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[发明专利]一种太阳电池半成品中刚性衬底的剥离方法-CN202310891680.X在审
发明人：肖祖峰;王兵;岳伟浩;王硕;李健芳 -专利权人： 中山德华芯片技术有限公司
申请日： 2023-07-19 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种太阳电池半成品中刚性衬底的剥离方法，属于太阳电池的制造技术领域。本发明提供的剥离方法包括以下步骤：S1.在柔性衬底远离刚性衬底表面贴附记忆合金层；S2.采用腐蚀液腐蚀剥离步骤S1所得部件的刚性衬底；腐蚀剥离包括依次进行的降温阶段、恒温阶段和升温阶段；降温阶段的起始温度为记忆合金的相变温度；恒温阶段的温度为20～30℃；升温阶段的终点温度较相变温度低10℃。本发明提供的剥离方法具有效率高、产物良率高等诸多有点。
一种太阳电池半成品刚性衬底剥离方法

[发明专利]一种InGaAs短波红外探测器及其制备方法-CN202310791358.X在审
发明人：崔恒;李明阳;张小宾;刘建庆;杨文奕 -专利权人： 中山德华芯片技术有限公司
申请日： 2023-06-29 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H01L31/101 文献下载
摘要：本发明公开了一种InGaAs短波红外探测器及其制备方法，其包括；衬底；N型InP接触层；N型InP接触层位于衬底表面；InGaAs吸收层；InGaAs吸收层位于N型InP接触层表面；N‑InP待扩散层；N‑InP待扩散层位于InGaAs吸收层表面；钝化层；钝化层位于N‑InP待扩散层的表面；P电极；P电极位于N‑InP待扩散层的表面；P电极的成分为IZO膜；IZO膜通过热处理发生Zn扩散，使N‑InP待扩散层区域改掺杂为P型InP接触层；N电极；N电极位于N型InP接触层的表面。本发明的探测器在制备时可以减少工艺步骤和位置偏差，增加像元位置精度。另一方面，还能够提升电性能和对应波长的响应度。
一种 ingaas 短波红外探测器及其制备方法

[发明专利]一种三结太阳能电池及其制备方法与应用-CN202210377745.4有效
发明人：刘建庆;刘雪珍;高熙隆;杨文奕 -专利权人： 中山德华芯片技术有限公司
申请日： 2022-04-12 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： H01L31/0236 文献下载
摘要：本发明公开了一种三结太阳能电池及其制备方法与应用，该三结太阳能电池依次包括以下各层：依次包括以下各层：图形化砷化镓衬底；应力缓冲层；和子电池组。本发明还公开该太阳能电池制备方法，其包括以下步骤：S1、在砷化镓衬底上刻蚀出台状图形，得所述图形化砷化镓衬底；S2、在图形化砷化镓衬底上生长所述应力缓冲层；S3、在所述应力缓冲层表面生长所述子电池组。本发明提供的太阳能电池提升了电池转换效率。
一种太阳能电池及其制备方法应用

[发明专利]一种减反射膜及其制备方法、太阳能电池-CN202310135226.1在审
发明人：崔恒;李明阳;窦天佑;高宇庭;李荣聪;张小宾 -专利权人： 中山德华芯片技术有限公司
申请日： 2023-02-17 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明公开了一种减反射膜及其制备方法、太阳能电池。减反射膜依次包括第一ITO层、IZO层、AZO层和第二ITO层；所述第一ITO层的厚度为45～70nm；IZO层的厚度为10～25nm；AZO层的厚度为38～50nm；第二ITO层的厚度为4～15nm。本发明选择第一ITO层、IZO层、AZO层和第二ITO层作为减反射膜，通过厚度搭配，实现了400～850nm范围内良好的宽带减反射效果；另一方面，本申请的减反射膜在太阳能电池中也作为导电层，并且太阳能电池中的金属柵线可以去除，只保留金属电极，供后续封装时打线焊接，增加了透过率，提高了电流和转化效率。
一种减反射膜及其制备方法太阳能电池

