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[发明专利]一种垂直腔面发射激光器及其制备方法-CN202110988123.0有效
发明人： 杨翠柏 -专利权人：深圳市芯火之光科技有限公司
申请日： 2021-08-26 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本发明提供了一种电流自供给硅基垂直腔面发射激光器，其结构包括Si衬底，激光器单元、隔离区和太阳电池单元。Si衬底为p型Si单晶片；激光器单元在Si衬底的上表面按照层状叠加结构从下至上依次设置有缓冲层、反射层、多量子阱激光发射单元、反射层和电极接触层，在电极接触层正上方制备有上电极，在Si衬底下表面制备有下电极；隔离区为高电阻区域；太阳电池单元从下至上包括Si衬底、n型发射区和窗口层，在n型发射区上方制备有上电极，在Si衬底下表面制备有下电极。本发明在降低材料制作成本的同时还可以实现VCSEL系统的电流自供给，大大降低了VCSEL系统的工作能耗。
一种垂直发射激光器及其制备方法

[实用新型]一种高散热性能的垂直腔面发射激光器芯片-CN202320267644.1有效
发明人：郑君雄;石恺丰;杨翠柏;尹佩川 -专利权人：深圳市中科光芯半导体科技有限公司
申请日： 2023-02-21 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01S5/024 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种高散热性能的垂直腔面发射激光器芯片，包括芯片本体，芯片本体的一个表面上设置有正极、负极、发光孔、散热焊线区，正极连接发光孔，发光孔一侧设置有发光孔保护区和散热区；所述芯片本体封装于封装贴片底座中，封装贴片底座上设置有封装贴片底座焊线区，芯片本体表面的散热焊线区与封装贴片底座焊线区之间通过若干根金线连接。本实用新型能够在不改变外延结构设计和保证可靠性的情况下，高效提升激光器的散热性能。
一种散热性能垂直发射激光器芯片

[发明专利]一种高散热性能的垂直腔面发射激光器芯片及其制作方法-CN202310142275.8在审
发明人：郑君雄;石恺丰;杨翠柏;尹佩川 -专利权人：深圳市中科光芯半导体科技有限公司
申请日： 2023-02-21 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01S5/024 文献下载
摘要：本发明公开了一种高散热性能的垂直腔面发射激光器芯片及制作方法，包括芯片本体，芯片本体的一个表面上设置有正极、负极、发光孔、散热焊线区，正极连接发光孔，发光孔一侧设置有发光孔保护区和散热区；所述芯片本体封装于封装贴片底座中，封装贴片底座上设置有封装贴片底座焊线区，芯片本体表面的散热焊线区与封装贴片底座焊线区之间通过若干根金线连接。本发明能够在不改变外延结构设计和保证可靠性的情况下，高效提升激光器的散热性能。
一种散热性能垂直发射激光器芯片及其制作方法

[发明专利]一种200G AOC光引擎光缆固化性能在线监控系统-CN202310186938.6在审
发明人：郑君雄;石恺丰;杨翠柏;尹佩川 -专利权人：深圳市中科光芯半导体科技有限公司
申请日： 2023-03-02 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H04B10/079 文献下载
摘要：本发明公开了一种200G AOC光引擎光缆固化性能在线监控系统，包括外框，外框内顶部设置有UV灯，UV灯与设置于外框一侧外壁的UV灯控制器电连接，外框内设置有测试板底板，测试板底板上安装有测试板，所述测试板上设置有两个金手指插座，两个金手指插座上分别插入一个光引擎，两个光引擎之间连接有光纤线缆，所述测试板连接有误码仪和电脑，电脑同时连接误码仪。本发明能够在线、实时、有效的监控光纤线缆连接后以及在UV胶水固化过程中是否有误码产生。
一种 200 aoc 引擎光缆固化性能在线监控系统

[发明专利]一种基于VGF法的InP晶体生长炉-CN201611122124.2有效
发明人： 杨翠柏;方聪;陈丙振 -专利权人：珠海鼎泰芯源晶体有限公司
申请日： 2016-12-08 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于VGF法的InP晶体生长炉，属于半导体晶体生长设备技术领域。本发明所述InP晶体生长炉包括：炉底座，炉壁，且炉底座与炉壁形成密闭空间，在炉底座开设通气口，在炉底座上表面固定连接有坩埚托，在坩埚托上方放置有坩埚，在坩埚托与坩埚外侧同轴放置有无底面的隔离筒，在隔离筒外周垂直方向间隔设置有多段加热元件，每段加热元件均固定有电极安装座，加热电极通过电极安装座与加热元件连接，并延伸至炉底座外部，且在每段加热元件底部均固定连接有加热器安装板。本发明中加热器安装板阻隔相邻加热元件之间的热对流及热辐射，使加热元件的加热温度保持稳定。
一种基于 vgf inp 晶体生长

