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[发明专利]一种纤维改性的三明治飞片结构及其制备方法-CN202310191727.1有效
发明人：吴之清;付秋菠;杨波;雷凡;湛治强;牛高;罗江山;易涛 -专利权人：中国工程物理研究院激光聚变研究中心
申请日： 2023-03-02 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： F42C19/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种纤维改性的三明治飞片结构及其制备方法，包括：下聚合物薄膜层；纤维改性层，其设置在所述下聚合物薄膜层的上表面，所述纤维改性层的制备方法包括：在聚酰亚胺或聚酯基底中添加微米或纳米纤维；上聚合物薄膜层，其设置在所述纤维改性层的上表面，本发明改变了传统飞片单一的材料体系，在聚合物材料中添加微米或纳米纤维，构成复合聚合物薄膜，同时为了兼顾爆炸箔组件的绝缘性，飞片设计为三明治夹层结构。通过材料体系和飞片薄膜结构的设计，调控飞片在高温高压等离子体作用下的热学和力学性能，从而改善飞片在电爆炸下的冲击速度和飞行姿态，提高冲击片雷管的起爆性能和效率。
一种纤维改性三明治结构及其制备方法

[发明专利]一种原位复合飞片材料及其制备方法-CN202310191732.2在审
发明人：杨波;付秋菠;吴之清;雷凡;湛治强;牛高;罗江山;易涛 -专利权人：中国工程物理研究院激光聚变研究中心
申请日： 2023-03-02 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： C08J5/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种原位复合飞片材料及其制备方法，包括：以四羧酸二酐与芳香二胺为原料，在高沸点极性溶剂中进行缩合反应，生成聚酰胺酸溶液；以光刻图案化的铜爆炸箔/陶瓷片为基底，将合成的聚酰胺酸溶液以旋涂的方式在基底上原位形成均匀的聚酰胺酸薄膜；将旋涂成型的聚酰胺酸薄膜置于真空烘箱中，在程序控温条件下将聚酰胺酸脱水环化生成聚酰亚胺，最终获得聚酰亚胺原位复合飞片材料。本发明制备得到的聚酰亚胺原位复合飞片综合性能优异，具有飞片速度高、飞行姿态非常稳定的优点。
一种原位复合材料及其制备方法

[发明专利]一种MXene复合薄膜飞片及其制备方法-CN202310191807.7在审
发明人：吴之清;付秋菠;杨波;雷凡;湛治强;牛高;罗江山;易涛 -专利权人：中国工程物理研究院激光聚变研究中心
申请日： 2023-03-02 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： F42B33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种MXene复合薄膜飞片及其制备方法，包括：以具有优异综合性能的聚酰亚胺作为材料基底，以片状的MXene材料和导电纳米纤维作为添加剂，制备成复合薄膜作为爆炸箔组件的飞片。通过一维和二维纳米材料的协同作用，实现对电磁波的反射和吸收，使得复合薄膜作为爆炸箔组件的飞片结构件的同时，还能对组件提供电磁防护功能。
一种 mxene 复合薄膜及其制备方法

[发明专利]一种金属气凝胶原位复合飞片-CN202211121817.5有效
发明人：牛高;付秋菠;杨波;雷凡;林江川;易涛;郭晓东;湛治强 -专利权人：中国工程物理研究院激光聚变研究中心
申请日： 2022-09-15 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： C06C7/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种金属气凝胶原位复合飞片，属于动高压加载技术领域，其通过将金属气凝胶与高分子薄膜飞片进行原位复合制备得到。制备得到的金属气凝胶原位复合飞片具有抗电磁辐射的能力，并且金属气凝胶复合飞片在加速膛内的加速过程和飞行姿态均受到了金属气凝胶的良好调控。
一种金属凝胶原位复合

[发明专利]一种具备防尘、加热功能的氢气传感器及其制备方法-CN202211422202.6在审
发明人：舒琳;阎大伟;张继成;罗跃川;彭丽萍;湛治强;吴卫东;樊龙;蒋涛;王雪敏;杨奇;李恪宇;陈风伟 -专利权人：中国工程物理研究院激光聚变研究中心
申请日： 2022-11-14 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： G01N27/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种具备防尘、加热功能的氢气传感器，包括衬底，以及设置在所述衬底上的钯镍合金薄膜，且所述衬底上设置有用于连接钯镍合金薄膜的两个第一引线电极，微纳防尘罩，其与所述衬底键合形成腔室，所述钯镍合金薄膜位于所述腔室内，且所述微纳防尘罩对应所述衬底垂直开设有微米级的多个第一通孔；加热组件，其设置在所述微纳防尘罩上，且所述加热组件与所述钯镍合金薄膜相对应。本发明，通过微纳防尘罩实现对钯镍合金薄膜的防尘封装，并在微纳防尘罩上集成设置加热组件，实现对氢气传感器均匀加热、微米量级防尘的同时大幅缩减封装体积，具有提升防尘效果、保障加热效果、减小封装体积的有益效果。
一种具备防尘加热功能氢气传感器及其制备方法

