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[发明专利]基于地理信息技术的世界自然遗产提名地环境整治方法-CN201810515544.X在审
发明人：曹杰;熊康宁;王琦;陈起伟;盈斌;陈丽莎 -专利权人：贵州师范大学
申请日： 2018-05-25 - 公布日： 2018-11-27 - 主分类号： G06T19/00 文献下载
摘要：本发明实施例提出了一种基于地理信息技术的世界自然遗产提名地环境整治方法，包括以下步骤：确定世界自然遗产的突出普遍价值以及价值呈现的物质与非物质形态；明确第二轮定期报告中的世界遗产威胁因素；确定需要实地考察的世界自然遗产提名地的环境整治问题；并结合环境整治问题类型，根据申遗专家以及主管单位的技术人员，构建所申报的世界自然遗产提名地及缓冲区环境整治问题分类体系；通过实地调研获取环境的图像和GPS参数，以生成行动轨迹以及行动轨迹上的环境整治问题；其中所述行动轨迹及图像以时间为参数进行关联；获取实地调研区域的遥感影像图，将照片定位到遥感影像中，并在遥感影像图的属性表中添加属性字段。
环境整治行动轨迹基于地理信息遥感影像图图像定期报告世界遗产属性字段问题分类问题类型物质形态遥感影像主管单位缓冲区属性表构建与非关联申报威胁考察

[发明专利]用于生产蓝宝石图形衬底的分选方法-CN201410126845.5有效
发明人： 陈起伟;魏臻;孙智江;施荣华 -专利权人：海迪科(苏州)光电科技有限公司
申请日： 2014-04-01 - 公布日： 2017-07-14 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于生产蓝宝石图形衬底的分选方法，包括如下步骤S1调整光致发光设备的参数，对蓝宝石图形衬底外延层进行光激励测试，由外延层图形化表面的微观结构所反射回的光进行反射率测算；S2对所述的微观结构的尺寸测量得到尺寸值；S3建立反射率与尺寸值间的对应关系；S4将待分选晶圆整批导入到光致发光设备中令设备自动运行；S5将微观结构的反射率实时通过对应关系输出为尺寸值，并依据结果进行晶圆分选。由于采用了以上技术方案，使得在蓝宝石图形化衬底领域可以将图形化结构的检测步骤得以简化，提高了生产效率，降低了生产成本，易于实现大规模批量生产。
用于生产蓝宝石图形衬底分选方法

[发明专利]用于改善图形化蓝宝石衬底的底部刻蚀异常的方法-CN201410123463.7有效
发明人： 陈起伟;魏臻;孙智江;施荣华 -专利权人：海迪科（南通）光电科技有限公司
申请日： 2014-03-31 - 公布日： 2017-04-05 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于改善图形化蓝宝石衬底的底部刻蚀异常的方法，包括如下步骤提供F基等离子体；针对F基等离子体施加预定方向的动能；使F基等离子体自上而下地轰击图形化蓝宝石衬底的底部刻蚀异常区域表面达到预定时间，以使至少部分被刻蚀表面生成AlF3。由于本发明的F基等离子体易与蓝宝石中的Al元素发生化学反应，生成易挥发的AlF3，保证了刻蚀表面的清洁。另外由于F基的原子质量相比于BCl2+低，轰击能量较低，不易对表面造成物理创伤和辐射损伤，从而即保证了良好的形貌修饰作用，又保证了尺寸在修饰过程中的相对稳定。
用于改善图形蓝宝石衬底底部刻蚀异常方法