[发明专利]子载盘及有机金属气相沉积设备-CN202111120748.1有效
发明人： 杨翠柏 -专利权人：深圳市中科光芯半导体科技有限公司
申请日： 2021-09-24 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： C30B25/12 文献下载
摘要：本申请提供了一种子载盘及有机金属气相沉积设备。所述子载盘包括导热支撑部。所述导热支撑部包括导热台阶。本申请对所述子载盘做出局部的改变。所述导热台阶可以使得受热基板原本的温度梯度变化得到补偿，使受热基板的温度分布曲线变为较为平坦的温度分布曲线。本申请因为硬件的子载盘结构的改变使外延生长的过程参数调整的范围更宽。另外本申请可以提高晶圆片的均匀性，降低产品单位面积的成本。
子载盘有机金属沉积设备

[实用新型]一种激光器的密封结构-CN202122214890.4有效
发明人：郑君雄;崔雨舟;冉宏宇;杨翠柏;王青 -专利权人：深圳市中科光芯半导体科技有限公司
申请日： 2021-09-14 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： H01S3/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种激光器的密封结构，包括安装框，所述安装框上下两侧壁中心位置之间开设有安装槽，所述安装框上下两侧壁通过螺钉固定安装有密封盖，所述安装槽内设置有调节机构，所述调节机构上设置有安装机构。本实用新型通过设置有良好的密封盖机构，实际进行整体密封结构的开合方便，且设置有良好的激光器安装机构，实际激光器的安装机构可以进行适应性的位置调节，此外设置有激光器的连接线材收纳导向机构，实际进行内部激光器的连接线材可以进行便利收纳。
一种激光器密封结构

[实用新型]一种半导体激光器芯片测试装置-CN202122214903.8有效
发明人：郑君雄;崔雨舟;冉宏宇;王青;杨翠柏 -专利权人：深圳市中科光芯半导体科技有限公司
申请日： 2021-09-14 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： G01R31/01 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种半导体激光器芯片测试装置，包括柜体，便于对多种芯片进行检测，所述柜体的内壁靠近中部位置固定连接有固定板，便于转动机构进行转动，所述固定板的顶部设置有转动机构，所述转动机构包括电机，用于带动转盘的转动，所述电机的端面固定连接有转盘，用于带动多个芯片进行转动，所述转盘的顶部靠近外壁位置开设有多个凹槽，便于对多个芯片进行固定。本实用新型通过对测试装置的内部设置有自动转动机构，从而使得在对需要进行测试的芯片进行测试时可以不间断的对其进行测试，从而提高对芯片的测试效率，同时对测试装置进行伸缩调节和卡槽的大小调节，从而方便对不同大小的芯片进行测试。
一种半导体激光器芯片测试装置

[实用新型]一种激光芯片的集成化夹具-CN202122222004.2有效
发明人：郑君雄;崔雨舟;王青;冉宏宇;杨翠柏 -专利权人：深圳市中科光芯半导体科技有限公司
申请日： 2021-09-14 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： B25B11/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种激光芯片的集成化夹具，包括安装座，所述安装座顶端中心处固定连接有限位槽，所述安装座顶端周侧固定连接有定位柱，所述安装座位于限位槽周侧设有多个限位机构，多个所述限位机构末端共同固定连接有转动环，所述转动环内壁与安装座转动连接，本实用新型通过设置限位机构，限位机构中弹簧的设置便于更好的对夹具进行夹持，从而更好的对芯片进行固定，拉绳的设置便于更好的带动橡胶垫与固定片平移，从而更好的对芯片进行夹持，定位柱的设置便于更好的对拉绳进行限位，限位槽的设置便于更好的对芯片进行定位。
一种激光芯片集成化夹具

[实用新型]一种集成激光芯片-CN202122234801.2有效
发明人：郑君雄;崔雨舟;杨翠柏;冉宏宇;王青 -专利权人：深圳市中科光芯半导体科技有限公司
申请日： 2021-09-15 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： H01S5/024 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种集成激光芯片，包括外封装壳，所述外封装壳内壁中心的底部安装有集成激光芯片本体，所述集成激光芯片本体底部中心固定连接有辅助均热板，所述集成激光芯片本体顶部中心固定连接有冷板空腔，所述冷板空腔内壁中心安装有微型液冷通道，所述微型液冷通道顶部中心均匀固定连接有多个循环口。本实用新型通过在集成激光芯片本体底部中心设置有辅助均热板，在集成激光芯片本体顶部设置有冷板空腔，在冷板空腔中设置有微型液冷通道和循环口，提高将循环口外接相应的液冷设备，在微型液冷通道实现不导电液体的循环，可以对集成激光芯片本体起到很好的散热保护效果，进而提高集成激光芯片本体进行数据运算传输的效率。
一种集成激光芯片

