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[实用新型]按摩器-CN202321169224.6有效
发明人： 江润峰 -专利权人：在昇科技（深圳）有限公司
申请日： 2023-05-16 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： A61H9/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及按摩器领域的按摩器，包括主机和摇控器，主机由机壳和设置于机壳内的电控按摩组件构成，机壳的前端设有用于进行吸吮动作且可拆卸更换的按摩嘴，摇控器包括固定壳体、旋转壳、纽扣电池、控制板和带按压开关的旋转式编码器。设置的摇控器既能当无线控制器使用，也能当盖体使用，使用过程中不需要操作主机也可实现控制，当使用完按摩器后，可通过摇控器将按摩嘴盖住，避免按摩嘴进灰尘或者受污染；设置带按压开关的旋转式编码器，可实现无极调速功能，操作时，可通过拧动旋转壳实现无极调速，便于随时随地调节按摩时需要的力度，同时，可通过电位器上的按压开关快速设置最高的按摩档位，实现瞬间增强的功能。
按摩

[外观设计]按摩器-CN202230345221.8有效
发明人：陈佳佳;江润峰 -专利权人：在昇科技(深圳)有限公司
申请日： 2022-06-07 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： 28-03 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：按摩器。2.本外观设计产品的用途：用于按摩。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：组合状态图。
按摩

[实用新型]可进行水洗的风扇-CN202120329548.6有效
发明人：梁世明;艾纯亮;江润峰 -专利权人：东莞市明双电子科技有限公司
申请日： 2021-02-05 - 公布日： 2021-11-12 - 主分类号： F04D25/08 文献下载
摘要：本实用新型涉及风扇领域的可进行水洗的风扇，包括底座、连接杆、主控面板和扇头，扇头由后盖、电机组件、叶轮和前盖构成，电机组件包括PCBA板、定子铁芯和转子轴，后盖的内侧中心设有开口向前的定位槽，PCBA板配对安装在定位槽内，并往定位槽内灌注灌封胶，灌封胶覆盖住PCBA板，转子轴通过轴承可转动地安装在中心套管内，定子铁芯的表面浸泡有可防水的三防漆。灌封胶可全面覆盖住整块PCBA板，确保水洗时水不会渗入定位槽内，以保证PCBA板不受水洗影响，定子铁芯浸泡有可防水的三防漆，使扇头整体防水性能良好，可直接对扇头进行水洗，不用担心因渗水而损坏PCBA板或者损坏定子铁芯，分别从两个方面改善风扇的防水性能，以达到可直接对扇头进行水洗的标准。
进行水洗风扇

[实用新型]便携式消毒除湿一体包-CN202021643677.4有效
发明人：李应堆;艾纯亮;江润峰;梁世明;吴志乐 -专利权人：南京爱家乐电器有限公司;东莞市显鹏实业有限公司
申请日： 2020-08-10 - 公布日： 2021-04-06 - 主分类号： F26B9/06 文献下载
摘要：本实用新型涉及生活用具领域的便携式消毒除湿一体包，包括包体和设置于包体内的消毒烘干装置，消毒烘干装置包括电热膜、抽风扇、UV灯和主控板，电热膜铺设于包体的内表面与铝膜之间，包体的底部设有与置物内腔导通的空气流通孔，抽风扇设置于包体的侧面且与置物内腔导通，抽风扇工作时可把置物内腔的湿气往外抽出至包体外。具备传统消毒功能的同时，另外设置往外排气的抽风扇和空气流通孔，使置物内腔分别与空气流通孔及抽风扇形成便于空气顺畅流通的除湿通道，当抽风扇工作时可将包体内部的湿气往外排出，避免湿气聚集在置物内腔，使置物内腔的物品可达到快速除潮的效果，同时电热膜与传统的电热丝相比，发热更均匀，热量传递更高效。
便携式消毒除湿一体

[外观设计]消毒包（消毒除湿一体）-CN202030507103.3有效
发明人： 江润峰 -专利权人：南京爱家乐电器有限公司;东莞市显鹏实业有限公司
申请日： 2020-08-31 - 公布日： 2021-01-05 - 主分类号： 24-01 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：消毒包（消毒除湿一体）。2.本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于消毒除湿一体包。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图1。
消毒除湿一体

