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[发明专利]半导体基板及其制造方法、制造装置、电子部件以及电子设备-CN202180087388.1在审
发明人：神川刚;正木克明;林雄一郎;小林敏洋 -专利权人：京瓷株式会社
申请日： 2021-12-28 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： C30B25/04 文献下载
摘要：半导体基板具备基底基板、具有开口部及掩模部的掩模层、以及包括GaN系半导体的GaN系半导体层。GaN系半导体层具有：第一部分，其位于掩模部上；第二部分，位于开口部上，并且沿厚度方向切断GaN系半导体层的剖面中的非穿透位错的位错密度小于第一部分。
半导体及其制造方法装置电子部件以及电子设备

[发明专利]半导体基板、半导体器件、电子设备-CN202180087640.9在审
发明人：神川刚;正木克明;小林敏洋;林雄一郎 -专利权人：京瓷株式会社
申请日： 2021-12-28 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： C30B25/04 文献下载
摘要：具备：异种基板(1)；具有开口部(KS)以及掩模部(5)的掩模层(6)；与开口部重叠的晶种部(3S)；和配置于晶种部上以及掩模部上的包含GaN系半导体的半导体层(8)，在半导体层的有效部(YS)的上表面包含在沿着开口部的宽度方向的第1方向上具有10μm的尺寸、在与第1方向正交的第2方向上具有10μm的尺寸的至少1个低缺陷区域(AL)，在低缺陷区域(AL)中，通过CL法没有测到线状缺陷。
半导体半导体器件电子设备

[发明专利]用于制造结晶膜的方法-CN201810948079.9有效
发明人：大岛佑一;藤田静雄;金子健太郎;嘉数诚;河原克明;四户孝;松田时宜;人罗俊实 -专利权人：株式会社FLOSFIA;国立研究开发法人物质·材料研究机构;国立大学法人京都大学;国立大学法人佐贺大学
申请日： 2018-08-20 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： C30B25/04 文献下载
摘要：根据本发明主题的方面，用于制造结晶膜的方法包括：气化含金属的金属源以将金属源转化为含金属的原料气体；将含金属的原料气体和含氧的原料气体供应到反应室中到包括缓冲层的基板上；以及将反应气体供应到反应室中到基板上，以在反应气体的气流下在基板上形成结晶膜。
用于制造结晶方法

[发明专利]一种改善外延层异常生长的方法-CN202210154815.X在审
发明人：姜兰;王银帅 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2022-02-21 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： C30B25/04 文献下载
摘要：本发明提供一种改善外延层异常生长的方法，提供基底，在基底上形成外延层；在外延层上形成硬掩模层；对硬掩模层进行等离子氦气处理；对外延层进行光刻和刻蚀；湿法清洗；进行表面预清洗，之后进行外延层的再沉积。本发明对硬掩模层进行等离子氦气处理，降低SiN刻蚀速率，有利于保护硬掩模版结构不被破坏，提高其对SiP及SiGe的保护作用，减少外延层SiGe或SiP在NMOS或PMOS源漏的异常生长，提升EPI流程的工艺窗口。
一种改善外延异常生长方法

[发明专利]一种用MBE横向生长纳米线的方法-CN202111636119.4在审
发明人：魏志鹏;唐吉龙;李科学;林逢源;贾慧民;张贺;王晓华;马晓辉 -专利权人：长春理工大学
申请日： 2021-12-29 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： C30B25/04 文献下载
摘要：一种用MBE横向生长纳米线的方法。本发明涉及微纳光波导领域，公开了一种半导体纳米线光波导材料的制备方法。本发明提供的纳米线横向生长方法包括：衬底表面氧化层去除、衬底表面台阶制备、台阶衬底表面热氧化形成氧化层、台阶侧壁圆形窗口制备、台阶下低平面上沟槽制备、处理后的衬底表面清洗、处理后的衬底在分子束外延设备中横向生长纳米线。本发明利用侧壁圆形窗口、低平面上沟槽结合金属液滴引导纳米线横向生长，有效解决现阶段制备纳米线的方法中无法实现纳米线横向生长的问题，获得晶体质量好的横向纳米线材料。
一种 mbe 横向生长纳米方法

[发明专利]一种大尺寸单晶金刚石外延层剥离方法-CN202111645876.8在审
发明人：邹广田;李根壮;吕宪义;王启亮;李柳暗;谢文良;林旺;董成威 -专利权人：吉林大学;吉林大学深圳研究院
申请日： 2021-12-30 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： C30B25/04 文献下载
摘要：本发明的一种大尺寸单晶金刚石外延层剥离方法属于晶体生长技术领域，步骤包括在在衬底表面沉积掩膜材料，沉积保护层材料，激光刻蚀掩膜图形，获得具有图形化掩模材料的金刚石衬底，沉积生长金刚石外延层，浸泡剥离等。本发明技术方案中外延生长的单晶金刚石膜在冷却过程中由于应力的差异而自然剥离，外延生长的晶体质量高，材料损耗小，且不受材料尺寸限制。
一种尺寸金刚石外延剥离方法

