“C30B25/16”专利分类搜索_专利查询_文献下载_出售_求购_买卖_交易

钻瓜专利网为您找到相关结果163个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]关于外延后背封pattern解决办法-CN202310681966.5在审
发明人：付成辛;虞如基;陈佳伟 -专利权人：浙江丽水中欣晶圆半导体科技有限公司
申请日： 2023-06-09 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C30B25/16 文献下载
摘要：本发明涉及一种关于外延后背封pattern解决办法，所属硅片加工技术领域，包括如下操作步骤：第一步：外延时由于高温环境下外延片会产生一定的形变，在外延片加上一层背封后形变会更加明显。第二步：将外延片从反应腔里取出时，需要由三枚顶针从基座底部升起，并将外延片从基座上托起，再通过后端机械手臂将外延片从反应腔中取出；形变较大的情况下外延片背面会与手臂接触，并因为背封的质地问题留下手臂印记。第三步：外延片经过外延的高温后会产生形变，但降温后形变会在一定程度上有所恢复。具有操作便捷和质量稳定性好的特点。消除背封因质地产生的机械手臂pattern，提高外延良率。
关于外延后背 pattern 解决办法

[发明专利]获得外延层工艺条件的方法、外延层的形成方法-CN202310835203.1在审
发明人：丁科允 -专利权人：江苏天芯微半导体设备有限公司
申请日： 2023-07-07 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C30B25/16 文献下载
摘要：本发明涉及一种获得外延层工艺条件的方法，包含以下步骤：S1、提供一外延设备，包括腔体、设置在腔体上方的上加热组件、设置在腔体下方的下加热组件；S2、提供一晶圆；S3、设定第一工艺温度；S4、设定上加热组件和下加热组件的功率参数；S5、将第一工艺温度调整到第二工艺温度，同时向腔体内通入工艺气体，生长外延层；S6、选取晶圆表面若干点位，测量点位的外延层的厚度，判断各点位的厚度是否满足预设条件，若否，则调整上加热组件和下加热组件的功率参数，重新执行步骤S4至S6；若是，则执行步骤S7；S7、记录最后的功率参数与其对应的第一、第二工艺温度形成外延层的工艺条件。本发明的方法获得的工艺条件可以避免晶圆发生弛豫现象。
获得外延工艺条件方法形成

[实用新型]一种用于MPCVD设备进行金刚石生长的在线监控系统-CN202320967791.X有效
发明人：刘瞻 -专利权人：上海菱尚光电科技有限公司
申请日： 2023-04-26 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C30B25/16 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于MPCVD设备进行金刚石生长的在线监控系统，其特征在于，包括位于反应腔室一侧的高清CCD摄像机和位于反应腔室另一侧的LED补光灯，所述反应腔室与高清CCD摄像机之间位置、反应腔室与LED补光灯之间位置中的至少一个位置设置有一偏振镜，本实用新型采用有针对性的补光装置，并且与高清CCD摄像机同步联动，同时配合偏振镜或者滤光片的使用，很好的监控金刚石表面的生长情况，可以在显示器中很方便的观察到金刚石的生长情况，可以实现多台MPCVD设备的在线监控，减少人力成本，提高监控质量和效率，从而实现MPCVD生产金刚石的自动化监控，保证金刚石的高效率高质量生长。
一种用于 mpcvd 设备进行金刚石生长在线监控系统

[发明专利]一种便于调节生长温度的微波反应装置-CN202310916192.X在审
发明人：冀成相;李再强;廖佳 -专利权人：北京左文科技有限公司
申请日： 2023-07-25 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： C30B25/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种便于调节生长温度的微波反应装置，属于晶体生长设备领域。包括有微波谐振腔体，微波谐振腔体内设置有生长台，生长台上方设置有生长基台，生长台上连接有冷却机构，生长基台上连接有升降机构。升降机构能够控制生长基台深入等离子体的深度和并调节生长基台与具有冷却机构的生长台本体的间距，进而实现生长基台上的金刚石籽晶获取的等离子体能量以及散热速度的调节，达到金刚石籽晶生长温度的精确控制；同时，升降机构的连接杆通过真空管、压缩密封件实现真空密封，并通过波纹管进行伸缩缓冲，既能够保证生长基台的真空环境，又能够升降机构的结构稳定。
一种便于调节生长温度微波反应装置

