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- [发明专利]一种硅电极加工的工艺方法-CN201911254218.9在审
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陈海滨;闫志瑞;库黎明;朱秦发;苏冰
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有研半导体材料有限公司
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2019-12-06
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2021-06-08
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H01J37/317
- 本发明公开了一种硅电极加工的工艺方法。该工艺方法包括以下步骤：(1)将从加工中心加工好的硅电极进行超声清洗、烘干，然后将硅电极放在双面抛光机的游轮片上进行第一次抛光；(2)将抛光完的硅电极进行超声清洗、烘干，然后用夹具装硅电极放入盛有混酸的腐蚀槽进行腐蚀，混酸的配比为：氢氟酸45％‑65％∶硝酸45％‑65％∶冰醋酸98％＝50％‑70％∶10％‑30％∶10％‑20％；(3)将腐蚀完的硅电极超声清洗、烘干，然后将硅电极放在双面抛光机的游轮片上进行第二次抛光；(4)将抛光完的硅电极进行超声清洗、HF酸洗、烘干。采用本发明的工艺方法可以制造导气孔直径一致性很高的硅电极，该硅电极的离子注入精度很好。
- 一种电极加工工艺方法
- [发明专利]一种硅环加工的工艺方法-CN201811585961.8有效
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陈海滨;闫志瑞;库黎明;朱秦发;史训达
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有研半导体材料有限公司
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2018-12-24
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2021-03-30
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B23B1/00
- 本发明公开了一种硅环加工的工艺方法，包括以下步骤：(1)将硅环固定在卡盘上，先将目数较小的普通刀具固定在刀架上，开动机器，让卡盘和刀具旋转，将硅环外径去除0.5mm；(2)换一把目数较大的普通刀具将硅环外径去除0.3mm；(3)换上特殊刀具固定在刀架上，该特殊刀具具有圆柱部分和斜面部分，其中刀具的圆柱部分用来研磨硅环外径，刀具的斜面部分用来对硅环外径进行倒角，用刀具的圆柱部分研磨硅环外径到目标直径；然后用刀具的斜面部分先后倒角硅环外径的左边和右边；(4)将加工好的硅环进行双面研磨、加工中心做内径、定位孔及卡槽。采用本发明的工艺方法可以制造外径倒角质量非常高的硅环，硅环外径倒角一致性好，无崩边，无污染，无毒害。
- 一种加工工艺方法
- [发明专利]一种硅片制造工艺-CN202010938546.7在审
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库黎明;闫志瑞;陈海滨
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有研半导体材料有限公司
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2020-09-08
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2020-12-11
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B24B1/00
- 本发明公开了一种硅片制造工艺。该工艺包括以下步骤：(1)在研磨和腐蚀后，对硅片进行抛光；(2)在硅片抛光后对硅片进行预清洗，去除硅片表面的磨料残留；(3)对硅片进行低温退火；(4)对低温退火的硅片进行最终清洗，去除步骤(3)中的表面金属残留，最后对金属水平进行检测。本发明的硅片制造工艺在最终清洗前用退火炉对硅片进行低温退火，使硅片体内金属扩散到表面，再经过最终清洗工艺进行去除。通过该工艺加工后的硅片，可以有效地降低硅片表面的金属沾污水平，特别是随着时间延长，表面金属水平保持稳定，提高硅单晶的合格率。
- 一种硅片制造工艺
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