[发明专利]一种具备防尘功能的氢气传感器及其制备方法-CN202211424769.7在审
发明人：阎大伟;舒琳;张继成;罗跃川;彭丽萍;湛治强;吴卫东;樊龙;蒋涛;王雪敏;杨奇;李恪宇;陈风伟 -专利权人：中国工程物理研究院激光聚变研究中心
申请日： 2022-11-14 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： G01N27/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种具备防尘功能的氢气传感器，包括衬底，以及设置在所述衬底上的钯镍合金薄膜，且所述衬底上设置有用于连接钯镍合金薄膜的两个第一引线电极，微纳防尘罩，其与所述衬底键合形成腔室，所述钯镍合金薄膜位于所述腔室内，且所述微纳防尘罩对应所述衬底垂直开设有微米级的多个小通孔。本发明，将防尘罩尺寸缩小，同时通过在防尘罩上加工特殊结构可完全防止尺寸在数十微米量级上灰尘颗粒沾污，在大幅缩减封装体积的同时确保器件性能不受影响，具有保障响应速度、保障探测精度、延长使用寿命的有益效果。
一种具备防尘功能氢气传感器及其制备方法

[发明专利]一种判断量子级联激光器快速退火效果的方法-CN202210527311.8在审
发明人：王雪敏;杨奇;湛治强;蒋涛;邹蕊娇;陈风伟;舒琳;阎大伟;彭丽萍;樊龙;张继成;罗跃川;吴卫东 -专利权人：中国工程物理研究院激光聚变研究中心
申请日： 2022-05-16 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： G01R31/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种判断量子级联激光器快速退火效果的方法，采用示波器测量量子级联激光器在脉冲工作模式下的电压波形，通过调整电流脉冲宽度，获得不同电流脉冲宽度下的电压波形，根据电压波形前端是否出现明显尖峰，从而判断量子级联激光器快速退火效果，即金属电极是否达到良好的欧姆接触；本发明克服了依据电流‑电压关系曲线判断量子级联激光器金属电极快速退火是否达到欧姆接触比较复杂的问题，具有简单、方便、快捷等优点，同时，也可以推广到其它半导体激光器、光电传感器金属电极快速退火效果的判断。
一种判断量子级联激光器快速退火效果方法

[发明专利]一种自支撑碳基电容器靶及其制备方法-CN202111128002.5在审
发明人：彭丽萍;李朝阳;杨奇;樊龙;罗跃川;舒琳;湛治强;蒋涛;王雪敏 -专利权人：中国工程物理研究院激光聚变研究中心
申请日： 2021-09-26 - 公布日： 2021-12-31 - 主分类号： H05G2/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种自支撑碳基电容器靶及其制备方法，包括：利用直流磁控溅射技术在硅基底上制备Cr膜，再制备铜膜作为牺牲层，以此为衬底，制备微米厚度的α‑C膜，利用光刻工艺、射频磁控溅射工艺、氧等离子体刻蚀工艺、湿法刻蚀工艺制备具有表面结构的α‑C膜；利用脉冲激光沉积技术在抛光铜箔上制备DLC膜；将DLC膜的抛光铜箔熔去，并在去离子水中清洗多次；用有表面结构的α‑C膜去捞漂浮在水面的DLC膜，然后溶解铜膜，得到碳基双层膜；把碳基双层膜在去离子水中清洗多次，用带圆孔的靶架捞出碳基双层膜，自然挥发干，得到自支撑碳基电容器靶。本发明能有效地实现自支撑碳基双层结构靶，操作方便，且该自支撑碳基电容器靶，有望在物理实验中取得预期结果。
一种支撑电容器及其制备方法

