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[发明专利]一种LDMOS晶体管用硅外延片的制备方法-CN201610618667.7有效
发明人：陈涛;李明达;李杨;李普生;殷海丰 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十六研究所
申请日： 2016-08-01 - 公布日： 2019-01-22 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种LDMOS晶体管用硅外延片的制备方法。先对外延炉基座进行腐蚀；向外延炉桶式基座片坑内装入硅单晶衬底片；对硅衬底片的表面进行HCl抛光；在硅片上生长一层本征外延层；利用HCl气体将外延表面受自掺杂严重的部分抛去；进行变温变流量吹扫过程；进行掺杂外延层的生长；掺杂外延层生长达到预定时间后开始降温；对外延片的厚度进行测量，共计五个测试点的厚度，共计五个测试点的电阻率，利用扩展电阻测试法测量外延片的过渡区结构；提高了外延片厚度和电阻率均匀性水平，不均匀性<1.5%，同时降低了晶体缺陷的发生概率，缩短了过渡区的宽度，表面无层错、位错、滑移线、雾等缺陷，满足了LDMOS器件的使用要求。
一种 ldmos 晶体管用外延制备方法

[发明专利]一种VDMOS器件用薄Sb衬底上制备厚层外延的方法-CN201610618664.3有效
发明人：陈涛;李明达;薛兵;白春磊;殷海丰 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十六研究所
申请日： 2016-08-01 - 公布日： 2018-10-19 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种VDMOS器件用薄Sb衬底上制备厚层外延的方法。将外延炉石墨基座下方的9组调节杆的刻度值分别进行设定；利用氯化氢HCl气体在高温下对外延炉基座进行刻蚀抛光；向外延炉基座片坑内装入硅衬底片，利用HCl气体对硅衬底片表面进行抛光；采用大流量氢气对硅衬底片表面进行吹扫；在硅片上生长一层很薄的本征外延层；进行掺杂外延层的生长；掺杂外延层生长达到预定厚度后开始降温；对外延片九个测试点的厚度进行测量，从而获得硅外延片的平均厚度及其均匀性。实现了对400μm的薄Sb衬底的外延生长的良好控制，其厚度不均匀性<0.5%，边缘无滑移线、崩边、损伤等缺陷，满足VDMOS器件对硅外延层的要求，提高了器件的加工良率。
一种 vdmos 器件 sb 衬底制备外延方法

[发明专利]一种承托多个尺寸硅外延片的花篮结构-CN201410774766.5在审
发明人：王文林;薛兵;殷海丰;居斌;杨晋武;李明达 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十六研究所
申请日： 2014-12-16 - 公布日： 2015-03-25 - 主分类号： H01L21/673 文献下载
摘要：本发明涉及承托硅外延片的清洗花篮，尤其涉及一种承托多个尺寸硅外延片的花篮结构。在6英寸花篮两侧的插槽里分别一一对应安装有承托4英寸硅外延片的插板和承托5英寸硅外延片的插板，插板的前端分别设有与6英寸花篮的插槽相啮合的插条，插板的后端分别设有卡槽，卡槽的上端槽口敞开，底部槽口封闭。通过在原有大尺寸花篮的结构基础上进行改装，根据需要清洗的小尺寸硅外延片的片数和尺寸安装对应套数的插板，具备成本节约、造价低廉、使用简便的优势，大幅节省了生产用料，提高了生产效率和操作安全性。而且该清洗花篮改装结构所用的插板可自由组合和拆卸，灵活性强，便于大规模推广使用。
一种承托尺寸外延花篮结构

[发明专利]一种改善外延片电阻率和厚度一致性的制备方法-CN201310527944.X无效
发明人：王文林;殷海丰;白春磊;陈涛 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十六研究所
申请日： 2013-10-31 - 公布日： 2014-01-29 - 主分类号： C30B25/16 文献下载
摘要：本发明涉及一种改善外延片电阻率和厚度一致性的制备方法。1、装入衬底片，升入腔体，依次进行氮气、氢气吹扫，最终使下列每一步均在氢气主环境下进行反应，并进行腔体升温；2、衬底气相抛光：使用HCL对衬底进行表面抛光；3、变流量吹扫：改变H2的主气体流量，逐渐稀释衬底表层杂质含量；4、本征生长：5、外延生长：确定筒式外延炉的锥形顶盘的入射角度，使反应气体在锥形顶盘的入射角度为0°﹤α﹥28°范围内进入外延炉腔体内，形成均匀气体流场分布，经外延生长后，设备炉腔降温、取片，制得硅外延片。采用本方法制备的硅外延片，其电阻率不均匀性<2%，厚度不均匀性<1.5%，从而拓展了硅外延片工艺技术。
一种改善外延电阻率厚度一致性制备方法

[实用新型]一种基座支撑装置-CN201220279054.2有效
发明人： 殷海丰;王文林 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十六研究所
申请日： 2012-06-14 - 公布日： 2013-03-13 - 主分类号： C30B19/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基座支撑装置，所述支撑装置由石英制成，安装在桶式外延炉中：所述支撑装置为等径空心圆柱结构，上表面为平面，嵌入式地与基座底盘凹槽相连接；下表面设置有卡槽，与外延炉托盘上的石英盘相连接。本实施例装置可以整体提高基座在腔内的位置，相当于提高了最底层外延片所处的温区，同时可以通过调节垫圈高度来调整最上层外延片所处的温区，做到不影响反应腔内流场的分布，达到增加最底层外延片下边的厚度，改善厚度均匀性的目的。
一种基座支撑装置