[实用新型]波浪纹型蓝宝石衬底-CN201420123326.9有效
发明人： 陈起伟;施荣华;孙智江;罗建华;张松红 -专利权人：海迪科（南通）光电科技有限公司
申请日： 2014-03-18 - 公布日： 2014-07-30 - 主分类号： H01L33/22 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种波浪纹型蓝宝石衬底，波浪纹型蓝宝石衬底的平坦表面上等距离规则排列若干凸起的周期图形，每个周期图形由至少5个三角圆锥体构成，三角圆锥体的角度范围为20-60°，每个周期图形的高度和底宽分别为0.1-2µm、2-3µm。根据本实用新型的波浪纹型蓝宝石衬底首先会在平坦部分生长重结晶的GaN，随着GaN向上生长超过波纹型PSS的顶部会在顶部横向生长，在波纹型PSS顶部生长的GaN融合并在波浪纹齿冠形状的顶部之间形成空气空隙，这些嵌入环形空气空隙增强了光的散射，可显著提高光的提取效率，从而增加LED的亮度，与现有技术中的半球型PSS相比，光的提取效率提高9.8%，从而使得制备出的LED芯片单位流明的价格降低，因此非常具有应用前景。
波浪蓝宝石衬底

[实用新型]带有双周期图形的蓝宝石衬底-CN201420148565.X有效
发明人： 陈起伟;魏臻;孙智江;施荣华 -专利权人：海迪科（南通）光电科技有限公司
申请日： 2014-03-31 - 公布日： 2014-07-30 - 主分类号： H01L23/13 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种带有双周期图形的蓝宝石衬底，该蓝宝石衬底表面相互嵌套地设置有用于生长初级缓冲层的第一图形、用于优化缓冲层的第二图形，所述的第一图形的外形尺寸小于第二图形的外形尺寸，所述的第一图形具有第一分布周期，所述的第二图形具有第二分布周期。双周期是指尺寸不同的2种周期性图形进行嵌套，其中的一个周期用小圆形进行周期排布，目的在于生长出初级缓冲层；而另一个周期则使用大圆形进行周期排布，目的在于进一步优化缓冲层质量，减少缺陷密度。通过双周期的图形化蓝宝石衬底，形成了缓冲层的叠加优化，从而使后续外延生长质量得到提高。
带有双周图形蓝宝石衬底

[实用新型]新型倒装高压芯片外延片-CN201420148165.9有效
发明人： 陈起伟;施荣华;孙智江;罗建华 -专利权人：海迪科（南通）光电科技有限公司
申请日： 2014-03-31 - 公布日： 2014-07-30 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种新型倒装高压芯片外延片，包括多个LED芯片单元，各个LED芯片单元之间设置切割沟槽相隔离，每个LED芯片单元包括一个独立的LED芯片器件，该LED芯片器件包括依次设置的蓝宝石衬底、n-GaN层、多层量子阱层、p-GaN层，n-GaN层上形成有n型电极，p-GaN层上形成有p型电极，外延片的顶部覆盖有绝缘荧光层，绝缘荧光层填充于切割沟槽内、仅将用于与外部电连接的n型电极与p型电极露出。本实用新型采用可融入芯片工艺的发光薄膜作为绝缘层，其布局合理、结构新颖，绝缘荧光层发光效率高、填洞能力强、平整度高、绝缘性能好。
新型倒装高压芯片外延

[实用新型]一种去边液处理装置-CN201420050345.3有效
发明人：张亚鹏;罗建华;陈起伟;郭鹏 -专利权人：西安神光安瑞光电科技有限公司
申请日： 2014-01-26 - 公布日： 2014-07-23 - 主分类号： G03F7/30 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种去边液处理装置，包括压力气源、承压罐、出液管路，承压罐内装有去边液，压力气源通过气体管路与承压罐相连，出液管路与承压罐相连，出液管路上设有流量计和气动阀，所述压力气源的气源为氦气；出液管路上还设有真空罐；真空罐内设有用于供去边液流通的管道，该管道为特氟龙管。本实用新型提供了一种避免在去边过程中的会产生气阻现象的去边液处理装置。
一种去边液处理装置