[实用新型]一种交通灯式的感温儿童安全勺-CN201921450784.2有效
发明人： 江润峰;林福兴;李应堆;艾纯亮;梁世明;韩志鹏 -专利权人：东莞市显鹏实业有限公司
申请日： 2019-08-30 - 公布日： 2020-05-01 - 主分类号： A47G21/04 文献下载
摘要：本实用新型涉及勺子技术领域，具体涉及一种交通灯式的感温儿童安全勺，包括勺柄以及与勺柄连接的勺体；所述第一空腔内设有PCB板；所述PCB板上设有控制芯片；所述第二空腔内设有感温元件；所述PCB板连接有用于显示勺体温度的红光发光件、黄光发光件以及绿光发光件；所述第一空腔内设有电源。本实用新型通过将在勺子中加入感温元件以及控制芯片，从而使汤勺具有测温的功能并且通过发光件显示出来，在不同的温度区间内驱动不同的发光件进行发光，从而直观的掌握食物温度，能够防止儿童因食物温度过高而烫伤；另外通过设置与交通灯相似的红光发光件、黄光发光件以及绿光发光件，对儿童起到教育的作用。
一种交通灯儿童安全

[外观设计]香薰加湿器（迷浓鸟）-CN201930570086.5有效
发明人： 江润峰 -专利权人：东莞市显鹏实业有限公司
申请日： 2019-10-18 - 公布日： 2020-04-21 - 主分类号： 23-04 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：香薰加湿器（迷浓鸟）。2.本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于空气的薰香和调节空气湿度。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图1。
加湿器迷浓鸟

[发明专利]三维存储器的制作方法-CN201710733237.4有效
发明人：赵新梅;霍宗亮;唐兆云;隋翔宇;陆智勇;江润峰;王香凝;石晓静;王攀;王猛;闫伟明 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2017-08-24 - 公布日： 2020-04-14 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：一种三维存储器的制作的方法，采用一步干蚀刻法，包括：蚀刻顶层多晶硅，停留在氮化物上；然后蚀刻硬掩膜SiN层，停留在氧化物上。其中蚀刻剂需要对SiN与氧化物具有高选择性，以使得氧化物的损失小于50埃。通过采用一步干蚀刻法，减少CMP的使用，以及取代通过湿蚀刻除去硬掩膜SiN，有利于消除了CMP工艺中的负载效应引起的不同阵列区域厚度的变化，同时有利于简化工艺，降低成本。
三维存储器制作方法

[外观设计]香薰机（Enya恩雅）-CN201930458852.9有效
发明人： 江润峰;梁世明;李应堆;刁荣标;张子坚 -专利权人：广东臻香荟生物科技有限公司
申请日： 2019-08-22 - 公布日： 2020-03-27 - 主分类号： 23-04 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：香薰机（Enya恩雅）。2.本外观设计产品的用途：用于香薰、净化空气、加湿空气等。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。
香薰机 enya 恩雅

[发明专利]一种自对准STI的制备方法-CN201610367958.3有效
发明人： 江润峰;孙勤 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2016-05-30 - 公布日： 2019-04-05 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明公开了一种自对准STI的制备方法，通过采用炉管LPCVD工艺在浅沟槽内壁氧化层上再生长一层一定厚度且厚度均匀的多晶硅侧壁层，能够有效的防止水汽退火中的水汽消耗衬底硅和多晶硅浮栅硅，使隧穿氧化硅层的边缘厚度不改变，保证了隧穿氧化硅层的质量，进而提高了产品的可靠性。
一种对准 sti 制备方法

[发明专利]一种提高深度一致性的多晶硅插塞形成方法-CN201710755338.1有效
发明人：隋翔宇;唐兆云;陆智勇;赵新梅;江润峰;程媛;王家友 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2017-08-29 - 公布日： 2019-02-22 - 主分类号： H01L27/11526 文献下载
摘要：本发明提供了一种提高深度一致性的多晶硅插塞形成方法，所述方法在沟道孔中进行插塞氧化物填充不采用回刻工艺，而是在进行平坦化处理后沉积形成插塞的多晶硅；在对形成插塞的多晶硅进行p类型掺杂的离子注入；并利用光刻掩膜在沟道孔顶部进行高浓度的N类型掺杂(N+)的离子注入；从而形成顶部具有PN结结构的多晶硅插塞。通过上述方法，从而形成PN结的方式替代现有回刻插塞氧化物并沉积多晶硅的方法提高了多晶硅插塞深度的一致性；使得多晶硅插塞深度一致性的提高，从而顶部选择栅极(TSG)的开启电压(Vt)一致性更好，从而提高了3D NAND闪存的性能。
一种提高深度一致性多晶硅插塞形成方法

