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[发明专利]SrTiO3单晶电阻开关器件的制备方法-CN201410839802.1在审
发明人：廖霞霞;王惠琼;王吉政;郑金成 -专利权人：厦门大学
申请日： 2014-12-30 - 公布日： 2015-04-22 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：SrTiO3单晶电阻开关器件的制备方法，涉及电阻开关器件。将未掺杂的SrTiO3单晶片清洗后放入石英玻璃管中，然后将石英玻璃管中的空气用氩气置换后密封；将获得的封装好的含有SrTiO3单晶片的石英玻璃管加热后，取出，冷却至室温，敲碎石英玻璃管即得高温退火后的SrTiO3单晶片；将高温退火后的SrTiO3单晶片镀金电极，取出后在SrTiO3单晶片的另一面滴上银胶，成为银电极，完成SrTiO3单晶电阻开关器件的制备。制备方法简单，易于操作，封装好的SrTiO3单晶片可直接在空气中加热。退火后的SrTiO3单晶片表面出现了丝状导电通电，不需要经过电铸过程就可以实现SrTiO3单晶片的开关性能。
srtio3 电阻开关器件制备方法

[发明专利]具有原子级平整表面的SrTiO3-CN201910518122.2有效
发明人：王立莉;丁翠;薛其坤 -专利权人：清华大学
申请日： 2019-06-14 - 公布日： 2021-09-14 - 主分类号： H01B13/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有原子级平整表面的SrTiO3多晶界衬底的制备方法，其包括以下步骤：将一未处理的SrTiO3多晶界衬底置于一真空室中，该真空室的压强低于10‑9mbar，其中，该未处理的SrTiO3多晶界衬底包括多个共面拼接设置且晶向不同的SrTiO3单晶衬底，相邻SrTiO3单晶衬底之间具有沟槽，且每个SrTiO3单晶衬底表面为非原子级平整；以及将该未处理的SrTiO3多晶界衬底加热至1050℃以上，对该未处理的SrTiO3多晶界衬底退火10分钟以上。本发明还涉及一种采用上述方法制备的具有原子级平整表面的SrTiO3多晶界衬底，其包括：多个共面拼接设置且晶向不同的SrTiO3
具有原子平整表面 srtio base sub

[发明专利]超高真空处理SrTiO3-CN201910518116.7有效
发明人：王立莉;丁翠;刘充;薛其坤 -专利权人：清华大学
申请日： 2019-06-14 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： H01L39/24 文献下载
摘要：本发明涉及一种超高真空处理SrTiO3衬底的方法以及一种制备FeSe超导薄膜的方法。该超高真空处理SrTiO3衬底的方法包括：将一SrTiO3衬底置于一真空室中，该真空室的压强低于10‑9mbar，该SrTiO3衬底表面为非原子级平整；以及将该SrTiO3<该制备FeSe超导薄膜的方法包括：将一SrTiO3衬底置于一真空室中，该真空室的压强低于10‑9mbar，该SrTiO3衬底表面为非原子级平整；将该SrTiO3衬底加热至900℃以上，对该SrTiO3
超高真空处理 srtio base sub

[发明专利]一种SrTiO3-CN201810267138.6有效
发明人：于仕辉;赵乐;刘荣闯;李玲霞 -专利权人：天津大学
申请日： 2018-03-28 - 公布日： 2020-02-28 - 主分类号： C23C14/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种SrTiO3/Cu/SrTiO3三明治结构的柔性透明导电薄膜的制备方法，该薄膜是由上下两层SrTiO3中间夹着Cu薄膜层及透明有机柔性衬底组成；先将SrTiO3和Cu靶材及衬底装入磁控溅射腔体内，靶材与衬底的距离为40～90mm；系统本底真空度抽至3.0×10‑3Pa以下，使用Ar作为溅射气体溅射SrTiO3层，沉积得到SrTiO3薄膜层，其厚度为10～200nm；再沉积得到Cu薄膜层，其厚度为3～20nm；再重复沉积得到SrTiO3薄膜层，其厚度为10～200nm；再原位70～90℃退火，制得SrTiO3/Cu/SrTiO3三明治结构的柔性透明导电薄膜。
一种 srtio base sub

[发明专利]一种超级电容电池用电介质钛酸锶材料及其制备方法-CN201310628057.1有效
发明人：马玉田;苏茂忠;王宁章 -专利权人：马玉田
申请日： 2013-11-29 - 公布日： 2014-03-19 - 主分类号： C04B35/47 文献下载
摘要：本发明公开了一种超级电容电池用电介质SrTiO3材料及其制备方法，属于电子陶瓷材料技术领域。在所述材料中，各组份的摩尔比为SrTiO3∶Nb2O5∶CeO2=1∶1∶（0.004-0.006）。所述的制备方法，先制备材料粉体，再制备SrTiO3初坯，最后烧结；本发明采用一次混合分段烧结法制备SrTiO3材料，所得的SrTiO3材料介电常数较高、介电损耗较低，老化缓慢。不添加粘合剂，避免了SrTiO3材料引入其它化学杂质。组份精简，烧结温度较低，制备工艺简单，有利于工业化大批量的生产。
一种超级电容电池用电介质钛酸锶材料及其制备方法