[实用新型]一种激光芯片老化安装板-CN202122234807.X有效
发明人：郑君雄;崔雨舟;王青;杨翠柏;冉宏宇 -专利权人：深圳市中科光芯半导体科技有限公司
申请日： 2021-09-15 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： H01S5/02365 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种激光芯片老化安装板，包括安装板，用于对激光芯片进行便捷的安装固定，所述安装板的侧壁对称开设有多个散热孔，便于对内部进行散热处理，所述安装板的侧壁靠近底部位置对称固定连接有安装块，用于对整个安装板进行位置的安装固定，所述安装板的顶部靠近侧壁位置卡合连接有排风扇，用于对长时间工作产生高温的芯片进行散热处理，所述安装板的前壁和后壁靠近底部位置均设置有多个接头，便于对芯片进行连接，所述安装板的顶部滑动连接有卡合机构。本实用新型通过对安装板的顶部设置有卡合组件，从而对需要进行安装的激光芯片进行卡合固定，方便安装和拆卸，同时对其内部进行散热处理，使其能够长时间的使用。
一种激光芯片老化安装

[发明专利]异质结双极晶体管及其外延生长方法-CN202111110576.X在审
发明人： 杨翠柏 -专利权人：深圳市中科芯辰科技有限公司
申请日： 2021-09-23 - 公布日： 2021-12-28 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本申请提供了一种异质结双极晶体管及其外延生长方法。所述异质结双极晶体管的外延生长方法中，在外延生长发射极接触层之前进行的热处理。其中所述热处理的环境为不含砷的气体环境。即所述热处理工艺进行前控制含砷气体化合物通入有机金属气相沉积反应炉中各管路阀门的关闭。所述异质结双极晶体管的外延生长方法可以改善异质结双极晶体管中的暂态效应，减少在基层中的氢离子浓度，改善基层材料的结晶性，减少基层内的复合电流，使异质结双极晶体管的电流增益变异程度小于5％。
异质结双极晶体管及其外延生长方法

[发明专利]半导体外延片及其制备方法、微波通讯电晶体-CN202111101123.0在审
发明人： 杨翠柏 -专利权人：深圳市中科芯辰科技有限公司
申请日： 2021-09-18 - 公布日： 2021-12-21 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本申请提供了一种半导体外延片及其制备方法、微波通讯电晶体。所述半导体外延片包括基板和半导体层。所述基板为半绝缘化合物半导体基板。所述半导体层为高阻值半导体外延层，所述半导体层在含氧原子的气体氛围中生长。本申请提供的半导体外延片能够改善基板与缓冲层界面中的杂质造成的漏电流。本申请提供的高阻值半导体外延片形成晶体管时具有较好的装置稳定性与再现性，可以广泛应用于微波通讯电晶体。
半导体外延及其制备方法微波通讯电晶体

[发明专利]一种硅基双面垂直腔面发射激光器及其制备方法-CN202111048963.5在审
发明人： 杨翠柏 -专利权人：深圳市中科芯辰科技有限公司
申请日： 2021-09-08 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： H01S5/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种硅基双面垂直腔面发射激光器及其制备方法，硅基双面垂直腔面发射激光器包括以下结构：经过双面抛光的p型单晶硅衬底；第一p型缓冲层，位于与所述抛光的上表面相接触的表面上；第二p型缓冲层，位于与所述抛光的下表面相接触的表面上，所述第一p型缓冲层的材料和所述第二p型缓冲层的材料不同；短波激光发射模组，所述短波激光发射模组的量子点结构为非掺杂的GaNP/InP/GaNP；长波激光发射模组的量子点结构为非掺杂的GaNAs/InAs/GaNAs。本发明的硅基双面垂直腔面发射激光器中，可基于单晶硅衬底制备得到短波长波共存的VCSEL器件，方便应用于功能集成度较高的通信、传感、智能控制等系统。
一种双面垂直发射激光器及其制备方法

[发明专利]双波长垂直腔面发射激光器及其制备方法-CN202111028597.7在审
发明人： 杨翠柏 -专利权人：深圳市中科芯辰科技有限公司
申请日： 2021-09-02 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本申请提供了一种双波长垂直腔面发射激光器及其制备方法。本申请提供的双波长垂直腔面发射激光器包括：层叠设置的衬底、长波激光发射模组、隧道结、短波激光发射模组和电极接触层。本申请中提供的所述双波长垂直腔面发射激光器可以制备得到激射波长为1500～1600nm和620～650nm的双波长VCSEL。相比于传统的InP基长波长VCSEL和GaAs基短波长VCSEL，上述硅基双波长垂直腔面发射激光器可直接基于硅片制备得到长短波长共存的双波长VCSEL器件，方便应用于探测类型较多的智能家居、半导体检测及工业探测等领域，并且采用硅片代替化合物衬底，在降低衬底成本的同时还可以促进VCSEL与硅基电路系统的集成技术。
波长垂直发射激光器及其制备方法

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