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[发明专利]一种锂离子电池叠片单元、电芯及其制备方法、锂离子电池-CN201510734609.6在审
发明人：许飞;李小涛;张向举 -专利权人：多氟多（焦作）新能源科技有限公司
申请日： 2015-11-02 - 公布日： 2016-02-17 - 主分类号： H01M10/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种锂离子电池叠片单元、电芯及其制备方法、锂离子电池，属于锂离子电池技术领域。本发明的锂离子电池叠片单元包括内电极片、隔膜以及与内电极片极性相反的外电极片，所述内电极片的两个侧面上分别通过粘结剂粘结有所述隔膜，所述隔膜的外侧面上通过粘结剂粘结有所述外电极片。本发明的锂离子电池叠片单元，一方面能够防止隔膜相对于极片发生错位，避免了正极片和负极片之间发生短路，另一方面，在制作电芯时，由于省去了部分向极片中夹设隔膜的工序，大大节省了电芯制作的时间，提高了锂离子电池的生产效率。
一种锂离子电池单元及其制备方法

[发明专利]一种平板式固体氧化物燃料电池用半柔性复合双极板及其制备方法-CN201510779928.9在审
发明人：吴昊;占忠亮;钱继勤;孟燮 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2015-11-13 - 公布日： 2016-02-17 - 主分类号： H01M4/86 文献下载
摘要：本发明涉及一种平板式固体氧化物燃料电池用半柔性复合双极板及其制备方法，所述复合双极板为半柔性结构，包括：中间合金层、位于所述中间合金层的一侧表面上的阳极流道层、以及位于所述中间合金层的另一侧表面上的阴极流道层，所述中间合金层为硬性致密合金平板，所述阳极流道层为具有燃料气流道的柔性多孔层，所述阴极流道层为具有氧化气流道的柔性多孔层。本发明设计的“柔性多孔|硬性致密|柔性多孔”复合结构，其中柔性多孔层包含毫米级和微米-亚微米级两种线宽尺度的气体传输通道，可有效改善反应气在流道层传输中的分布不均匀性问题，尤其是改善“凹槽”区域和“凸道”区域之间反应气存在过大浓度梯度的问题。
一种平板固体氧化物燃料电池柔性复合极板及其制备方法

[发明专利]纳米管状结构材料Li₉V₃(P₂O₇)₃(PO₄)₂的制备方法-CN201510646910.1在审
发明人：童东革;苗雪;李春;储伟;吴平 -专利权人：成都理工大学
申请日： 2015-10-08 - 公布日： 2016-02-17 - 主分类号： H01M4/58 文献下载
摘要：本发明涉及纳米材料技术领域，尤其涉及一种管状结构Li₉V₃(P₂O₇)₃(PO₄)₂纳米材料的制备方法，在Ar气氛中，将反应器中的LiH₂PO₄和NaNO₃加热至580℃形成混合熔盐；将VCl₂加入混合熔盐中反应所得。本发明提供的纳米管状结构材料Li₉V₃(P₂O₇)₃(PO₄)₂的制备方法，采用简单的一步熔盐法，在不需模板的条件下，首次直接制备出一维管状Li₉V₃(P₂O₇)₃(PO₄)₂纳米材料，与常规制备方法相比，不需模板剂，更为简单经济，且能够实现大规模制备；与常规方法制备出的Li₉V₃(P₂O₇)₃(PO₄)₂材料相比，具有更优良的循环稳定性和倍率性能，还具有更为优良的锂存储特性，更适用于快速充放电过程。
纳米管状结构材料 li sub po 制备方法

[发明专利]用于制作锂离子电池负极的负极浆料及其制备方法、锂离子电池负极和电池-CN201510946032.5在审
发明人：秦海青;刘文平;林峰;卢宗柳;张振军;雷晓旭;张健伟;卢安军;蒙光海;张莉丽 -专利权人：中国有色桂林矿产地质研究院有限公司
申请日： 2015-12-17 - 公布日： 2016-02-17 - 主分类号： H01M4/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于制作锂离子电池负极的负极浆料及其制备方法、锂离子电池负极和电池。所述的负极浆料主要由活性物质、导电剂、粘结剂和溶剂制成，所述的活性物质按重量百分比计由5～10％的纳米硅粉和95～90％的石墨粉组成，其中，所述的纳米硅粉为球形且BET中粒径≤80nm的纳米硅粉；所述的溶剂按重量百分比计由0～50％的水和100～50％的挥发性有机溶剂组成，其中，所述的挥发性有机溶剂为无水乙醇、丙醇或丁酮。本发明所述负极浆料通可有效解决纳米硅粉在浆料中不好分散的问题，结合采用挥发性有机溶剂作为配制浆料的溶剂，可以有效降低分散的纳米硅粉再次团聚和偏析，保证纳米硅粉颗粒以分散颗粒的形式的均匀分布。
用于制作锂离子电池负极浆料及其制备方法电池