[发明专利]一种金刚石生长过程中的冷却控制方法及相关设备-CN202310948398.0有效
发明人：全峰;蒋礼;顾亚骏 -专利权人：深圳优普莱等离子体技术有限公司
申请日： 2023-07-31 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： C30B25/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种金刚石生长过程中的冷却控制方法及相关设备，所述方法包括：获取冷却调节指令，根据冷却调节指令设置冷却参数，并根据冷却参数对金刚石生长设备进行冷却处理；获取金刚石生长设备的不同部件的温度数据，并根据温度数据调节冷却参数，控制所述不同部件的温度数据始终处于预设温度范围内；实时检测冷却参数，当任一冷却参数出现异常时，控制金刚石生长设备进行停机处理。本发明通过设置冷却参数来对金刚石培育过程中的生长设备进行冷却调节，能够有效的控制生长设备始终保持在适合温度，同时也可以实时检测冷却参数数据，能够及时的发现冷却参数的异常情况，并自动进行停机处理，保证了金刚石的正常生长。
一种金刚石生长过程中的冷却控制方法相关设备

[发明专利]一种用于金刚石生长的沉积装置-CN202111175843.1有效
发明人：魏浩胤;蒋琛 -专利权人：航天科工（长沙）新材料研究院有限公司
申请日： 2021-10-09 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： C30B25/16 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于金刚石生长的沉积装置，包括：支撑台、升降台和钼托，支撑台的中间形成有中空部；钼托包括基体和设置在基体中间的屏蔽部，基体设置在支撑台上，屏蔽部上形成有多个间隔设置的屏蔽孔；升降台可升降地设置在中空部中，升降台的上方形成有多个与屏蔽孔相适配的支撑柱，支撑柱的顶部用于放置金刚石籽晶；其中，在金刚石的生长过程中，通过调节升降台的高度，使得金刚石的上表面和钼托的相对位置保持不变，并且每个支撑柱保持插入在对应的屏蔽孔中的状态。本发明既能避免升降台调节对腔体内电场分布、各类粒子分布、温度等参数造成影响，还能很好地防止金刚石籽晶的漂移。
一种用于金刚石生长沉积装置

[实用新型]一种简易的MOCVD原位测量装置-CN202320429423.X有效
发明人：孙文红;罗得锟;李耀泽;李磊;姜入恺 -专利权人：广西大学
申请日： 2023-03-09 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： C30B25/16 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种简易的MOCVD原位测量装置，包括：反应室；石墨托，其设置于反应室内，石墨托上设有外延片；升降台，两个升降台对称地设置于反应室的左右两侧，用于升降；两个升降台从左至右依次为第一升降台和第二升降台；激光器，其以能够上下摆动和前后摆动的方式与第一升降台连接，且激光器通过第一摆动机构驱动进行上下摆动和前后摆动；探测器，其以能够上下摆动和前后摆动的方式与第二升降台连接，且探测器通过第二摆动机构驱动进行上下摆动和前后摆动；以及控制装置。采用本实用新型的MOCVD原位测量装置，结构简单，成本低，位置调节方便，能够采用激光斜入射的方式实时监测外延片的生长速率和厚度。
一种简易 mocvd 原位测量装置