[发明专利]基于铱-石墨烯结构化缓冲层的单晶金刚石外延生长方法-CN202110565858.2有效
发明人：李成明;夏天;郑宇亭;原晓芦;陈良贤;刘金龙;魏俊俊 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2021-05-24 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： C30B25/04 文献下载
摘要：本发明公开一种基于铱‑石墨烯结构化缓冲层的单晶金刚石外延生长方法，属于半导体材料制备领域。其特征在于：利用磁控溅射法在金刚石上沉积铱膜，随后对该金刚石/铱叠层衬底进行周期性图形化处理，再利用磁控溅射法沉积镍膜以填补非图形化区域；随后对金刚石进行真空退火，使得金刚石通过镍催化作用发生相变，经过相变形成的碳溶解在镍中并在其表面形成石墨烯。利用铱‑石墨烯复合图形化结构缓解衬底与金刚石之间的晶格失配及热膨胀失配，接着采用化学气相沉积技术在偏压条件下加速金刚石形核并扩展合并，最终在不加载偏压条件下实现单晶金刚石的外延生长。该方法能够实现大尺寸高质量自支撑单晶金刚石的制备。
基于石墨结构缓冲金刚石外延生长方法

[发明专利]金刚石结构图形的构建方法-CN202111614451.0在审
发明人：曾凡初;魏浩胤;苗建国;彭国令 -专利权人：长沙新材料产业研究院有限公司
申请日： 2021-12-27 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： C30B25/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种金刚石结构图形的构建方法，包括以下步骤：在金刚石衬底表面制作胶层结构图形；所述胶层结构图形表面沉积金属掩膜结构，去除胶层结构，形成了仅有金属掩膜结构的金刚石衬底，未覆盖金属掩膜的部分构成待生长图形；所述金属掩膜结构未覆盖的金刚石衬底表面同质外延生长金刚石；去除所述金属掩膜结构，得到金刚石结构图形。本发明在金刚石衬底表面形成垂直度好的金属结构，从而以所述金属掩膜结构为模板生长(加法)得到的金刚石结构图形，既节约了材料成本，也节约了金刚石生长及金刚石刻蚀等金刚石加工工艺成本，并得到高质量的结构图形。当金属掩膜结构为金属沟槽时，能够得到较好的垂直度的金刚石微纳沟槽，沟槽的倾角为90°。
金刚石结构图形构建方法

[发明专利]提高氮化铝材料晶体质量的外延生长方法及氮化铝材料-CN202010103574.7在审
发明人：孙钱;黄应南;刘建勋;孙秀建;詹晓宁;高宏伟;杨辉 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2020-02-20 - 公布日： 2021-08-20 - 主分类号： C30B25/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高氮化铝材料晶体质量的外延生长方法及氮化铝材料。所述提高氮化铝材料晶体质量的外延生长方法包括：在衬底上生长形成氮化铝底层，在所述氮化铝底层上生长氮化铝孔洞形成层，同时在氮化铝孔洞形成层内形成复数个孔洞；在所述氮化铝孔洞形成层上生长氮化铝合并层，并使形成氮化铝合并层的材料在各孔洞顶部合并而原位形成空洞，且使所述空洞被包裹在氮化铝合并层内部，从而使在所述空洞之上形成的外延层具有平整无裂纹的表面。本发明的提高AlN材料质量的外延生长方法具有降低位错密度效果显著、可以同时抑制裂纹、工艺简单、适应性广等许多优点，从而生长更厚的无裂纹、高质量的AlN材料，完全适合应用于商业化生产。
提高氮化材料晶体质量外延生长方法

[发明专利]一种带悬臂结构金刚石及其制备方法-CN201910941388.8有效
发明人：黄翀;彭琎 -专利权人：长沙新材料产业研究院有限公司
申请日： 2019-09-30 - 公布日： 2021-03-23 - 主分类号： C30B25/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种带悬臂结构金刚石及其制备方法，方法包括：在金刚石表面沉积非金属材料；对金刚石结构表面进行磨平、抛光处理；在光滑金刚石结构制备掩膜层，然后在掩膜层金刚石面生长金刚石；然后激光切割、磨抛；并去除掩膜层及填充材料，得到悬臂结构金刚石。制备方法制备的悬臂结构金刚石，应用于芯片中，具有非常高的灵敏度和可靠性。
一种悬臂结构金刚石及其制备方法