[发明专利]空穴型SrTiO3-CN202110699831.2在审
发明人：彭坤;李坊森;王利;陈爱喜;王鹏栋;任伟;方鑫伟;陆晓鸣;丁孙安 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2021-06-23 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： C30B29/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种空穴型SrTiO3材料及其制备方法与应用。所述制备方法包括：于真空条件下对n型掺杂的SrTiO3材料进行除气；以Se对除气后的n型掺杂的SrTiO3材料进行表面处理，以形成原子级平整的重构表面；除去n型掺杂的SrTiO3材料表面的Se，并以Sr对n型掺杂的SrTiO3材料进行处理，从而获得p型掺杂的SrTiO3材料。本发明实施例提供的一种空穴型SrTiO3材料的制备方法，工艺流程简单，所获得的空穴型掺杂材料具有较好的高温稳定性，为后续的高温生长及样品退火提供了条件。
空穴 srtio base sub

[发明专利]FeSe多晶界超导薄膜及其制备方法-CN201910517450.0有效
发明人：王立莉;丁翠;薛其坤 -专利权人：清华大学
申请日： 2019-06-14 - 公布日： 2021-08-17 - 主分类号： C30B29/46 文献下载
摘要：本发明涉及一种FeSe多晶界超导薄膜的制备方法，其包括：将一未处理的SrTiO3多晶界衬底置于一真空室中，该真空室的压强低于10‑9mbar，其中，该未处理的SrTiO3多晶界衬底包括多个共面拼接设置且晶向不同的SrTiO3单晶衬底，相邻SrTiO3单晶衬底之间具有沟槽，且每个SrTiO3单晶衬底表面为非原子级平整；将该未处理的SrTiO3多晶界衬底加热至1050℃以上，对该未处理的SrTiO3多晶界衬底退火10分钟以上；将该真空室温度降到3衬底进行补氧处理10分钟～30分钟；以及在该补氧处理后的SrTiO3多晶界衬底表面生长FeSe多晶界高温超导薄膜。
fese 多晶超导薄膜及其制备方法

[发明专利]SrTiO₃/石墨烯复合催化剂及制备方法和应用-CN201610264438.X在审
发明人：张全来;李楠;陈龙;杨宏辉;李伟;邹云;刘波;余峰 -专利权人：武汉三江航天远方科技有限公司
申请日： 2016-04-26 - 公布日： 2016-08-03 - 主分类号： B01J23/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种光催化分解水用SrTiO₃/石墨烯复合催化剂及制备方法和应用。SrTiO₃/石墨烯复合催化剂由SrTiO₃和石墨烯组成，其中，所述SrTiO₃负载在石墨烯的表面。搅拌溶解，得到溶液A；称取硝酸锶加入去离子水中，搅拌溶解得到溶液B；将溶液B逐滴加入到溶液A中，搅拌均匀后，继续超声分散形成均质溶胶；调节pH值至13～14；将均质溶胶转移到高压反应釜中，高温处理后冷却得到SrTiOSrTiO₃/石墨烯复合催化剂组合了SrTiO₃的光催化活性、石墨烯的高的比表面积、化学稳定性、吸附性能，高的导电性能。
srtio sub 石墨复合催化剂制备方法应用

[发明专利]一种由MXene衍生的SrTiO3-CN202211340101.4在审
发明人：孙松;禚真真;蔡梦蝶;薛照明;程芹;魏宇学 -专利权人：安徽大学
申请日： 2022-10-27 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： B01J23/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种由MXene衍生的SrTiO3基光催化剂及其应用，涉及光催化材料领域，是以Ti基MXene材料为Ti源，在其表面原位衍生SrTiOSrTiO3，一方面使MXene作为助催化剂与SrTiO3紧密接触，促进载流子分离；另一方面MXene较大的比表面积不仅为SrTiO3的生长提供了有利的平台，而且可以使SrTiO3SrTiO3基光催化剂制备条件温和，比表面积较大，催化活性位点多，形貌规则，具有高效光催化全解水性能。
一种 mxene 衍生 srtio base sub