[发明专利]一种柔性四结太阳电池及其制备方法与应用-CN202310019246.2在审
发明人：黄辉廉;彭赛男;王兵;张小宾;刘雪珍 -专利权人： 中山德华芯片技术有限公司
申请日： 2023-01-06 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01L31/0725 文献下载
摘要：本发明公开了一种柔性四结太阳电池及其制备方法与应用。上述柔性四结太阳电池包括以下结构；AlxGaInyP子电池层/AlzGaAs子电池层/GakIn1‑kAsmP1‑m子电池层/InhGaAs子电池层；其中，x＝0～～0.22，y＝0.48～1，z＝0～0.12，k＝0.12～0.16，m＝0.28～0.42，h＝0.50～0.55。本发明的柔性四结太阳电池，具体涉及了多种电池组合与相应的结构，实现了太阳电池中各子电池之间的晶格匹配和光电流的匹配，使得本发明的柔性四结太阳电池的光电转换效率可以达到35.1％，功率质量比可以达到0.728KW/Kg。
一种柔性太阳电池及其制备方法应用

[发明专利]一种电压匹配的空间用多结太阳电池及其制备方法和应用-CN202210859468.0有效
发明人：王永涛;朱琳;刘建庆;崔恒 -专利权人： 中山德华芯片技术有限公司
申请日： 2022-07-21 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01L31/05 文献下载
摘要：本发明公开了一种电压匹配的空间用多结太阳电池及其制备方法和应用，属于半导体技术领域。本发明的电压匹配的空间用多结太阳电池，包括依次叠加的：底电池、中电池、栅线和顶电池；栅线连接有负极；顶电池和底电池上设有正极；底电池和中电池串联后与所述顶电池并联。本发明通过对空间用多结太阳电池的工作电路进行设计，可以使更多的材料能够满足电池的工作条件，有效扩充了太阳电池的材料库，为创造更高转化效率的电池结构提供了选择方案。
一种电压匹配空间用多结太阳电池及其制备方法应用

[发明专利]一种用于测试太阳电池的子电池电流的滤光层、测试件及测试件的制备方法-CN202310109718.3在审
发明人：刘雪珍;张小宾;高熙隆;刘建庆;杨文奕 -专利权人： 中山德华芯片技术有限公司
申请日： 2023-02-10 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于测试太阳电池的子电池电流的滤光层、测试件及测试件的制备方法。滤光层参考太阳电池设计，太阳电池包叠加的衬底、待测子电池和上层子电池；上层子电池包括叠加的背场、基区、发射区和窗口层；滤光层的掺杂类型和发射区的相同；滤光层包括叠加设置的第一滤光层、第二滤光层和第三滤光层；第一滤光层的材质和背场相同；第二滤光层的材质和发射区相同；第二滤光层的掺杂浓度≥8×1018；第三滤光层的材质和帽层相同；第三滤光层的掺杂浓度为5×1016～1×1018。本发明提供的滤光层可精确的获得待测子电池的电流。本发明还提供了包括上述滤光层的测试件以及上述测试件的制备方法。
一种用于测试太阳电池电池电流滤光制备方法

[发明专利]一种含嵌入式背场结构的多结太阳能电池及其制备方法-CN201710550320.8有效
发明人：黄珊珊;张小宾;马涤非;毛明明;刘建庆;潘旭;张露;刘雪珍 -专利权人： 中山德华芯片技术有限公司
申请日： 2017-07-07 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明公开了一种含嵌入式背场结构的多结太阳能电池及其制备方法，包括一个p型衬底以及三个或三个以上串联设置的子电池，且在所有的子电池中至少有一个子电池为含嵌入式背场结构的GaInNAs子电池，该GaInNAs子电池包括由下至上按层状结构叠加的p型背场、非有意掺杂的GaInNAs基区、n型发射区、n型窗口层，所述非有意掺杂的GaInNAs基区在靠近p型背场方向含有嵌入式背场结构，该嵌入式背场结构为与p型背场所用材料及掺杂条件一致的圆柱阵列，该圆柱阵列为远离空间电荷区而无法被有效收集的少子提供势垒，将少子反射回空间电荷区，从而提高少子收集效率，进而提高短路电流密度和多结电池的光电转换效率。
一种嵌入式结构太阳能电池及其制备方法

