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[发明专利]一种IGBT用硅外延生长过程报警补救的方法-CN202311068416.2在审
发明人：刘奇;李明达;傅颖洁;龚一夫;唐发俊 -专利权人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
申请日： 2023-08-24 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种IGBT用硅外延生长过程报警补救的方法，当外延生长过程出现报警时，进行如下步骤：启动氢气保护，以流量为70～90 L/min的氢气对外延炉的反应腔体进行吹扫；用刻蚀速率为5～9μm/min的氯化氢气体对报警外延片进行抛光10～40s后以流量为70～90 L/min的氢气进行吹扫；以第一生长速率在报警的外延片表面生长一层外延层，再以第二生长速率继续生长补足厚度要求，所述第一生长速率为0.5～1μm/min，所述第二生长速率为1.5‑2μm/min。本发明所述的方法可以有效降低报废率，整体提高良率10个百分点。
一种 igbt 外延生长过程报警补救方法

[发明专利]一种用于PVT法生长CdS单晶的原料处理方法-CN202111457401.6有效
发明人：徐世海;徐晋杰;王英民;李轶男;陈晓旭;耿莉 -专利权人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
申请日： 2021-12-02 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： B02C17/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于PVT法生长CdS单晶的原料处理方法，是采用德国FRITSCH Pulverisette5四星式球磨机的高能球磨法，将原料置于装有磨球的球磨罐中，利用球磨机的高速转动，使研磨球对原料进行强烈的撞击、研磨和搅拌，把粉末粉碎为微米级颗粒的方法，可获得均匀细小的CdS粉末。采用此微分进行后续的PVT法晶体生长，有效降低了微管及位错等缺陷密度。
一种用于 pvt 生长 cds 原料处理方法

[发明专利]一种高填料超薄聚四氟乙烯基复合介质基片制备方法-CN202211471225.6有效
发明人：金霞;李强;贾倩倩;武聪;张立欣;王丽婧;窦瑛;冯贝贝;韩伏龙 -专利权人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
申请日： 2022-11-23 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： C08J9/36 文献下载
摘要：本发明涉及一种高填料超薄聚四氟乙烯基复合介质基片制备方法，按重量比将51%~75%的陶瓷粉、15%~25%的聚四氟乙烯乳液、1%~13%的纤维，8%~19%的去离子水混合搅拌得到复合浆料，再加入占复合浆料重量比为5%~15%的絮凝剂，搅拌15min~30min，滤水，得到面团状的高填料PTFE复合湿料，经过常温压延、超临界干燥、雾化喷涂浸润剂、大压力压延技术、高温烘干，将高填料PTFE复合湿料制得高填料超薄PTFE基复合介质基片，大幅度提高高填料超薄PTFE基复合基片的厚度均匀性，避免了大量润滑剂在介质基片加工成基板的过程中出现氧化、变黑、形成气孔，继而引起材料的损耗大、吸水率大等一系列问题。
一种填料超薄聚四氟乙烯复合介质制备方法

[发明专利]一种晶片缺陷的快速标记方法-CN202211523463.7有效
发明人：张弛;王英民;程红娟;李晖;霍晓青;高飞;王健;王磊;高鹏程 -专利权人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
申请日： 2022-12-01 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶片缺陷的快速标记方法。本方法将晶片粘贴板表面均匀划分若干个区域，每个区域均匀设有若干个方格，每个方格之间设有相互垂直的沟槽，每个方格表面均设有数字编号作为用于记录晶片表面缺陷的标记。本发明设计的晶片粘贴板能将晶片在贴片过程中的所用的粘贴蜡均匀排出，保证晶片粘贴后的TTV能够达到2μm内，解决了晶片在贴片过程中TTV较差的问题；对透明或半透明晶片加工过程中的表面划痕、缺陷等损伤通过晶片粘贴板上的数字坐标能对显微镜下标记的缺陷进行快速准确定位，有效解决了晶片粘贴不平和缺陷快速定位分析的问题。本发明有助于后续对晶片表面质量问题进一步研究分析。
一种晶片缺陷快速标记方法