[发明专利]一种电池端盖的加工方法-CN201510807755.7在审
发明人：邵佳 -专利权人：靖江市佳佳工程机械制造有限公司
申请日： 2015-11-20 - 公布日： 2016-02-17 - 主分类号： H01M2/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种电池端盖的加工方法，包括以下步骤：材料准备→金属件的加工成型→注塑材料成型→组装、冲压成型→产品检验、测试，简化了加工工序，步骤简单清晰，各部件尺寸精密，从而保证了整体装配的质量，节约了加工的成本，提高了生产效率。
一种电池加工方法

[发明专利]一种高效轻质背极增益光伏组件及其生产工艺-CN201510762359.7在审
发明人：刘旭升;牛蕾;孙春燕 -专利权人：嘉兴市瑞诚电子科技有限公司
申请日： 2015-12-23 - 公布日： 2016-02-17 - 主分类号： H01L31/042 文献下载
摘要：本发明公开了一种高效轻质背极增益光伏组件及其生产工艺，该光伏组件包括背极增益光伏电池组，所述背极增益光伏电池组的两面分别设有PVB胶膜，其中一面PVB胶膜的外侧设有玻璃，另一面PVB胶膜的外侧设有透明TPT；所述背极增益光伏电池组、PVB胶膜、玻璃以及透明TPT构成光伏组件，该光伏组件的端部设有塑胶边框，所述塑胶边框底部设有导轨槽，所述背极增益光伏电池组还电连接有镶边型无遮挡接线盒。其工艺结合上述材料的改进，包括焊接、整合、层压、安装边框以及接线盒以及最后的检测工艺。本发明结合多种光伏材料以及相应的工艺改进，使得产品的最高可以提高30％的发电量，重量可以减少至0.057kg/w，产品寿命提高到30年以上。
一种高效轻质背极增益组件及其生产工艺

[发明专利]源漏结构及其制造方法-CN201410387740.5在审
发明人：王成诚 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2014-08-07 - 公布日： 2016-02-17 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本申请公开了一种源漏结构及其制造方法。其中，该源漏结构包括设置在衬底中的漏极区和源极区，漏极区包括轻掺杂超浅结和漏极重掺杂区，漏极区还包括：漏极-衬底结，设置在轻掺杂超浅结和衬底的靠近轻掺杂超浅结的侧面与底面结合处的部位，漏极-衬底结中的杂质离子与轻掺杂超浅结中的杂质离子为反型离子。通过本申请，形成了漏极-衬底结，使得轻掺杂超浅结的陡峭侧面结构变得平缓，将漏极-衬底结的最大电场降到最低，减少了靠近沟道的离子运动，从而有效减少带间隧道效应激发热电子效应，进而达到了抑制漏极干扰的效果。
结构及其制造方法

[发明专利]集成旁路二极管的倒装多结太阳电池芯片及其制备方法-CN201510659925.1在审
发明人：熊伟平;毕京锋;陈文浚;刘冠洲;杨美佳;李明阳;吴超瑜;王笃祥 -专利权人：天津三安光电有限公司
申请日： 2015-10-14 - 公布日： 2016-02-17 - 主分类号： H01L27/142 文献下载
摘要：本发明公开集成旁路二极管的倒装多结太阳电池芯片及其制备方法，自上而下包含：玻璃盖片；透明粘接层；正面电极；n/p光电转换层；p/n隧穿结；n/p旁路二极管结构层，其p型层被部分蚀刻，露出部分n型层；第一背面电极，覆盖但不超出所述的旁路二极管p型层；第二背面电极，覆盖但不超出露出的旁路二极管n型层；所述太阳电池芯片包括至少一通孔，其贯穿所述n/p光电转换层、p/n隧穿结、n/p旁路二极管结构层，通孔内壁沉积电绝缘层，通孔内填充金属，连接所述的正面电极与第一背面电极。本发明不占用电池芯片有效受光面积，实现了无衬底超薄电池，大幅改善电池散热，同时由于极轻的重量使得其在空间电源应用中具备突出优势。
集成旁路二极管倒装太阳电池芯片及其制备方法

[发明专利]半导体装置-CN201410851408.X在审
发明人：富田茂树 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2014-12-31 - 公布日： 2016-02-17 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：本实施方式涉及半导体装置。根据一个实施方式，半导体装置包括：半导体层，具有第1面、以及与所述第1面相反一侧的第2面；控制电极，设置于所述半导体层的第2面一侧；布线，设置于所述第2面上，与所述控制电极电连接。所述布线具有设置于所述第2面上的第1部分、以及从所述第1部分到达所述半导体层中的至少一个第2部分。
半导体装置