[发明专利]一种基于叠层掩模衬底的衬底剥离方法-CN201910706403.0在审
发明人：张晓蓉;郑烨琳;冯筱;陈明兰 -专利权人：北京飓芯科技有限公司
申请日： 2019-08-01 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： C30B25/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于叠层掩模衬底的衬底剥离方法。该方法包括：1)使用MOCVD技术在三维叠层掩模衬底上生长III族氮化物材料，形成III族氮化物材料薄膜；2)使用HVPE技术在所述连续薄膜上生长III族氮化物材料，形成III族氮化物材料厚膜；3)通过冷却在三维叠层掩模衬底和III族氮化物材料厚膜之间产生应力，从而实现自分离。采用本发明方法，由于与衬底的弱连接性，可以在冷却过程中与衬底自分离，避免了使用激光剥离等昂贵技术，节省了工艺步骤和时间，显著提高了生产良率，提高了产品质量；采用的特制三维叠层掩模衬底能够配合MOCVD生长出高质量的薄膜，进而能够通过HVPE外延出高晶体质量的厚膜。
一种基于叠层掩模衬底剥离方法

[发明专利]一种大规模GaN纳米线阵列的制备方法-CN201810107064.X在审
发明人：王现英;康云龙;王丁;杨俊和 -专利权人：上海理工大学
申请日： 2018-02-02 - 公布日： 2018-08-24 - 主分类号： C30B25/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种大规模GaN纳米线阵列的制备方法，通过外延方法在衬底上外延GaN基结构薄膜；在上述薄膜上生长掩膜层，并将掩膜层制备成相应的图案；采用干法刻蚀工艺刻蚀制备侧壁陡峭的纳米结构；采用碱性溶液腐蚀步骤3）所述的纳米结构，制备侧壁光滑排列规则的纳米线阵列；对阵列加工处理形成需要的纳米线结构。采用本发明的方法可以获得侧壁光滑、长径比可控、位置可控的GaN基纳米线阵列。本发明的方法简单易行，适合规模化制备的特点，制备所得纳米线阵列可广泛应用于光电器件、能量转换器件、气敏探测器件、光解水器件以及高频器件等。
制备纳米线阵列侧壁纳米结构掩膜层光滑干法刻蚀工艺能量转换器件纳米线结构气敏探测器高频器件光电器件碱性溶液结构薄膜排列规则位置可控长径比光解水规模化衬底可控刻蚀薄膜陡峭腐蚀图案生长应用

[发明专利]一种选择区域外延生长界面保护方法-CN201410259957.8在审
发明人：刘扬;周德秋;杨帆;倪毅强 -专利权人：中山大学
申请日： 2014-06-12 - 公布日： 2014-09-03 - 主分类号： C30B25/04 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体工艺方法，具体涉及一种选择区域外延生长界面保护方法，包括下述步骤。首先提供所需外延生长的衬底，在所述衬底上部分覆盖一层光刻胶保护层，在所述光刻胶保护层上继续淀积一层介质层，作为掩膜层，而后采用光刻胶剥离工艺去除所述光刻胶保护层及光刻胶保护层上的介质层，实现对掩膜层的图形化，最后在未被掩蔽的区域进行外延生长。本发明工艺简单，可以很好地解决传统光刻和腐蚀方法制作掩膜层时容易损伤生长界面的问题。
一种选择区域外延生长界面保护方法

[发明专利]一种使用图形化退火多孔结构进行GaN单晶生长的方法-CN201410114052.1有效
发明人：郝霄鹏;戴元滨;吴拥中;张雷;邵永亮;刘晓燕;田媛 -专利权人：山东大学
申请日： 2014-03-25 - 公布日： 2014-06-18 - 主分类号： C30B25/04 文献下载
摘要：一种使用图形化退火多孔结构进行GaN单晶生长的方法，包括以下步骤：（1）在GaN外延片上制备SiO₂图形掩膜；（2）将带有SiO₂图形掩膜的GaN外延片在真空炉内高温退火；（3）将退火后的带有SiO₂图形掩膜的GaN外延片形成多孔GaN衬底；（4）将多孔GaN衬底HVPE外延生长，得到GaN单晶。该方法通过GaN外延片图形掩膜制备、高温退火、清洗干燥以及HVPE法生长，最后得到了高质量的GaN单晶，并有利于外延生长的GaN单晶自剥离形成自支撑衬底，这种方法制作简单、工艺成熟，能够提高外延生长GaN单晶的质量，有利于实现GaN单晶与异质衬底的自剥离，适合批量生产。
一种使用图形退火多孔结构进行 gan 生长方法

[发明专利]硅外延生长的工艺方法-CN201210291209.9有效
发明人：刘继全;高杏 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2012-08-16 - 公布日： 2013-04-10 - 主分类号： C30B25/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅外延生长的工艺方法，包括：1）在硅基底上，生长二氧化硅或氮化硅掩蔽层，或以二者叠加作为掩蔽层；2）形成硅单晶生长窗口；3）对硅单晶生长窗口进出预处理，形成厌氧表面；4）进行第一硅单晶外延生长；5）在第一硅单晶外延上生长第二硅单晶，在掩蔽层上生长第一硅多晶；6）在第二硅单晶上生长第三硅单晶，在第一硅多晶上生长第二硅多晶。本发明可实现多层次外延结构同步生长，实现同等沟槽宽度下，较高硅单晶有效区域，并减少高温多晶层厚度，实现更低硅多晶表面粗糙度，可应用于平面光波导功率分路器的制造中。
外延生长工艺方法

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