[发明专利]高温计控制的多晶片清洁过程-CN202310305083.4在审
发明人： E·苏亚雷斯;A·卡杰巴夫瓦拉;C·米斯金;B·B·乔希斯沃兰;A·德莫斯 -专利权人： ASM IP私人控股有限公司
申请日： 2023-03-24 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： C30B25/16 文献下载
摘要：一种使用基于高温计的控制来沉积外延材料层的方法。该方法包括清洁反应器系统的反应室，并且在清洁之后，在反应室内提供衬底。该方法包括相对于目标沉积温度稳定衬底的温度。在稳定过程中，加热器组件用控制信号操作，以操作加热器组件中的加热器，该控制信号基于衬底温度的直接测量产生，例如用一到三个高温计。该方法包括，在稳定衬底温度之后，在衬底表面上沉积外延材料层。然后，对于额外数量的衬底，该方法包括重复以下步骤：在反应室内提供衬底，稳定衬底的温度，以及在衬底上沉积外延材料层，随后进行另一次室清洁。
高温控制多晶清洁过程

[发明专利]一种提升SiC外延层厚度和载流子浓度均匀性的方法-CN202310859106.6在审
发明人：张梦龙;雷剑鹏;韩理想;王小周;李京波;郑筌升 -专利权人：浙江芯科半导体有限公司
申请日： 2023-07-13 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： C30B25/16 文献下载
摘要：本发明涉及SiC晶圆领域，具体公开了一种提升SiC外延层厚度和载流子浓度均匀性的方法，具体包括以下步骤：S1、将Si源与C源放在反应腔室的Si面4H碳化硅衬底上，进行反应生成4H‑SiC外延层，同时充入N2作为N型掺杂气源；S2、调整工艺气源以及进气端的主旁路气体流量值进行外延生长实验；S3、根据外延层厚度均匀性和载流子浓度均匀性确定合适的Si源与C源生产比值；本发明通过调整晶圆生产中外延生长时的主旁路工艺气体比例，同时改变反应时C/Si比等生长条件参数，实现对4H‑SiC外延层的质量控制，提高厚度和掺杂均匀性，以此制备具有高质量外延层的晶圆。
一种提升 sic 外延厚度载流子浓度均匀方法

[发明专利]一种分子束外延生长渐变层的方法-CN202310744522.1有效
发明人：刘冰冰 -专利权人：合肥芯胜半导体有限公司
申请日： 2023-06-25 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： C30B25/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种分子束外延生长渐变层的方法，适用于组分渐变和掺杂渐变外延层生长，先选择固定源炉的参数值、变温源炉的变温速率或掺杂源炉的变温速率，外延层拆分成的子层数量。再根据上述已选择的三项参数计算每个子层的各项参数以及每个子层的开关挡板时间。通过每个子层的各项参数以及开关挡板时间来检查之前选择的三项参数值是否合理，不合理的进行修改直至合理。以修改后合理的参数值为准，进行外延生长，当生长到渐变层时，按照合理的参数值进行渐变生长，控制每个子层的开关挡板时间，最终实现组分或掺杂浓度与厚度之间基本呈现所需的渐变关系，同时源炉仅需要按照固定的变温速率变温，使得生长具有良好的重复性和稳定性。
一种分子外延生长渐变方法

[发明专利]外延炉清洗方法、装置、电子设备及存储介质-CN202310824886.0在审
发明人：郭嘉杰;盛飞龙;张南;刘自然;罗骞 -专利权人：季华实验室
申请日： 2023-07-06 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： C30B25/16 文献下载
摘要：本申请属于清洗碳化硅外延炉的技术领域，公开了一种外延炉清洗方法、装置、电子设备及存储介质，该方法包括：获取外延炉反应室中石墨件在清洗前的碳化硅信息，设置外延炉反应室为真空的清洗环境，调节外延炉反应室中石墨托盘的运动状态为旋转状态，利用氩气和三氟化氯气，基于预设的温度范围和预设的压力范围，结合真空的清洗环境和石墨托盘的旋转状态，对外延炉反应室进行清洗，得到清洗后的碳化硅信息，对比清洗前的碳化硅信息和清洗后的碳化硅信息，确定清洗效果，通过设置真空环境、维持石墨托盘的旋转状态和调节对应的温度及压力，利用氩气和三氟化氯气，对外延炉进行清洗，提高了外延炉清洗的效率。
外延清洗方法装置电子设备存储介质