[实用新型]一种匀胶机的CUP外壳清洗装置-CN201420009801.X有效
发明人：郭鹏;罗建华;陈起伟;张亚鹏 -专利权人：西安神光安瑞光电科技有限公司
申请日： 2014-01-07 - 公布日： 2014-07-02 - 主分类号： B08B3/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种匀胶机的CUP外壳清洗装置，包括密封罐、供气单元、第一管道、第二管道、环形管道；所述密封罐通过第一管道与供气单元相连，密封罐通过第二管道与环形管道相连；所述第一管道包括出气口，第二管道包括清洗液入口；所述密封罐内装有清洗液；所述供气单元能够向密封罐提供压力气体，清洗液能够在所述压力气体的作用下由密封罐进入到环形管道；所述环形管道上开有多个孔，环形管道固定在待清洗的CUP外壳的内壁上；所述第一管道和第二管道上均设置有控制阀。本实用新型提供了一种便于对匀胶机的CPU外壳进行清洗的匀胶机的CUP外壳清洗装置，该装置节省了清洗的时间、提高了机器的产能。
一种匀胶机 cup 外壳清洗装置

[实用新型]具有温度测试功能的ICP 刻蚀机-CN201420013256.1有效
发明人：罗建华;贺波亮;陈起伟;李斌;张潮;封龙刚 -专利权人：西安神光安瑞光电科技有限公司
申请日： 2014-01-09 - 公布日： 2014-07-02 - 主分类号： H01J37/244 文献下载
摘要：本实用新型提供一种具有温度测试功能的ICP刻蚀机，主要解决了现有ICP刻蚀机无法侦测铝托盘的具体温度，从而导致晶圆加工不稳定，影响蚀刻速率和选择比的问题。该具有温度测试功能的ICP刻蚀机包括铝托盘，所述铝托盘上设置有用于侦测铝托盘实时温度的温度测试装置。该ICP刻蚀机在原有ICP刻蚀机卡盘装置的基础上增加用于侦测温度的装置，从而准确的掌握铝托盘的实际温度，并通过冰机设置合理的温度以满足冷却的效果。
具有温度测试功能 icp 刻蚀

[实用新型]氦气测漏装置-CN201420013301.3有效
发明人：罗建华;贺波亮;陈起伟;李斌;张潮;封龙刚 -专利权人：西安神光安瑞光电科技有限公司
申请日： 2014-01-09 - 公布日： 2014-07-02 - 主分类号： G01M3/20 文献下载
摘要：本实用新型提供一种氦气测漏装置，主要解决了现有装载晶圆的托盘开始执行工艺配方后才能够了解氦气泄漏的大小，从而严重影响ICP蚀刻机蚀刻效果的问题。该氦气测漏装置包括用于固定装载晶圆的托盘的固定机构，用于将托盘和固定机构接触面之间形成的腔体进行抽真空的真空泵，真空泵通过管道和腔体连通，管道上设置有用于检测真腔体真空度的真空计和用于检测氦气泄漏数据的氦气侦测计。该氦气测漏装置可以准确掌握铝托盘氦气泄漏的实际情况，并通过调整托盘装载晶圆的位置减少对工艺的影响，提高了设备的稳定性。
氦气装置

[实用新型]一种显影胶杯-CN201420009097.8有效
发明人：张亚鹏;罗建华;陈起伟;郭鹏 -专利权人：西安神光安瑞光电科技有限公司
申请日： 2014-01-07 - 公布日： 2014-07-02 - 主分类号： G03F7/30 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种显影胶杯，包括杯底、杯口以及连接杯底与杯口的侧壁，杯底的直径大于杯口的直径，所述侧壁为圆弧形侧壁，所述圆弧形侧壁向显影胶杯杯体的外部凸出。本实用新型提供的一种显影胶杯，可以减少废液反溅对晶圆品质的影响。
一种显影

