“苏州新纳晶光电有限公司”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果45个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种提高LED波长命中率的处理方法-CN201710515046.0有效
发明人：蔡金;王怀兵;王辉 -专利权人： 苏州新纳晶光电有限公司
申请日： 2017-06-29 - 公布日： 2020-11-27 - 主分类号： H01L33/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种提高LED波长命中率的外延片生长方法，包括如下步骤：将衬底放入MOCVD设备进行外延片生长，在多量子阱生长过程中进行通过光致发光系统进行波长的采集检测，根据采集的波长进行成分比例的不断调节直至达到需要的波长。本发明的有益效果体现在：在外延生长过程中实时的进行波长的收集，以及时进行波长的调整，从而保证波长的命中率，提高产品良品率。
一种提高 led 波长命中率处理方法

[发明专利]抗静电LED芯片制备方法及其应用-CN201710521464.0有效
发明人：杨晓隆;王怀兵;王辉 -专利权人： 苏州新纳晶光电有限公司
申请日： 2017-06-30 - 公布日： 2020-06-12 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种抗静电LED芯片，所述芯片包括一衬底，所述衬底上由下至上依次设置有第一P型层、量子阱层、N型层、量子阱层、第二P型层，所述第一P型层及第二P型层上外延生长有电容区。本发明通过增加电容区，当电压超过器件最大范围时，电容区将自动收集静电电荷，避免LED芯片或外延片受到冲击，损坏LED器件。
抗静电 led 芯片制备方法及其应用

[实用新型]一种LED芯片背镀治具-CN201821046215.7有效
发明人：吴冬雪;陈磊;王怀兵;王辉 -专利权人： 苏州新纳晶光电有限公司
申请日： 2018-06-29 - 公布日： 2019-02-22 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种LED芯片背镀治具，包括相互配合的卡环及卡盖；卡环的底部内侧设置有至少两个底部托块，卡环的顶部具有顶部凸台及卡槽；卡环的底部内侧还设置有一圈底部凸缘，底部边缘的上端面与底部托块的上端面平齐；卡盖具有对应顶部凸台的凸台避位及对应卡槽的卡块；卡盖的底部边缘具有一圈对应芯片上表面的压块，压块对应芯片的一端具有倒角以减少与芯片的接触面积。该实用新型通过卡环的底部凸缘设计而有效的解决了电极的镀源污染；卡槽与卡块设计有效的减小了卡环与卡盖的相对滑动过程中带来的芯片表面电极划伤；卡盖底部边缘压块的倒角设计有效降低了与芯片正面的接触面积而进一步减少了电极划伤。
卡盖卡环底部边缘电极卡槽凸台压块底部凸缘上端面划伤托块治具芯片本实用新型芯片上表面倒角设计相对滑动芯片表面芯片正面倒角镀源减小卡块平齐污染配合

[实用新型]一种LED芯片补长外延片结构-CN201821046557.9有效
发明人：徐涛;张宇晴;王怀兵;王辉 -专利权人： 苏州新纳晶光电有限公司
申请日： 2018-06-29 - 公布日： 2019-02-22 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种LED芯片补长外延片结构，包括：依次生长在衬底层上的缓冲层、非掺杂半导体层、N型半导体层、量子阱层、载流子限制层、P型半导体层及补长层；所述补长层为Mg掺杂浓度1e+21cm^‑3的GaN，其厚度为0.01～0.05nm。该实用新型通过在报废外延片表层重新生长一层高掺杂Mg的GaN补长层，使得报废外延片性能与正常外延片性能一致，从而实现了报废外延片的回收再利用，节能环保。
外延片长层外延片结构报废掺杂本实用新型载流子限制半导体层节能环保量子阱层生长衬底层非掺杂缓冲层再利用回收