[发明专利]一种提高底部选择栅极下氧化物厚度均一性的方法-CN201710755336.2有效
发明人：隋翔宇;唐兆云;赵治国;陆智勇;王攀;江润峰;王香凝;赵新梅;石晓静;王恩博 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2017-08-29 - 公布日： 2019-01-29 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：本发明提供了一种提高底部选择栅极下氧化物厚度均一性的方法，所述方法在衬底上底部选择栅极(BSG)的边缘和中心区域的底部选择栅极(BSG)下部氧化物的基础上沉积氮化硅作为保护层，避免了在刻蚀堆叠结构形成核心区域台阶结构时的高温和富氢(H)环境下将氮化硅(SIN)牺牲层的边缘区域氧化成氮氧化硅(SION)，从而使得后续湿法刻蚀氧化底部选择栅极(BSG)氮化硅(SIN)牺牲层的边缘和中心区域的厚度均一性更好，进而使得后续底部选择栅极(BSG)的厚度均一性更好，从而提高底部选择栅极(BSG)的击穿电压(BV)，防止击穿失效，从而提高了3D NAND闪存的性能。
一种提高底部选择栅极氧化物厚度均一方法

[发明专利]防止SEG损坏的3D NAND制备方法及获得的3D NAND闪存-CN201710726112.9有效
发明人：陆智勇;隋翔宇;王香凝;唐兆云;江润峰 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2017-08-22 - 公布日： 2019-01-01 - 主分类号： H01L27/11524 文献下载
摘要：本发明提供了防止SEG损坏的3D NAND制备方法及获得的3D NAND闪存，所述方法包括，在所述周边区域器件的制备过程中，采用低温氧化法生成周边区域栅极硬掩膜氧化物并在衬底背面形成氧化物膜层，并控制衬底背面清洗工艺，使得衬底背面的硬掩膜氧化物保留至沟通孔制备工艺；从而防止电荷产生，防止磷酸刻蚀过程中发生电化学反应而对SEG造成损坏。进而可以防止3D结构的崩塌，并且降低BSG失效率；获得更高的产品收得率。
防止 seg 损坏 dnand 制备方法获得闪存

[发明专利]一种SONOS器件中ONO结构的制造方法-CN201510547787.8有效
发明人：孙勤;江润峰 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2015-08-31 - 公布日： 2018-10-16 - 主分类号： H01L27/11563 文献下载
摘要：本发明公开了一种SONOS器件中ONO结构的制造方法，首先采用低压氧化工艺在硅衬底上形成预设厚度的隧穿氧化层；接着对隧穿氧化层进行掺氮，且掺氮浓度随着隧穿氧化层的深度逐渐递减；然后在隧穿氧化层的上方形成用于存储电荷的氮化硅层；最后采用化学气相沉积工艺形成阻挡氧化层。本发明在隧穿氧化层中，由于掺氮浓度随着氧化层深度逐渐递减，因此使得整体隧穿氧化层能级也呈平缓递减，当器件处在写入状态时，由于能带在外电场下发生偏转，从而电子发生隧穿时通过的势垒区仍与普通SONOS器件相同，从而保证了擦写速度的要求。同时，在可靠性测试时，需要高温进行烘烤，由于梯度隧穿层的作用，电子逃逸更难以实现，从而保证了SONOS器件的数据保存能力。
一种 sonos 器件 ono 结构制造方法

[发明专利]一种提高外延机台产能的装置与方法-CN201410440501.1有效
发明人：曹威;江润峰 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2014-09-01 - 公布日： 2018-06-19 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明涉及集成电路技术领域，尤其是涉及到一种提高外延机台产能的装置与方法，通过在外延腔体中设置第一基座、第二基座、第三基座和第四基座，硅片在基座中同时进行传入与传出，极大减少了硅片的停留时间，本发明可以有效的提高外延工艺的生产效率，提高产能，另一方面也保正了外延膜淀积的高标准要求。
产能机台硅片集成电路技术生产效率外延工艺外延腔体外延膜淀积停留

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