[发明专利]一种氮化镓晶体抛光的方法-CN200910180529.5有效
发明人：李强;徐永宽;程红娟;殷海丰;于祥潞;杨丹丹;赖占平;严如岳 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十六研究所
申请日： 2009-10-19 - 公布日： 2010-03-17 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化镓晶体抛光的方法，所述方法包括以下步骤：将氮化镓晶片粘贴在石英板上；用研磨机对粘贴在石英板上的氮化镓晶片进行研磨；对抛光液进行加热升温，用紫外光照射抛光的氮化镓晶片，用抛光机对研磨后的氮化镓晶片进行化学机械抛光。本发明在传统的氮化镓晶片化学机械抛光的基础上，使用了紫外光对其晶片进行照射，同时使用了自制水浴加热系统对抛光液进行升温，提高了化学机械抛光过程中的化学反应速率，再通过重物重量的调节，使得物理去除作用和化学作用达到平衡，不仅解决了氮化镓晶体难抛光的问题，提高了N面和Ga面去除速率，也获得了令人满意的光亮表面。本发明方法成本明显更低，工艺实施简单，并且有效的提高了抛光效率。
一种氮化晶体抛光方法

[发明专利]一种氮化物膜的制备方法-CN200910180530.8有效
发明人：杨丹丹;徐永宽;程红娟;殷海丰;李强;于祥潞;赖占平;严如岳 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十六研究所
申请日： 2009-10-19 - 公布日： 2010-03-17 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化物膜的制备方法，包括：在异质衬底上沉积氮化物薄膜；在氮化物薄膜上进行镀金属，得到金属薄膜；对金属薄膜进行氮化，得到具有孔隙的金属薄膜；通入氯化氢气体，对氮化物薄膜的表面进行腐蚀，得到网状的凹槽及孔隙后，停止氯化氢气体的通入；对具有孔隙的金属薄膜进行腐蚀，腐蚀掉具有孔隙的金属薄膜后，对带有网状凹槽氮化物及空隙氮化物的异质衬底进行清洗，清洗结束后拿回反应炉中进行氮化物膜的生长，得到氮化物膜。本发明能够缓解在生长氮化物厚膜过程中所出现的由于较大的应力和较高的位错密度所带来的裂纹翘曲等问题，具有简单、易实施、成本低的优点。
一种氮化物制备方法

[发明专利]一种降低三族氮化物自支撑片翘曲度的方法-CN200910180528.0有效
发明人：于祥潞;徐永宽;殷海丰;程红娟;李强;杨丹丹;赖占平;严如岳 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十六研究所
申请日： 2009-10-19 - 公布日： 2010-03-17 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种降低三族氮化物自支撑片翘曲度的方法，所述方法包括以下步骤：对剥离下来的三族氮化物自支撑片进行腐蚀；对腐蚀后的三族氮化物自支撑片进行生长，生长面为氮面。本发明对剥离下来的三族氮化物自支撑片进行再生长，通过氮面再生长降低其翘曲度，并增加了自支撑片的厚度，为后续的抛光工艺打下良好的基础。
一种降低氮化物支撑曲度方法

[发明专利]一种制备氮化物自支撑衬底的方法-CN200910180531.2有效
发明人：徐永宽;殷海丰;程红娟;李强;于祥潞;杨丹丹;赖占平;严如岳 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十六研究所
申请日： 2009-10-19 - 公布日： 2010-03-03 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备氮化物自支撑衬底的方法，包括：将异质衬底在单晶炉中生长氮化物薄膜；对生长有氮化物薄膜的异质衬底底部进行凹槽刻蚀，凹槽将异质衬底底部划分为若干个区域；刻蚀结束后，清洗生长有氮化物薄膜的异质衬底，然后放回单晶炉中继续生长，得到后续生长的氮化物膜；去除异质衬底，对后续生长的氮化物膜进行抛光处理，获得剥离后的氮化物自支撑衬底。本发明通过对生长有一薄层氮化物薄膜的初始异质衬底底部进行激光刻蚀，将衬底刻蚀成众多尺寸较小的区域，便于一部分应力的释放，缓解了应力对氮化物生长的影响，再在其上生长低弯曲度、无裂纹的高质量氮化物厚膜，这样便于大尺寸晶片剥离，获得氮化物自支撑衬底。
一种制备氮化物支撑衬底方法

[发明专利]飞旋刮蜡器-CN92100228.9无效
发明人：刘希友;丁万林;关良;董艳伟;殷海丰;吴克 -专利权人：吉林省油田管理局
申请日： 1992-01-07 - 公布日： 1994-11-02 - 主分类号： E21B37/02 文献下载
摘要：一种用于自喷油井清蜡的飞旋刮蜡器，包括上锁套、壳体、压缩弹簧、上锁轴、钢球、储能弹簧、上复位弹簧、刮蜡片、上拉杆、齿条、齿轮阀板、下拉杆、下锁轴、下锁套、下复位弹簧等；飞旋刮蜡器具有结构精巧、体积小，操作简便、使用安全，不需外加动力、不增加井口设备、便于自动化管理，可适合在各类自喷井中使用等特点。
飞旋刮蜡器

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