[实用新型]一种LED芯片及其曲面电极-CN201821039572.0有效
发明人：解学雯;杨晓隆;王怀兵;王辉 -专利权人： 苏州新纳晶光电有限公司
申请日： 2018-06-29 - 公布日： 2019-02-22 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种LED芯片及其曲面电极。曲面电极包括：衬底层；生长在衬底层上的电流阻挡层，电流阻挡层设置有弧形槽；生长在电流阻挡层上的透明导电层，透明导电层对应弧形槽位置处具有相同的弧度；以及，生长在述透明导电层上并对应电流阻挡层弧形槽位置处的曲面电极；曲面电极呈弧形设置在芯片上，弧度曲率为0.1～0.6。该实用新型通过对电极的曲面处理，一方面增加了电极中Cr成分而使得LED更好地导电，从而起到降压的效果；另一方面Al成分也相应的增加，加强了电极的反射功能；通过对透明导电层的曲面化，还更好地促进了电流的横向扩散，提高了发光效率。
曲面电极电流阻挡层透明导电层弧形槽位置衬底层电极生长本实用新型发光效率反射功能横向扩散弧度曲率弧形设置曲面处理对电极弧形槽曲面化导电降压芯片

[实用新型]一种LED芯片及其反射电极-CN201821046213.8有效
发明人：刘撰;杨晓隆;王怀兵;王辉 -专利权人： 苏州新纳晶光电有限公司
申请日： 2018-06-29 - 公布日： 2019-02-22 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种反射电极，包括依次制作在芯片外延片上的Cr层、Al层、Cr层、Ti层、Cr层、Ti层及Au层。本实用新型还提供了一种具有上述反射电极的LED芯片，包括依次生长在衬底层上的N型半导体层、量子阱层、P型半导体层及透明导电层，以及生长在N型半导体层上的N型电极，生长在P型半导体层上的P型电极；芯片外侧包裹有PV绝缘层。该实用新型通过在反射电极中增加了Al层，并设置多层Cr层及Ti层，第1层Cr的厚度减薄至1～2nm，而Al层具有较高反射率，芯片射入金属Pad的光有很大一部分是通过Al层再反射回芯片内部，并通过DBR再次反射或从其他角度射出芯片，芯片亮度可提高5％。
芯片反射电极本实用新型反射生长绝缘层透明导电层高反射率厚度减薄量子阱层衬底层外延片多层射出射入金属制作

[发明专利]一种延缓LED应力的外延片生长方法-CN201710515050.7在审
发明人：蔡金;王怀兵;王辉 -专利权人： 苏州新纳晶光电有限公司
申请日： 2017-06-29 - 公布日： 2019-01-15 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种延缓LED应力的外延片生长方法，包括如下步骤，采用金属有机气相外延法在衬底上依次生长缓冲层、非掺杂氮化镓层，掺Si氮化镓层，在掺Si氮化镓层上生长氮化铝应力缓冲层；在氮化铝应力缓冲层上采用有机气相外延法生长多量子阱层及P型半导体层。本发明的有益效果体现在：增加应力改善层降低了外延层应力，提高了发光效率，更好的提高了产品良率。
外延片生长应力缓冲层氮化镓层氮化铝生长延缓金属有机气相外延法非掺杂氮化镓层有机气相外延多量子阱层产品良率发光效率应力改善缓冲层外延层衬底

[发明专利]一种蓝光LED芯片背镀DBR结构及其制备方法-CN201710515047.5在审
发明人：吴冬雪;王怀兵;王辉 -专利权人： 苏州新纳晶光电有限公司
申请日： 2017-06-29 - 公布日： 2019-01-15 - 主分类号： H01L33/46 文献下载
摘要：本发明提供了一种蓝光LED芯片背镀DBR膜系结构，所述DBR膜系结构蒸镀于LED芯片背面，所述DBR膜系为20层，且所述DBR膜系为非规整型膜系，每层DBR膜系具有不同的相应中心波长。本发明的有益效果体现在：加宽了规整膜系的反射带宽，简化了全波段非规整DBR膜系结构，缩短了蒸镀制程时间。在满足了蓝光芯片对反射率的要求的同时，能有效的平衡生产效率等问题。
膜系膜系结构规整蓝光LED芯片蒸镀蓝光芯片生产效率中心波长反射率全波段加宽制备制程反射背面带宽平衡