[发明专利]用于解决干法蚀刻边缘效应的盖板及其制备方法-CN201410126842.1在审
发明人： 陈起伟;魏臻;孙智江;施荣华 -专利权人：海迪科(苏州)光电科技有限公司
申请日： 2014-04-01 - 公布日： 2014-06-25 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于解决干法蚀刻边缘效应的盖板，用于在图形化蓝宝石衬底的蚀刻过程中形成蚀刻图案，包括由金属材料制成的遮挡盖板和覆盖于所述的遮挡盖板上表面的耐腐蚀层，所述的遮挡盖板上的预定位置制作有掩膜图形。由于采用了以上技术方案，本发明通过使用具有良好导电特性的金属材料作为盖板的主体，并且为了防止金属材质在等离子体氛围中的过度消耗，在以金属为主体材料的基础上，在金属表面喷涂一薄层陶瓷材料，以增加盖板的耐蚀性。
用于解决蚀刻边缘效应盖板及其制备方法

[发明专利]新型倒装高压芯片外延片-CN201410123492.3无效
发明人： 陈起伟;施荣华;孙智江;罗建华 -专利权人：海迪科（南通）光电科技有限公司
申请日： 2014-03-31 - 公布日： 2014-06-18 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型倒装高压芯片外延片，包括多个LED芯片单元，各个LED芯片单元之间设置切割沟槽相隔离，每个LED芯片单元包括一个独立的LED芯片器件，该LED芯片器件包括依次设置的蓝宝石衬底、n-GaN层、多层量子阱层、p-GaN层，n-GaN层上形成有n型电极，p-GaN层上形成有p型电极，外延片的顶部覆盖有绝缘荧光层，绝缘荧光层填充于切割沟槽内、仅将用于与外部电连接的n型电极与p型电极露出。本发明采用可融入芯片工艺的发光薄膜作为绝缘层，其布局合理、结构新颖，绝缘荧光层发光效率高、填洞能力强、平整度高、绝缘性能好。
新型倒装高压芯片外延

[发明专利]波浪纹型蓝宝石衬底及其制备方法-CN201410099882.1有效
发明人： 陈起伟;施荣华;孙智江;罗建华;张松红 -专利权人：海迪科（南通）光电科技有限公司
申请日： 2014-03-18 - 公布日： 2014-06-11 - 主分类号： H01L33/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种波浪纹型蓝宝石衬底，波浪纹型蓝宝石衬底的平坦表面上等距离规则排列若干凸起的周期图形，每个周期图形由至少5个三角圆锥体构成，三角圆锥体的角度范围为20-60°，每个周期图形的高度和底宽分别为0.1-2µm、2-3µm。根据本发明的波浪纹型蓝宝石衬底首先会在平坦部分生长重结晶的GaN，随着GaN向上生长超过波纹型PSS的顶部会在顶部横向生长，在波纹型PSS顶部生长的GaN融合并在波浪纹齿冠形状的顶部之间形成空气空隙，这些嵌入环形空气空隙增强了光的散射，可显著提高光的提取效率，从而增加LED的亮度，与现有技术中的半球型PSS相比，光的提取效率提高9.8%，从而使得制备出的LED芯片单位流明的价格降低，因此非常具有应用前景。
波浪蓝宝石衬底及其制备方法

[发明专利]用于周期性光刻图形尺寸监控的方法-CN201410126862.9有效
发明人： 陈起伟;魏臻;孙智江;施荣华 -专利权人：海迪科(苏州)光电科技有限公司
申请日： 2014-04-01 - 公布日： 2014-06-11 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于周期性光刻图形尺寸监控的方法，包括如下步骤：S1：调整自动光学检测设备的灰阶参数，对曝光显影后的晶圆的胶柱进行灰度测试，通过将胶柱表面反射回来的光进行灰阶运算得到灰度值；S2：对所述的胶柱进行尺寸测量得到尺寸值；S3：建立灰度值与尺寸值间的对应关系；S4：逐片进行扫描曝光显影后的晶圆；S5：将胶柱的灰度值实时通过对应关系输出为尺寸值。由于采用了以上技术方案，使得在蓝宝石图形化衬底领域可以将黄光蚀刻步骤后的检测步骤得以简化，提高了生产效率，降低了生产成本。
用于周期性光刻图形尺寸监控方法

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