[发明专利]一种多块粘接碳化硅晶锭装置的使用方法-CN202011426074.3有效
发明人：张弛;高飞;李晖;王磊;张海磊;郝俊宝 -专利权人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
申请日： 2020-12-09 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： C30B33/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种多块粘接碳化硅晶锭装置的使用方法，装置包括底座、定位孔、固定杆、带内螺纹盲孔的定位块、基准杆、带内螺纹通孔的滑块、晶锭垫块，晶锭压块、气缸杆连接件，气缸、气缸支撑架；晶锭垫块通过定位孔设置在底座上；两根固定杆和一根基准杆设置在底座上以底座中心为圆心的同一圆周上，相互间夹角120º，圆周半径与所需粘接的晶锭半径相匹配；定位块设置在固定杆上，滑块设置在基准杆上，在滑块的内螺纹通孔内设置顶紧螺钉，晶锭压块设置在气缸杆连接件的端头；本发明能将多块晶锭粘接在一个圆柱体内，保证每块晶锭同轴，解决了由于粘接晶锭晶片晶向不一致而导致切割时间长人工成本高等问题。
一种多块粘接碳化硅装置使用方法

[发明专利]一种用于实现氮化铝单晶生长所需温度分布的方法-CN202310225035.4有效
发明人：赖占平;王增华;程红娟;王英民;郝建民;张丽;殷利迎;史月增 -专利权人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
申请日： 2023-03-10 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于实现氮化铝单晶生长所需温度分布的方法。在采用的高温炉中没有设置双加热器热场条件下，采取在高温炉中垂直放置圆形加热器，同轴放置钨坩埚和圆形钨套筒，圆形钨套筒和钨坩埚的底部与圆形加热器垂直方向的中部在同一水平面上；圆形钨套筒分为薄壁区域和厚壁区域。通过在钨坩埚的外侧嵌套具有特定外形的钨套筒，利用金属钨高热导和高比热容的特点来实现高实现温度分布模式的精确重构，最终满足氮化铝单晶生长对温度分布的要求。采用本发明有效避免常规方法所引入的高温炉温度分布模式设计难度大、单晶生长工艺复杂度的显著提升、设备成本、维护成本显著提升等问题。
一种用于实现氮化铝单晶生长温度分布方法

[发明专利]一种适用于大尺寸氮化铝晶体生长的原料装进和取出方法-CN202310226703.5在审
发明人：殷利迎;赖占平;程红娟;张丽;王增华;史月增;郝建民;王英民 -专利权人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
申请日： 2023-03-10 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： C30B29/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种适用于大尺寸氮化铝晶体生长的原料装进和取出方法，该方法将一个倒置的坩埚固定在PVT炉内，将原料块放在形状与挡板中心孔形状相同且开有中心孔的原料支撑板上；用支撑杆将原料支撑板自坩埚下方开口处送至上方，并保持原料支撑板外轮廓与挡板中心孔取向的一致；整体旋转一定角度置于挡板上；将籽晶固定在坩埚的下盖上，盖严坩埚下开口，装料过程完成；待生长结束后，取下下盖，用支撑杆深入至原料支撑板底部并顶起旋转一定角度，下移支撑杆，原料支撑板和原料块整体下移，直至从坩埚下开口取出。本发明可以避免频繁移动大重量坩埚的操作，大大简化原料及籽晶的放置和取出，有望实现对气体组分输运以及生长速率的简单控制。
一种适用于尺寸氮化晶体生长原料装进取出方法

[发明专利]一种PTFE基材的表面活化处理方法-CN202111476183.0有效
发明人：窦瑛;冯春明;贾倩倩;武聪;王军山;李强;洪颖 -专利权人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
申请日： 2021-12-06 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： C08J7/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种PTFE基材的表面活化处理方法，包含两个步骤：首先，将PTFE基材进行电晕活化处理，利用高频高压下放电刀架和刀片的间隙产生的电晕放电，电离两极之间的空气，产生臭氧，氧化PTFE基材的表面分子，增加表面能，并使PTFE基材受电子冲击后表面粗糙度增大，进而初步改善PTFE基材的润湿性；其次，将经电晕活化处理的PTFE基材进行萘钠溶液处理，使PTFE基材表面的失去部分氟原子，然后在PTFE基材表面引入羟基、羰基和不饱和键等极性基团，增大表面能，高效均匀地提高润湿性。本发明可以实现高亲水性的PTFE基材表面活化处理效果，而且有利于连续式生产多层板用层间粘结片。
一种 ptfe 基材表面活化处理方法