[发明专利]一种高光效LED芯片及其制备方法-CN201810712054.9在审
发明人：杨晓隆;刘撰;王怀兵;王辉 -专利权人： 苏州新纳晶光电有限公司
申请日： 2018-06-29 - 公布日： 2018-12-21 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种高光效LED芯片，包括衬底层及外延层；外延层上制作有第一电极、第二电极及间断式台阶；间断式台阶表面制作有与第一电极连接的复合电极；外延片的边缘部位制作有一圈与第一电极材质相同并同步制作且相连接的侧壁扩展层。还提供了一种上述高光效LED芯片的制备方法，包括如下步骤：S1.提供一衬底层，并在衬底层上进行CBL电流阻挡层制作；S2.进行间断式台阶及透明导电层制作；S3.进行PAV钝化层制作；S4.进行第一电极、复合电极和侧壁扩展层制作；S5.最后完成第二电极制作。该发明可提高芯片亮度2％左右，提高光取出效率1％左右，降低芯片电压3％左右，芯片的发光效率可提高6％。
制作第一电极衬底层高光效间断式第二电极复合电极扩展层外延层侧壁制备芯片电流阻挡层光取出效率透明导电层边缘部位发光效率台阶表面芯片电压钝化层外延片

[发明专利]一种具低阻的P型GaN外延层制备方法-CN201510281069.0有效
发明人：冯美鑫;南琦;蔡金;傅华;王辉;王怀兵 -专利权人： 苏州新纳晶光电有限公司
申请日： 2015-05-28 - 公布日： 2018-05-01 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明提供了一种具低阻的P型GaN外延层制备方法，包括如下步骤在氢气气氛下高温处理衬底；在处理的衬底表面依次生长缓冲层、非掺的GaN层、n型GaN层、多量子阱有源区层和电子阻挡层；在电子阻挡层上生长P型GaN层；在P型GaN层上生长P型接触层；在处理衬底之前往反应室中预通Cp2Mg，通入时间0‑3600S，流量为0—4000 sccm并将反应室暴露在大气中生长MgO且在所述S3中p型GaN层生长前，往反应室内通入CP2Mg掺杂剂，所述CP2Mg掺杂剂的流量为0—4000 sccm，通入时间为60—300S，使p型GaN层中的Mg杂质浓度稳定在最佳值(3‑4e19 cm‑3)。本发明保证了p型GaN中的空穴浓度和迁移率，降低p型GaN的电阻，降低了LED的工作电压。
一种具低阻 gan 外延制备方法

[发明专利]一种用于MOCVD宕机后可提高GaN外延良率的方法-CN201510142338.5有效
发明人：南琦;吴岳;傅华;冯美鑫;蔡金;陆俊;王辉;王怀兵 -专利权人： 苏州新纳晶光电有限公司
申请日： 2015-03-30 - 公布日： 2017-07-21 - 主分类号： C30B25/16 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于MOCVD宕机后可提高GaN外延薄膜良率的方法，包括如下步骤，正常生长GaN 外延薄膜时，先将衬底放入MOCVD生长室，升高温度至1050℃~1100℃之间，并向反应室内通入氢气，对衬底表面进行预处理；向反应室通入源气体，按照反应式，进行氮化镓外延薄膜的生长，同时向反应室内通Ga源和氮源，同时将反应室升温至GaN 外延薄膜生长所需温度范围1000℃以上；当MOCVD机台宕机时，打开MOCVD设备的氨气气动阀，通入氨气进入反应室，促进反应的进行并进行后续外延片的接长，氨气气动阀打开在MOCVD机台停止加热3min内。由于宕机时采用NH3保护，使得宕机外延片不被破坏和污染；可以直接从宕机步骤进行接长，接长开始时亦需要在升温段使用NH3保护外延片，防止升温GaN分解。
一种用于 mocvd 宕机后可提高 gan 外延方法

