专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]伺服阀关键故障模式定量分析方法-CN202011454916.6有效
  • 徐文正;白春磊;孙胜;孔祥雷;马岳轩;张超逸 - 中国航空综合技术研究所
  • 2020-12-10 - 2022-07-26 - B64F5/60
  • 本发明提供一种伺服阀关键故障模式定量分析方法,其包括以下步骤:S1、伺服阀故障模式梳理;S2、建立因素集;S3、建立评判集;S4、确定模糊评价矩阵R;S5、建立各故障模式的模糊评判矩阵Ri:分别针对步骤S1中的每一个故障模式,建立该故障模式的模糊评判矩阵;S6、建立因素比较矩阵:对各评价因素进行分析,建立各因素之间的比较矩阵,并计算比较矩阵的因素权重向量;S7、计算各故障模式模糊评价结果并排序。本发明的方法能够从不同的维度,对伺服阀故障模式的关键程度进行多维度评价,并基于评价结果展开计算,得到各故障模式关键程度的定量衡量值并根据数值大小进行偏序,依据排序结果可得到伺服阀的关键故障模式。
  • 伺服关键故障模式定量分析方法
  • [发明专利]一种VDMOS器件用薄Sb衬底上制备厚层外延的方法-CN201610618664.3有效
  • 陈涛;李明达;薛兵;白春磊;殷海丰 - 中国电子科技集团公司第四十六研究所
  • 2016-08-01 - 2018-10-19 - H01L21/02
  • 本发明涉及一种VDMOS器件用薄Sb衬底上制备厚层外延的方法。将外延炉石墨基座下方的9组调节杆的刻度值分别进行设定;利用氯化氢HCl气体在高温下对外延炉基座进行刻蚀抛光;向外延炉基座片坑内装入硅衬底片,利用HCl气体对硅衬底片表面进行抛光;采用大流量氢气对硅衬底片表面进行吹扫;在硅片上生长一层很薄的本征外延层;进行掺杂外延层的生长;掺杂外延层生长达到预定厚度后开始降温;对外延片九个测试点的厚度进行测量,从而获得硅外延片的平均厚度及其均匀性。实现了对400μm的薄Sb衬底的外延生长的良好控制,其厚度不均匀性<0.5%,边缘无滑移线、崩边、损伤等缺陷,满足VDMOS器件对硅外延层的要求,提高了器件的加工良率。
  • 一种vdmos器件sb衬底制备外延方法

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