[发明专利]一种大芯包比掺稀土光纤预制棒的制备方法-CN202211647314.1在审
发明人：沈一泽;衣永青;潘蓉;耿鹏程;武洋;赵振学;罗瑞芳;朱维震;杨鹏 -专利权人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
申请日： 2022-12-21 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： C03B37/018 文献下载
摘要：本发明涉及一种大芯包比掺稀土光纤预制棒的制备方法，将石英反应管缩成掺稀土光纤预制棒；在其中间掺稀土芯部进行钻孔并整体取出，形成掺稀土细径芯棒，在两端各熔接一根直径大于掺稀土细径芯棒的石英棒作为支撑棒；使用氢氧焰对熔接支撑棒的掺稀土细径芯棒进行高温火焰抛光处理；重新将一根新石英反应管接入MCVD沉积车床，按照上述的方法进行预制棒芯部沉积，将处理好的掺稀土细径芯棒从石英反应管的左侧放入石英反应管中心位置，将支撑棒固定在MCVD车床上保持同步旋转；再次提升氢氧焰温度，将石英反应管与掺稀土细径芯棒共同缩成实心预制棒，得到大芯包比的掺稀土光纤预制棒。降低了预制棒加工难度，提高了掺稀土芯部掺杂均匀性。
一种大芯包稀土光纤预制制备方法

[发明专利]一种高贴合度粘接膜材料的加工方法-CN202211563872.X在审
发明人：武聪;李强;闫宏;贾倩倩;冯春明;杨天宇;王军山;王丽音 -专利权人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
申请日： 2022-12-07 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： B29D7/01 文献下载
摘要：本发明公开了一种高贴合度粘接膜材料的加工方法。加工方法包括制备方法和贴合方法两部分，制备方法采用涂布机对薄膜材料进行涂覆，形成粘接膜材料；贴合方法采用贴合装置对形成的所述粘接膜材料进行两面贴合离型纸，最后裁切成产品。通过调节薄膜材料第一面涂覆的收卷速度、离型纸克重、离型纸放卷速度、第一上下压合辊和第二上下压合辊压力，结合粘接膜厚度均匀性、打孔状态以及剥离力来控制粘接膜材料与离型纸间的贴合度、贴合均匀性，采用本方法加工，最终制备高贴合度的粘接膜材料产品。
一种贴合度粘接膜材料加工方法

[发明专利]一种在无下辅热钨加热器的高温炉中实现下辅热的方法-CN202310226694.X在审
发明人：王英民;王增华;程红娟;张丽;史月增;殷利迎 -专利权人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
申请日： 2023-03-10 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： C30B35/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种在无下辅热钨加热器的高温炉中实现下辅热的方法，该方法采取在高温炉中垂直放置一个圆形加热器，在圆形加热器内同轴放置一个圆形钨支撑件，圆形钨支撑件的下端与圆形加热器下端处于同一水平面上，在圆形钨支撑件上放置钨坩埚；圆形钨支撑件的上下端加工多个槽孔，每个槽孔一一对应；当加热器以30 kW的额定功率工作时，钨坩埚底部的温度达到2280‑2300℃。本发明利用烟囱效应使得近常压状态下的高温炉中的气体发生对流加热坩埚底部，使得坩埚底部获得高于坩埚侧壁的温度，实现了单加热器具备下辅热能力，有效避免了因常规方法引入的高温炉设计难度大、设备损坏几率高、维护成本高以及工艺复杂或工艺稳定性差等问题。
一种无下辅热钨加热器高温实现下辅热方法