[发明专利]一种可增加LED反向阻抗的LED外延结构及其制备方法-CN201510061080.6有效
发明人：冯美鑫;蔡金;孔静;南琦;王辉;王怀兵 -专利权人： 苏州新纳晶光电有限公司
申请日： 2015-02-06 - 公布日： 2017-07-21 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种增加LED反向阻抗的LED结构及制作方法，包括如下步骤衬底，在氢气气氛下高温预处理，在衬底表面依次生长缓冲层，非掺GaN层，n型GaN层，多量子有源层，p型GaN层和p型接触层；所述的多量子阱有源层由至少两段多量子阱有源层构成，多量子阱有源层段与段中间插入低温的非掺GaN或AlGaN层，本发明经过多量子阱有源层中插入的非掺GaN或AlGaN可有效地增加LED的反向阻抗，降低LED的反向漏电，增加LED的可靠性。
一种可增加 led 反向阻抗外延结构及其制备方法

[发明专利]一种可提高LED亮度的外延结构制备方法-CN201510061076.X有效
发明人：冯美鑫;蔡金;孔静;南琦;王辉;王怀兵 -专利权人： 苏州新纳晶光电有限公司
申请日： 2015-02-06 - 公布日： 2017-07-21 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种可提高LED亮度的外延结构的制备方法，包括如下步骤在氢气气氛下高温预处理衬底，在衬底表面依次生长缓冲层，非掺GaN层，n型GaN层，至少两层多量子阱有源层，p型电子阻挡层，p型GaN层和p型接触层；所述的量子阱有源层由至少两个InGaN阱层和垒层组成，所述的每个量子阱生长在高压下，生长过程中均通入少量的氢气。本发明采用高压生长量子阱，同时生长过程中通入少量氢气，降低InGaN薄膜中的C杂质含量，有效提高LED的亮度。
一种提高 led 亮度外延结构制备方法

[实用新型]一种N型氮化镓基发光二极管-CN201620436066.X有效
发明人：陆俊 -专利权人： 苏州新纳晶光电有限公司
申请日： 2016-05-16 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本实用新型揭示了一种N型氮化镓基发光二极管，包括外延层结构，外延层结构包括从上至下依次设置的蓝宝石衬底、氮化镓缓冲层、非掺杂氮化镓层、硅掺杂的n型氮化镓层、硅掺杂的低温n型铝镓氮的电子扩散层、铟镓氮‑氮化镓多量子阱有源发光层、铝掺杂氮化镓层、镁掺杂的p型氮化镓层以及透明导电层，透明导电层上设置有p型电极，硅掺杂的低温n型铝镓氮的电子扩散层上设置有n型电极。本实用新型通过在硅掺杂的n型氮化镓层和铟镓氮‑氮化镓多量子阱有源发光层之间增加硅掺杂的低温n型铝镓氮的电子扩散层，并控制电子扩散层的组分、厚度，使载流子在LED结构中进行横向扩展，增加电子‑空穴对的复合概率，提高N型氮化镓基发光二极管的发光效率。
一种氮化发光二极管

[实用新型]一种具有金属触点的LED晶片-CN201620436067.4有效
发明人：杨晓隆 -专利权人： 苏州新纳晶光电有限公司
申请日： 2016-05-16 - 公布日： 2017-04-26 - 主分类号： H01L33/62 文献下载
摘要：本实用新型揭示了一种具有金属触点的LED晶片，包括基层及嵌入基层内的金属触点，金属触点具有用于增加金属触点与基层配接面积的轴向的沟槽，沟槽形成供光源通过的通道。本实用新型的LED晶片采用结构的金属触点，金属触点设有沟槽，该沟槽增加了金属触点与基层的接触面积，使金属触点与LED晶片的基层之间配接更牢靠，有效防止金属触点滑脱，提高了LED灯的使用寿命；沟槽的设计减小了金属触点的截面面积，降低了对光源的阻隔，减小阴影面积，沟槽部分内基层能供光源透过，提高了LED灯的亮度；金属触点外周的沟槽均匀分布，截面形状规整，便于制造。
一种具有金属触点 led 晶片

1
2
3
下一页»
尾页
共 45 条