[发明专利]超高真空处理SrTiO3有效

专利信息
申请号: 201910518116.7 申请日: 2019-06-14
公开(公告)号: CN110246957B 公开(公告)日: 2022-04-15
发明(设计)人: 王立莉;丁翠;刘充;薛其坤 申请(专利权)人: 清华大学
主分类号: H01L39/24 分类号: H01L39/24;H01B13/00
代理公司: 深圳市鼎言知识产权代理有限公司 44311 代理人: 张利杰
地址: 100084 北京市*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明涉及一种超高真空处理SrTiO3衬底的方法以及一种制备FeSe超导薄膜的方法。该超高真空处理SrTiO3衬底的方法包括:将一SrTiO3衬底置于一真空室中,该真空室的压强低于109mbar,该SrTiO3衬底表面为非原子级平整;以及将该SrTiO3衬底加热至900℃以上,对该SrTiO3衬底退火30分钟以上。该制备FeSe超导薄膜的方法包括:将一SrTiO3衬底置于一真空室中,该真空室的压强低于10‑9mbar,该SrTiO3衬底表面为非原子级平整;将该SrTiO3衬底加热至900℃以上,对该SrTiO3衬底退火30分钟以上;将该真空室温度降到650℃~800℃,然后向该真空室通入含氧气氛,使真空室压强保持在1×10‑6mbar~1×10‑4mbar,对该退火后的SrTiO3衬底进行补氧处理10分钟~30分钟;以及在该补氧处理后的SrTiO3衬底表面生长FeSe高温超导薄膜。
搜索关键词: 超高 真空 处理 srtio base sub
【主权项】:
1.一种处理SrTiO3衬底的方法,其特征在于,其包括以下步骤:将一SrTiO3衬底置于一真空室中,该真空室的压强低于10‑9mbar,该SrTiO3衬底表面为非原子级平整;以及将该SrTiO3衬底加热至900℃以上,对该SrTiO3衬底退火30分钟以上。
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  • 杨丽娜;冯加贵;熊康林;吴艳伏;李睿颖;贾浩林 - 材料科学姑苏实验室
  • 2022-04-11 - 2022-07-12 - H01L39/24
  • 本发明提供了一种满足大晶圆尺寸的约瑟夫森结、制备方法和用途,在衬底上制备Ta(110)膜,光刻制备超导电路结构,掩膜光刻形成下电极Ta(110)层,下电极Ta(110)层表面制备Ta2O5氧化层作为中间层,掩膜光刻形成上电极Ta(110)层,制备得到所述的约瑟夫森结。本发明以Ta(110)超导薄膜作为约瑟夫森结的下电极和上电极,其表面的Ta2O5氧化层具有致密、稳定等特点,可采用食人鱼溶液进行钝化、优化,进一步去除光刻残胶,并保证超导电路结构及约瑟夫森结的稳定,具有工艺步骤简洁、稳定可控、集成度高等特点,可制备满足大晶圆尺寸范围内均一、稳定的约瑟夫森结,适用于不同面积的约瑟夫森结的调控。
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