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2022-03-30 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： B05D3/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种带有异形结构的紫外LED光固化设备。紫外LED光固化设备包括设备主体和LED紫外光源，设备主体具有用于容置待照射物体的收容空间，且设备主体的侧面还设置有与收容空间连通的开口部，开口部可供待照射物体沿收容空间的径向方向进出收容空间；LED紫外光源沿收容空间的周向环绕设置在收容空间内，且LED紫外光源的发光面朝向收容空间的中心区域。本实用新型提供的紫外LED光固化设备利用LED模组发射紫外光，可调节性佳，所发射的紫外光环绕于待照射物体周围，提供均匀的光强度分布，实现对待照射物体均匀的处理；开口部能够使得待照射物体方便地进出收容空间，提高了作业效率。
带有异形结构紫外 led 光固化设备

[实用新型]金属电极及紫外光源-CN202123117417.0有效
发明人：孙钱;汤文君;冯美鑫;梅果 -专利权人：江西省纳米技术研究院;广东中科半导体微纳制造技术研究院
申请日： 2021-12-07 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： H01J61/073 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种金属电极及紫外光源。所述金属电极包括金属基体以及原位形成在所述金属基体表面的致密绝缘保护层。所述紫外光源包括：用于容纳准分子发光气体的放电腔室以及配置在所述放电腔室外部的第一电极和第二电极，至少所述放电腔室的局部设置在所述第一电极和第二电极之间，其中，所述第一电极和第二电极中的至少一者包括所述的金属电极。本实用新型实施例提供的一种紫外光源，具有臭氧产生率低、对环境友好等特点，从而有助于拓宽紫外光源的应用领域。
金属电极紫外光源

[发明专利]一种紫外LED封装器件-CN202111291300.6在审
发明人：李文博;孙钱;杨勇;张智聪;李昌群;冯美鑫;王宏伟 -专利权人：佛山中科产业技术研究院;广东中科半导体微纳制造技术研究院;中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2021-11-01 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： H01L33/54 文献下载
摘要：本发明涉及紫外LED封装技术领域，涉及一种紫外LED封装器件。紫外LED封装器件包括基板、外壳、镜片。基板上设有金属镀层。外壳围设于基板，并连接于金属镀层，基板与外壳围设形成安装槽。外壳背离基板的一侧设有镜片，镜片将安装槽密封。其中，紫外LED设于安装槽内，安装槽内设有反射层。通过基板与外壳的无机连接，以及在安装槽内设置反射层，使得基板、外壳、以及镜片采用无机的连接方式组装形成紫外LED封装器件，加强紫外LED封装器件的抗老化能力，并且在安装槽内设置反射层，提高紫外LED封装器件的光提取效率。
一种紫外 led 封装器件

[发明专利]III族氮化物紫外发光二极管及其制作方法-CN201811173292.3有效
发明人：孙钱;冯美鑫;高宏伟;周宇;杨辉 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2018-10-09 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种III族氮化物紫外发光二极管及其制作方法。所述的制作方法包括：在衬底上依次生长成核层、Alx2Ga1‑x2N层或AlN厚层以及氮化物紫外发光二极管结构，获得外延片，0≤x21；进一步地，所述的制作方法还包括：所述成核层为Alx1Iny1Ga1‑x1‑y1N成核层或Alx1Iny1Ga1‑x1‑y1N与AlN复合成核层，0≤x1＜0.8、0≤y1≤1、0≤(1‑x1‑y1)≤1；和/或，在所述Alx2Ga1‑x2N层或AlN厚层中插入Alx3Iny3Ga1‑x3‑y3N薄层或复合结构插入层，0≤x3＜0.8、0≤y3≤1、0≤(1‑x3‑y3)≤1。本发明的III族氮化物紫外发光二极管具有取光效率高、位错密度低等优点，可显著增强紫外发光二极管的器件性能和寿命，且制备工艺与现有发光二极管制备工艺兼容，适于规模化生产。
iii 氮化物紫外发光二极管及其制作方法

[发明专利]一种III-V族氮化物半导体基板及制备方法-CN202110324699.7在审
发明人： 冯美鑫;蒋天浩;孙钱;邓彪;李昌群;杨勇;吕小翠 -专利权人：佛山中国科学院产业技术研究院;中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所;中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所广东（佛山）研究院
申请日： 2021-03-25 - 公布日： 2021-10-19 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开一种III‑V族氮化物半导体基板的制备方法，包括：步骤一：样品的制备，在衬底的第一表面上生长形成缓冲层；在所述缓冲层上生长III‑V族氮化物半导体材料层；步骤二：样品的电化学腐蚀，将样品和惰性金属放入电解质溶液中，并将所述衬底的第二表面连接电源正极，将电源负极连接惰性金属，通电进行电化学腐蚀，所述衬底和所述缓冲层之间被腐蚀分离，得到III‑V族氮化物半导体基板。本发明技术方案通过在衬底与缓冲层之间形成异质结，界面处会形成高导电层，电化学腐蚀会从此高导电层开始腐蚀，从而将III‑V族氮化物半导体材料层和衬底进行剥离，这种剥离方法具有工艺简单、成本低等优点，适合大规模生产。
一种 iii 氮化物半导体制备方法

[发明专利]一种低电阻、低热阻的氮化物半导体微腔激光器结构及其制备方法-CN201810373946.0有效
发明人：孙钱;冯美鑫;周宇;高宏伟;杨辉 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所南昌研究院;中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2018-04-24 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： H01S5/042 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体微腔激光器结构及其制备方法，将在氮化物半导体的氮面制备微腔激光器，(0001)镓面的p型欧姆接触采用整面接触的方式，大幅降低微腔激光器的串联电阻；微腔激光器的热量直接传导到高热导率的热沉中，在氮面制备微腔激光器，采用湿法腐蚀的方法制作微腔激光器的侧壁，可以大幅提升微腔激光器的稳定性，采用AlInGaN、ITO、AZO、IGZO、多孔GaN、Ag、Al、ZnO、MgO、Si、SiO2、SiNx、TiO2、ZrO2、AlN、Al2O3、Ta2O5、HfO2、HfSiO4、AlON材料作为微腔激光器的光学限制层，提供强的光学限制。本发明提出的新型氮化物半导体微腔激光器结构具有电阻小、热阻低、易实现电注入和稳定性及可靠性好等优点，可大幅增强氮化物半导体微腔激光器的性能和寿命。
一种电阻低热氮化物半导体激光器结构及其制备方法

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