[发明专利]用于氮化铝单晶抛光片（0001）面的极性面区分方法-CN202110266073.5有效
发明人：徐世海;张丽;赖占平;陈红娟;李晖;高飞;边子夫;李宝珠 -专利权人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
申请日： 2021-03-11 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： G01N31/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于氮化铝单晶抛光片（0001）面的极性面区分方法，将100份去离子水中加入5~10份乙胺、15~30份6508异丙醇酰胺，使溶液混合均匀；将盛有混合溶液的烧杯置于加热台上，加热至60~70℃，用塑料镊子夹持将表面清洗后的（0001）面氮化铝双面抛光片放入烧杯之中，保持晶片两个抛光面与混合溶液充分接触，静置5~10分钟后将氮化铝抛光片取出；用去离子水冲洗干净，观察晶片的正反两个表面，其中仍保持光滑的为Al面，变粗糙的为N面。本发明的有益效果是：采用化学试剂腐蚀，并根据Al面和N面在试剂作用下的不同变化区分极性面，是一种较为理想的方法。
用于氮化铝单晶抛光 0001 极性区分方法

[发明专利]一种VGF法生长正方形锗单晶的方法及使用的下坩埚-CN202211264980.7在审
发明人：陈晨;周春锋;边义午;兰天平;庞炳远;张伟才;王东兴 -专利权人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
申请日： 2022-10-17 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种VGF法生长正方形锗单晶的方法及使用的下坩埚，将一块原料锗多晶加工成横截面为圆角正方形的长方体；将锗单晶籽晶加工成横截面为圆角正方形的长方体；下坩埚的横截面为圆角正方形，下坩埚下部的籽晶井的横截面为圆角正方形；装炉时，圆角正方形横截面的原料锗多晶放置在圆角正方形横截面的下坩埚内，圆角正方形横截面的锗单晶籽晶放置在圆角正方形横截面的籽晶井内，锗多晶料在下坩埚内通过锗单晶籽晶引晶生长成横截面为圆角正方形的锗单晶块。圆角正方形的锗单晶块加工成为正方形抛光片后，作为衬底用于制作空间太阳电池片，在划片过程中可节约材料，减少裁片去除量，进而降低原材料成本。
一种 vgf 生长正方形锗单晶方法使用坩埚

[发明专利]一种光电倍增管器件用薄层高阻硅外延片的制备方法-CN202210931403.2在审
发明人：李明达;傅颖洁;居斌;边娜;刘云;翟玥 -专利权人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所;中电晶华（天津）半导体材料有限公司
申请日： 2022-08-04 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种光电倍增管器件用薄层高阻硅外延片的制备方法，通过在硅衬底片装片前，设计对反应腔体以及石墨基座多次进行氯化氢气体的刻蚀和多晶硅包覆层的循环清洁过程，净化了反应腔体的生长环境，并且通过在硅外延层生长过程中精确调节工艺氢气的流量、三氯氢硅的流量、硅外延层反应生长的温度工艺参数，显著降低硅外延层的生长速率，从而延长薄层硅外延层的反应过程，扩大稳态生长阶段的占比，实现薄层高阻硅外延层的高均匀性分布，最终获得一种硅外延层厚度在1μm量级的薄层高阻硅外延层的制备方法，工艺简单，兼容性强，大大提升生产效率，节省生产成本，适合工业化连续生产，满足光电倍增管器件用薄层高阻硅外延片的生产订单交付要求。
一种光电倍增管器件薄层高阻硅外延制备方法

[发明专利]一种纤芯数值孔径可变的光子晶体光纤及制作方法-CN202211563237.1在审
发明人：张慧嘉;徐士杰;潘蓉;衣永青;韩志辉;崔立夫;王海;杨鹏;庞璐 -专利权人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
申请日： 2022-12-07 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： G02B6/02 文献下载
摘要：一种纤芯数值孔径可变的光子晶体光纤，光纤横截面由内到外依次为纤芯区和包层区，在包层区内设置包层空气孔，若干个包层空气孔以纤芯区的轴心为中心，环绕于纤芯区外围，沿光纤轴向分布且贯穿整根光纤；在包层区内，包层空气孔至少有一圈；光子晶体光纤两端的包层空气孔的包层基底壁宽度是可变的，相邻包层空气孔之间的包层基底宽度Δ值大的一端，其纤芯数值孔径NA相对小；相邻包层空气孔之间的包层基底宽度Δ值小的一端，其纤芯数值孔径NA相对大。在本发明的光子晶体传能光纤拉制过程中，通过改变对空气包层施加压力的大小，改变包层空气孔的大小，从而改变光纤纤芯的数值孔径，最终形成数值孔径可变的光子晶体传能光纤。
一种数值孔径可变光子晶体光纤制作方法

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