[发明专利]一种钒酸铋/钛酸锶复合光催化剂的制备方法-CN201610943494.6有效
发明人：王其召;张淑玲;焦丹花;白燕;佘厚德;王芳平 -专利权人：西北师范大学
申请日： 2016-11-02 - 公布日： 2019-05-07 - 主分类号： B01J23/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种BiVO₄/SrTiO₃复合光催化剂的制备，主要用于光催化分解水产氢技术。本发明的方法是将BiVO₄搅拌、超声分散于蒸馏水中，再加入SrTiO₃，搅拌、超声；然后于40~60℃的恒温水浴蒸干；最后转移到马弗炉中，于450~500℃煅烧1~2h，即得BiVO₄/SrTiO₃复合光催化剂。本发明以产氢材料SrTiO₃为主体，通过与SrTiO₃复合形成异质结复合材料，以提高光生电子在半导体BiVO₄界面上的迁移速率，同时拓宽SrTiO₃在太阳能光谱中的吸收范围，从而提高钛酸锶SrTiO₃光催化剂分解水产氢性能。
一种钒酸铋钛酸锶复合光催化剂制备方法

[发明专利]一种改性SrTiO3-CN201810068319.6有效
发明人：傅小飞;高永 -专利权人：常州市新鸿医药化工技术有限公司
申请日： 2018-01-24 - 公布日： 2020-08-04 - 主分类号： B01J31/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种改性SrTiO3光催化剂及其制备方法，还公开了该改性SrTiO3光催化剂的制备方法，本发明通过乙二胺对SrTiO3进行改性，同步实现了SrTiO3的晶格内N掺杂及表面官能团接枝，本发明的改性SrTiO3具有较好的可见光活性，同时对水体中Cr(VI)具有较强的富集能力，因此本发明中改性后的SrTiO3对高浓度的Cr(VI)污染水体在可见光条件下也具有很好的处理效果
一种改性 srtio base sub

[发明专利]一种SrTiO3掺杂YBCO复合薄膜及其制备方法-CN201610619722.4在审
发明人：索红莉;仪宁;李春燕;徐燕;马麟;王田田;田民 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2016-07-30 - 公布日： 2016-12-14 - 主分类号： C04B35/50 文献下载
摘要：一种SrTiO3掺杂YBCO复合薄膜及制备方法，属于YBCO超导薄膜技术领域。本发明所提供的薄膜由摩尔百分比为1‐15％的SrTiO3和85‐99％的YBCO组成。本发明通过以下步骤制备SrTiO3掺杂YBCO复合薄膜：1)YBCO前驱溶液和SrTiO3前驱溶液的配制；2)SrTiO3掺杂YBCO前驱溶液的配制；3)前驱溶液的涂覆；4)凝胶湿膜的低温烧结；5)前驱非晶薄膜的高温烧结
一种 srtio3 掺杂 ybco 复合薄膜及其制备方法

[发明专利]一种石墨烯-SrTiO3-CN202111466973.0在审
发明人：赵林秀;崔娟;刘江汇;郭花花;柴序;史依琳;张昭阳;高建峰 -专利权人：中北大学
申请日： 2021-12-03 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： B01J23/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种石墨烯‑SrTiO3材料及其制备方法，所述的石墨烯‑SrTiO3材料是利用溶液‑凝胶法制得溶胶前驱体，通过本发明可以一步获得石墨烯‑SrTiO3材料，不需单独制备石墨烯和SrTiO3再将其复合，制得的石墨烯‑SrTiO<
一种石墨 srtio base sub

[发明专利]一种MBE同质外延生长SrTiO₃薄膜的方法-CN201110447762.2有效
发明人：杨芳;汪志明;冯加贵;郭建东 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2011-12-28 - 公布日： 2012-06-13 - 主分类号： C30B25/16 文献下载
摘要：本发明提供一种MBE同质外延生长SrTiO3薄膜的方法，包括：在氧气氛中于SrTiO3衬底的(110)面上共沉积Ti和Sr，同时对样品进行反射式高能电子衍射的原位实时监测；根据反射式高能电子衍射的特征衍射条纹的图案的变化来调整Sr束流和Ti束流的比例，使SrTiO3薄膜表面的重构始终围绕SrTiO3衬底表面的重构进行转换。
一种 mbe 同质外延生长 srtio sub 薄膜方法

[发明专利]基于Ag-SrTiO3-CN201711200381.8有效
发明人：全桂英;陈钉;宋雨蔷;张晶晶;田冬 -专利权人：淮南师范学院
申请日： 2017-11-24 - 公布日： 2020-08-11 - 主分类号： H01M8/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于Ag‑SrTiO3电极的对称SOFC，包括电解质、阴极和阳极，阴极和阳极分别涂覆于电解质两侧，电解质为Ce0.8Gd0.2O1.9(GDC)，阴极和阳极均为Ag‑SrTiO3电极，Ag‑SrTiO3电极以粉体Ag‑SrTiO3为原料，粉体Ag‑SrTiO3SrTiO3电极的的对称SOFC，电极疏松多孔，电极和电解质之间接触良好。本发明还提供了所述基于Ag‑SrTiO3电极的对称SOFC的制备方法，包括以下步骤：(一)粉体的制备；(二)对称电极的制备；(三)单电池的组装。
基于 ag srtio base sub

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