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201410355795.8在审
发明人：沈哲敏;李广宁 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2014-07-24 - 公布日： 2016-02-17 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供衬底，衬底具有相对的第一表面和第二表面；在衬底内形成第一插塞，第一插塞具有第一端和第二端，第一插塞的第一端与衬底的第一表面齐平，第一插塞的第二端位于衬底内，第一插塞的长度为第一尺寸；在形成第一插塞之后，对衬底的第二表面进行减薄，直至衬底的厚度为第二尺寸，第二尺寸大于第一尺寸；在对衬底的第二表面进行减薄之后，在衬底内形成第二插塞，第二插塞位于第一插塞的第二端表面，且第二插塞的顶部与衬底的第二表面齐平，第一插塞和第二插塞形成导电插塞，导电插塞贯穿衬底。所形成的半导体结构的可靠性和稳定性。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]一种用于BGA芯片的植球工具-CN201510778881.4在审
发明人：王荣;沈祺舜 -专利权人：苏州光韵达光电科技有限公司
申请日： 2015-11-14 - 公布日： 2016-02-17 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于BGA芯片的植球工具，包括芯片放置台、钢网模板、用于夹持钢网模板的夹具、升降装置。钢网模板放置在夹具的上夹板和下夹板之间，上夹板和下夹板由双向螺纹杆驱动进行相向运动，以夹持钢网模板；升降装置通过螺纹杆驱动夹具升降；芯片放置台固定在升降装置上且位于夹具的下方。生产中，升降装置驱动夹具下降，钢网模板下降至待加工的BGA芯片上方约一个焊球直径的距离，之后，将整个用于BGA芯片的植球工具放入回流炉或在返修台上面进行加温焊接。通过上述技术方案，可使锁紧或松开钢网模板的操作时间更短，操作更加简便，生产效率更高。
一种用于 bga 芯片工具

[发明专利]功率半导体器件制作方法及装置-CN201510740640.0在审
发明人：贺洪露;陈辉;罗海辉;谭灿健;宁旭斌;刘太忠 -专利权人：株洲南车时代电气股份有限公司
申请日： 2015-11-04 - 公布日： 2016-02-17 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种功率半导体器件制作方法及装置，其中，方法包括：通过在功率半导体器件的第一硅片正面贴上胶膜；对胶膜进行裁剪，剪掉未覆盖在第一硅片上的部分，使胶膜与第一硅片形状大小相同；对第一硅片背面进行减薄以及其它工艺，直至对第一硅片背面的所有工艺全部完成；从第一硅片上除去胶膜，获得第二硅片。上述方法由于在第一硅片上贴了胶膜，可避免第一硅片减薄后翘曲过大，不利于后续加工，且同时能够降低成本，简化工艺过程。
功率半导体器件制作方法装置

[发明专利]一种带快接插头的熔断器-CN201510824309.7在审
发明人：严兴;王伟;石晓光 -专利权人：西安中熔电气有限公司
申请日： 2015-11-24 - 公布日： 2016-02-17 - 主分类号： H01H85/143 文献下载
摘要：本发明公开了一种带快接插头的熔断器，熔断器和插头是一体式的，熔断器左侧是公插头，右侧是母插头，熔断器外侧设有快速密封壳体，熔断器通过对应的公插头、母插头和线缆连接。本发明具有节约成本、安全可靠的特点，适合推广应用。
一种带快接插头熔断器

[发明专利]集成开关瞬动转换机构-CN201510877905.1在审
发明人：王凯;郑远富;杨淇皓;杨登志 -专利权人：贵州华阳电工有限公司
申请日： 2015-12-04 - 公布日： 2016-02-17 - 主分类号： H01H3/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种集成开关瞬动转换机构，包括拉杆（1）、支座（2）、滑块（9），其特征在于：滑块（9）可滑动地装在支座（2）上，拉杆（1）依次穿过支座（2）和滑块（9）上的孔，滑块（9）上安装有圈体（12），带有弹簧（10）的顶锥（8）一端固定在圈体（12）上，另一端固定在拉杆（1）上，开关组件固定在支座（2）上，开关组件置于滑块（9）上方。本发明结构简单、体积小、可靠优质，适合集成开关被瞬时动作转换触发的推广使用。
集成开关转换机构

[发明专利]一种大型变压器引线组装方法-CN201510883054.1在审
发明人：王彩娟;聂鹏;陈继浩;赵贺亮;韩秀龙;卢宁 -专利权人：天威保变（秦皇岛）变压器有限公司
申请日： 2015-11-30 - 公布日： 2016-02-17 - 主分类号： H01F41/04 文献下载
摘要：本发明涉一种大型变压器引线组装方法，适用于大型变压器引线组装操作，属于变压器生产技术领域。技术方案是：按照引线结构分为三个模块，高压引线导线夹及引线模块、调压导线夹及引线模块和开关导线夹及引线模块，在装配变压器器身时，提前按照图纸单独进行三个模块的独立组装，三个模块独立组装完成后，再整体分别对接到变压器器身，与变压器器身装配同时进行，完成全部变压器引线的组装。本发明的积极效果：可以将引线组装与器身装配工序并行，能有效缩短生产周期，提高工作效率；同时便于变压器装配的规范化、程序化操作，提高装配质量和品质。
一种大型变压器引线组装方法

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