[发明专利]一种红外探测器芯片及其制备方法和应用-CN202310077613.4在审
发明人：李超;李明阳;高宇庭;崔恒;刘建庆 -专利权人： 中山德华芯片技术有限公司
申请日： 2023-01-16 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01L31/0232 文献下载
摘要：本发明公开了一种红外探测器芯片及其制备方法和应用，其中，红外探测器芯片包括依次叠加设置的InP衬底、外延层、SiNx钝化层和SiO2基光致发光层；SiO2基光致发光层中掺杂有金属离子；金属离子为过度金属离子和稀土离子中的至少一种；按质量百分数计，SiO2基光致发光层中金属离子的掺杂比例≤0.5％。本发明提出的红外探测器芯片，通过结构的设计，能够实现对可见光的响应，提升红外探测器芯片的响应宽度，且保持甚至提升了红外探测器芯片的响应速度和响应度。本发明还公开了上述红外探测器芯片的制备方法和应用。
一种红外探测器芯片及其制备方法应用

[发明专利]一种砷化镓太阳能电池的制备方法-CN202210378999.8有效
发明人：肖祖峰;黄嘉明;黄嘉敬;丁亮;梁福盛;黄滔 -专利权人： 中山德华芯片技术有限公司
申请日： 2022-04-12 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明公开了一种砷化镓太阳能电池的制备方法，具体包括以腐蚀溶液对外延片进行腐蚀；外延片包括依次形成的砷化镓太阳能电池片、正面电极和减反膜；外延片远离减反膜的一侧表面附着有金属化合物薄层；对外延片进行腐蚀时，腐蚀的区域包括金属化合物薄层以及覆盖正面电极部分的减反膜；按体积份计，腐蚀溶液的制备原料包括2份的硝酸、0.5～1份的氢氟酸、7.5～8份的冰醋酸和1份的水。本发明提供的制备方法能够通过一轮腐蚀，即实现正面电极部位减反膜的腐蚀，以及背面杂乱的金属化合物薄层的腐蚀，节约了流程，节省了成本，提升了芯片的良率。
一种砷化镓太阳能电池制备方法

[发明专利]应用于多结太阳能电池的复合DBR结构及其制备方法-CN201710589539.9有效
发明人：高熙隆;刘建庆;刘雪珍;毛明明;马涤非;张小宾 -专利权人： 中山德华芯片技术有限公司
申请日： 2017-07-19 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H01L31/054 文献下载
摘要：本发明公开了一种应用于多结太阳能电池的复合DBR结构及其制备方法，包括按层状结构依次叠加的3～15层AlAs/AlxOy/AlGaInAs组合层和5～25层AlInP/AlGaInP组合层，AlAs/AlxOy/AlGaInAs组合层和AlInP/AlGaInP组合层的层数总和不超过35层，AlInP/AlGaInP组合层是由层状叠加的AlInP层和AlGaInP层构成，AlAs/AlxOy/AlGaInAs组合层是由层状叠加的AlAs/AlxOy组合层和AlGaInAs层构成，其中，AlAs/AlxOy组合层中的AlxOy是由一部分AlAs经过高温湿法氧化而成，且生成的AlxOy折射率比余下的AlAs低，从而能拓宽DBR的反射光子范围。本发明可以避免传统DBR结构反射光子能量的范围不够宽，造成E+ΔE范围内一部分高能粒子不能被有效吸收的情况，将DBR本身的优势作用发挥到极致。
应用于太阳能电池复合 dbr 结构及其制备方法