[发明专利]一种基于多层量子阱结构的深低温温度传感器及其制备方法-CN202111039736.6在审
发明人：王雪敏;蒋涛;湛治强;张继成;杨奇;陈风伟;邹蕊矫;吴卫东;李佳;彭丽萍 -专利权人：中国工程物理研究院激光聚变研究中心
申请日： 2021-09-06 - 公布日： 2021-12-03 - 主分类号： G01K7/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于多层量子阱结构的深低温温度传感器及其制备方法，包括：由下至上依次设置的传热层，衬底层，带有下电极的缓冲层，由多个量子阱周期组成的温敏层，带有上电极的接触层；每个所述量子阱周期由多层不同厚度的Al0.15Ga0.85As和GaAs交替组成。本发明提供一种基于GaAs材料体系的多层量子阱结构，在深低温环境下对电子在多层量子阱结构中的输运过程进行精确控制，从而显著提高本装置在各个低温区间的相对灵敏度；同时能够依据不同低温温度区间的高精度温度测量需要，对量子阱的多层结构进行灵活的生长裁剪，实现对不同低温区间的高精度温度测量。
一种基于多层量子结构低温温度传感器及其制备方法

[发明专利]一种提高太赫兹器件散热及输出功率的方法-CN201911291389.9有效
发明人：王雪敏;湛治强;蒋涛;彭丽萍;樊龙;肖婷婷;阎大伟;李恪宇;舒琳;张泽涵;罗佳文;吴卫东 -专利权人：中国工程物理研究院激光聚变研究中心
申请日： 2019-12-16 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： C23C14/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高太赫兹器件散热及输出功率的方法，包括：在太赫兹器件表面沉积导热薄膜；所述太赫兹器件为太赫兹量子级联激光器。所述导热薄膜为氮化铝薄膜；所述沉积采用的方法为脉冲激光沉积法所述脉冲激光沉积法的过程为：将太赫兹量子级联激光器装入脉冲激光沉积设备中，采用AlN陶瓷靶进行沉积；设置沉积参数：抽真空，激光能量200mJ，频率2Hz，靶基距10cm，所述氮化铝薄膜的厚度为0.8～1.2μm。本发明采用在太赫兹器件表面沉积导热薄膜，更优选为氮化铝薄膜，该氮化铝薄膜覆盖太赫兹量子级联激光器的输出功率得到明显提高，表明通过制备氮化铝薄膜覆盖太赫兹量子级联激光器可以提高器件的散热，从而达到提高器件输出功率的目的。
一种提高赫兹器件散热输出功率方法

[实用新型]一种籽晶托-CN201821877233.X有效
发明人：樊龙;彭丽萍;王雪敏;吴卫东;蒋涛;沈昌乐;湛治强;张颖娟;李佳 -专利权人：中国工程物理研究院激光聚变研究中心
申请日： 2018-11-14 - 公布日： 2019-06-21 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本实用新型提供一种籽晶托，涉及晶体制备技术领域。一种籽晶托，主要用于夹持籽晶，该籽晶托能够提高籽晶上获得的晶体的质量。该籽晶托主要包括相互连接的底座和夹持组件，底座与夹持组件共同限定形成用于夹持籽晶的籽晶夹持槽。籽晶夹持好以后，即位于该籽晶夹持槽内。籽晶固定后位于底座与夹持组件之间，且籽晶远离底座的一侧能与夹持组件共同限定形成空腔。籽晶靠近底座的一侧能从底座露出，以便于晶体生长。当带有籽晶的籽晶托放入坩埚内后，由于籽晶托的夹持、固定作用，籽晶不会与坩埚直接接触。由于籽晶与籽晶托的直接接触面积较小，籽晶也不与坩埚直接接触，使得获得的晶体各部分质量更为均一，获得的晶体的开裂几率更小。
籽晶底座籽晶托夹持组件籽晶夹晶托种籽坩埚夹持籽晶晶体的本实用新型固定作用晶体生长晶体制备放入夹持均一空腔

[实用新型]晶体生长安瓿位置调节装置及系统-CN201821880293.7有效
发明人：樊龙;肖婷婷;彭丽萍;黎维华;阎大伟;吴卫东;沈昌乐;蒋涛;湛治强 -专利权人：中国工程物理研究院激光聚变研究中心
申请日： 2018-11-14 - 公布日： 2019-06-21 - 主分类号： C30B35/00 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种晶体生长安瓿位置调节装置及系统，涉及安瓿位置调节技术领域。一种晶体生长安瓿位置调节装置，包括支撑组件、热电偶和位置调节组件。位置调节组件通过支撑杆与支撑组件连接，用于在水平和竖直方向移动和定位支撑组件。支撑组件包括套筒、热电偶杆、陶瓷杆以及固定塞，套筒的两端设有开口，开口设有固定塞，陶瓷杆的一端穿过固定塞设置于套筒的内部，热电偶杆穿设于陶瓷杆内。热电偶设置于套筒内。实现了安瓿在径向温度场中的位置调节，避免不对称径向温度场对晶体生长的影响，避免了安瓿与发热体直接接触，提高晶体质量和产率。该装置结构简单、安装调试方便，并可对生长过程中安瓿温度进行实时监控。
热电偶套筒晶体生长安瓿位置调节装置支撑组件固定塞陶瓷杆安瓿位置调节组件径向温度场开口定位支撑组件竖直方向移动本实用新型安装调试安瓿位置晶体生长生长过程实时监控位置调节装置结构不对称发热体支撑杆产率穿设穿过

