[发明专利]单晶生长方法及生长装置有效

专利信息
申请号: 99101771.4 申请日: 1999-02-05
公开(公告)号: CN1227287A 公开(公告)日: 1999-09-01
发明(设计)人: 冈本勉;田附幸一;久保田重夫 申请(专利权)人: 索尼株式会社
主分类号: C30B15/14 分类号: C30B15/14
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 王永刚
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 所公开的是具有优良结晶性且内部质量均匀因而光学性质极为优良的单晶的一种生长方法,此方法使得能够改善成品率。本发明在于一种生长β型硼酸钡(β-BaB2O4)单晶的方法,此方法包含间接加热坩埚,以便利用β-BaB2O4籽晶9,从盛在坩埚中的不使用助熔剂的硼酸钡(BaB2O4)熔液,生长β-BaB2O4单晶21。
搜索关键词: 生长 方法 装置
【主权项】:
1.一种生长β型硼酸钡(β-BaB2O4)单晶的方法,此方法包含间接加热坩埚,以便利用β-BaB2O4籽晶,从盛在所述坩埚中的不使用助熔剂的β-BaB2O4熔液,生长β-BaB2O4单晶的步骤。
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