[实用新型]外延工艺腔穹顶监测结构-CN202321356849.3有效
发明人：秦贵明;赵兴 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2023-05-30 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： C30B25/16 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种外延工艺腔穹顶监测结构，穹顶包括上下穹顶，都由透明的石英组成；监测结构包括：摄像头、安装部件和冷却部件。安装部件固定在穹顶上。摄像头固定安装在安装部件上，摄像头的镜头对准穹顶并对实时收集穹顶内部的图像。冷却部件包覆摄像头并用于对摄像头进行冷却。本实用新型能对穹顶内部部件或内部表面膜层进行实时监控，从而能避免开腔检测以及避免开腔对机台的运行时间损失，提高生产效率。
外延工艺穹顶监测结构

[发明专利]一种外延片波长良率的调整方法及系统、外延片-CN202310777452.X有效
发明人：熊小亮;焦二斌;张铭信;陈铭胜;文国昇;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-06-29 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： C30B25/16 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，具体公开一种外延片波长良率的调整方法及系统、外延片，包括：采集第i‑1炉次及第i炉次中，预备生长发光层前的石墨盘表面温度及外延片受热温度；获取第i‑1炉次及第i炉次中，所述石墨盘表面温度与所述外延片受热温度之间的温度差；获取第i炉次的初步补偿温度；基于所述第i‑1炉次中的目标波长与外延片的产出波长均值获取波长差；获取外延片的产出波长均值随反应腔的设置温度变化的斜率；基于所述初步补偿温度、所述波长差及所述斜率调整第i炉次的反应腔的设置温度。本发明可有效规避石墨盘表面的MO源残留物对温度调整的影响，温度调整更精准，有效提高外延片的波长良率。
一种外延波长调整方法系统

[发明专利]一种分子束外延低铝组分铝镓砷材料的组分校准方法-CN202310669635.X有效
发明人：陈意桥;傅祥良;钱程 -专利权人：苏州焜原光电有限公司
申请日： 2023-06-07 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： C30B25/16 文献下载
摘要：本发明涉及一种分子束外延低铝组分铝镓砷材料的组分校准方法，其中铝元素及镓元素的组分含量满足AlxGa1‑xAs，且低铝组分指铝组分含量占0.2%~10.0%，包括如下步骤：S1、测试样品中砷化镓的生长速率V1；S2、将V1与目标产品中砷化镓的生长速率V0进行对比，当V1=V0时，得到目标镓原料温度T1；S3、通过T1确定样品中砷化镓生长速率的h分之一时对应的镓原料温度大约为T2，在镓原料温度为T2时，相应地，此时样品中的铝镓砷的铝组分含量被扩大；S4、在T2温度下测试样品中砷化铝的生长速率V3；S5、将V3与目标产品中砷化铝的生长速率V2进行对比，当V3=V2时，得到目标铝原料温度T3。
一种分子外延组分铝镓砷材料校准方法

[发明专利]外延波长均匀性提升方法、系统、可读存储介质及计算机-CN202210990055.6有效
发明人：黄莉婷;焦二斌;张铭信;陈铭胜;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2022-08-18 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： C30B25/16 文献下载
摘要：本发明提供一种外延波长均匀性提升方法、系统、可读存储介质及计算机，该方法包括：将外延片划以其圆心为中心点分成多个不同半径的同心圆区域；将外延片划分为多个点集，并将各点集按照各同心圆区域的分布范围进行分配，以得到多个目标区域；计算出各目标区域的均值波长，并根据均值波长计算出外延片的斜率；将石墨承载盘上所有外延片循环上述步骤得到所有外延片的斜率，将石墨承载盘按照圆槽分布划分为多个圆槽区域，并根据各圆槽区域上外延片的分布情况和所有外延片的斜率计算出各圆槽区域的斜率均值；为各圆槽区域添加翘曲系数，并根据斜率均值以及翘曲系数调整石墨承载盘的工艺参数，以提升石墨承载盘上的所有外延片的发光波长的均匀性。
外延波长均匀提升方法系统可读存储介质计算机

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
下一页»
尾页
共 163 条