[发明专利]一种单晶薄膜沉积速率在线测定的方法及应用-CN201610906199.3有效
发明人：沈昌乐;蒋涛;王雪敏;吴卫东;黎维华;李佳;杨奇;湛治强;彭丽萍;王新明;樊龙;邓青华;赵妍;张颖娟;阎大伟;肖婷婷;孙亮 -专利权人：中国工程物理研究院激光聚变研究中心
申请日： 2016-10-18 - 公布日： 2019-03-12 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：一种单晶薄膜沉积速率在线测定的方法及应用，属于薄膜材料领域。该方法在缓冲层生长完成后，用主挡板隔绝III族元素束源炉和衬底，既给了缓冲层充分的稳定时间，又保持III族元素束源炉始终处于开启状态，维持其内外温度的稳定，从而有效避免了过冲效应带来的测定误差，以获得更高的测定精度。本发明还提供一种上述方法在单晶薄膜沉积工艺中的应用，其采用上述的单晶薄膜沉积速率在线测定的方法对薄膜生长速率进行精确测定，并以此为依据调整薄膜生长相关的仪器参数，让薄膜在最适生长速度下生长，从而优化薄膜产品质量。
一种薄膜沉积速率在线测定方法应用

[发明专利]一种降低GaAs材料杂质浓度的方法和GaAs材料的生长工艺-CN201610879771.1有效
发明人：蒋涛;沈昌乐;王雪敏;吴卫东;湛治强;王新明;彭丽萍;黎维华;邓青华;阎大伟;赵妍;樊龙;肖婷婷;张颖娟;孙亮 -专利权人：中国工程物理研究院激光聚变研究中心
申请日： 2016-10-09 - 公布日： 2019-02-01 - 主分类号： C30B25/16 文献下载
摘要：一种降低GaAs材料杂质浓度的方法和GaAs材料的生长工艺，涉及激光器材料领域。降低GaAs材料杂质浓度的方法，其通过对As源进行除气处理降低As源中的杂质含量，除气处理包括以下步骤：在第一温度下进行第一除气步骤，第一温度为100‑200℃；在第二温度下进行至少一次第二除气步骤，第二温度比As生长温度高12‑23℃。此方法能够降低As源的杂质浓度，从而降低采用该As源制得的GaAs材料的杂质浓度。GaAs材料的生长工艺，其以Ga源和通过上述方法处理得到的As源为原料，采用固源分子束外延法进行生长。此工艺采用上述得到的低杂质浓度的As源，有利于生长出质量好的GaAs的晶体，从而提高激光器的质量。
一种降低 gaas 材料杂质浓度方法生长工艺

[发明专利]一种籽晶托及其制备方法-CN201811352750.X在审
发明人：樊龙;彭丽萍;王雪敏;吴卫东;蒋涛;沈昌乐;湛治强;张颖娟;李佳 -专利权人：中国工程物理研究院激光聚变研究中心
申请日： 2018-11-14 - 公布日： 2019-01-11 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本发明提供一种籽晶托及其制备方法，涉及晶体制备技术领域。一种籽晶托，包括相互连接的底座和夹持组件，底座与夹持组件共同限定形成用于夹持籽晶的籽晶夹持槽。籽晶固定后位于底座与夹持组件之间，且籽晶远离底座的一侧能与夹持组件共同限定形成空腔。籽晶靠近底座的一侧能从底座露出以供晶体生长。由于籽晶与籽晶托的直接接触面积较小，籽晶也不与坩埚直接接触，使得获得的晶体各部分质量更为均一，获得的晶体的开裂几率更小。一种籽晶托的制备方法，包括：对表面带有二氧化硅的底座、夹持组件依次进行表面活化处理、亲水处理。表面活化处理的功率为60‑100w，氧气流量为60‑100ml/min，活化时间为20‑40分钟。
底座夹持组件籽晶晶托种籽制备表面活化处理二氧化硅夹持籽晶晶体生长晶体制备亲水处理氧气流量晶体的籽晶夹籽晶托活化均一空腔坩埚

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