[发明专利]一种石墨盘结构-CN202211590309.1在审
发明人：唐杰;张小宾;刘雪珍 -专利权人： 中山德华芯片技术有限公司
申请日： 2022-12-12 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： C23C16/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种石墨盘结构，包括石墨盘本体和顶持件。所述石墨盘本体上设有凹槽，所述凹槽用于放置外延片，所述凹槽的底部设有贯穿所述石墨盘的导向孔。所述顶持件能够在所述导向孔中上下运动，且在向上运动的过程中能够顶起外延片顶起以实现外延片与所述石墨盘本体的分离。应用上述实施例时，外延片放置在凹槽中，在需要取片时顶持件从导向孔中向上运动直至将外延片顶起，使得外延片与石墨盘本体分离，从而外延片与石墨盘本体之间形成缝隙，吸笔能够插入缝隙中取出外延片，实现无损取片。本发明解决了外延片取片时容易造成表面损伤、脏污的问题，为光电阴极等对表面完整度和洁净度要求十分严格的器件的制作提供了优质的前置材料。
一种石墨盘结

[发明专利]一种太阳电池衬底的剥离方法-CN202211323431.2在审
发明人：肖祖峰;丁亮;黄嘉明;黄嘉敬;梁福盛 -专利权人： 中山德华芯片技术有限公司
申请日： 2022-10-27 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种太阳电池衬底的剥离方法，上述剥离方法包括以下步骤：S1.提供一太阳电池部件，太阳电池部件包括叠加形成的衬底、牺牲层和外延层；在外延层表面的局部区域设置光刻干膜，并在外延层表面形成柔性金属衬底；去除光刻掩膜，对应的局部区域形成隔离槽；S2.腐蚀去除隔离槽所在区域的外延层；S3.腐蚀去除步骤S2所得部件的牺牲层；得若干太阳电池芯片和衬底。本发明提出的剥离方法，能够有效提高所得太阳电池芯片的良率并有效缩短太阳电池衬底剥离所需时长。
一种太阳电池衬底剥离方法

[发明专利]一种阵列红外探测器芯片及其制备方法与应用-CN202310066633.1在审
发明人：李明阳;李超;窦天佑;张小宾 -专利权人： 中山德华芯片技术有限公司
申请日： 2023-01-12 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01L31/105 文献下载
摘要：本发明公开了一种阵列红外探测器芯片及其制备方法与应用。该阵列红外探测器芯片，包括以下结构：衬底；N型接触层，N型接触层设于衬底的上表面；像元，像元设于N型接触层的上表面；像元的数量为m，像元之间相互分离；像元包括以下结构：P型接触层和数量为n的复合分布式布拉格反射镜；复合分布式布拉格反射镜包括分布式布拉格反射镜和i型吸收层；其中，i型吸收层的厚度为10‑500nm；其中，m和n独立选自正整数。本发明的阵列红外探测器芯片，为侧面入光结构的阵列红外探测器芯片，也即光入射方向与吸收层材料外延生长方向垂直，从而解决提升信噪比与响应度时，导致探测器响应时间变慢，不满足高频应用的现象。
一种阵列红外探测器芯片及其制备方法应用

[发明专利]一种太阳能电池组件及其制备方法和应用-CN202210487064.3有效
发明人：李明阳;李超;崔恒;刘建庆;杨文奕 -专利权人： 中山德华芯片技术有限公司
申请日： 2022-05-06 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H01L31/05 文献下载
摘要：本发明公开了一种太阳能电池组件及其制备方法和应用。本发明的太阳能电池组件，包括：太阳能电池芯片；保护层，保护层由依次叠加的胶膜层和玻璃盖片组成，其上设有通孔；保护层设于太阳能电池芯片表面；金属互联条，金属互联条包括第一平直部、第二平直部和圆弧部；第一平直部贴附于通孔底部，第二平直部贴附于通孔侧壁，第二平直部远离太阳能电池芯片一侧端点与圆弧部的一端相切。本发明提供的太阳能电池组件，通过结构的设计，能够避免金属互联条导致的太阳能电池组件厚度不均匀、保护层厚度不均匀和除泡困难的问题。本发明还提供了上述太阳能电池组件的制备方法和应用。
一种太阳能电池组件及其制备方法应用

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