[发明专利]一种梯度单晶金刚石及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201710960808.8 申请日: 2017-09-30
公开(公告)号: CN107740184B 公开(公告)日: 2019-07-19
发明(设计)人: 朱瑞;武迪;郑大平;肖景阳;杨明 申请(专利权)人: 湖北碳六科技有限公司
主分类号: C30B25/16 分类号: C30B25/16;C30B29/04;C23C16/27
代理公司: 宜昌市慧宜专利商标代理事务所(特殊普通合伙) 42226 代理人: 彭娅
地址: 430000 湖北省武汉市中国*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明涉及微波等离子体化学气相沉积方法生长单晶金刚石领域,特别涉及一种梯度单晶金刚石及其制备方法。采用微波等离子体化学气相沉积设备,在氢气甲烷混合气源中连续性梯度浓度通入高纯空气,实现不含氮的高质量单晶金刚石层和含氮金刚石层的交替沉积,制备出高质量、高强度、韧性好的梯度单晶金刚石。
搜索关键词: 一种 梯度 金刚石 及其 制备 方法
【主权项】:
1.一种梯度单晶金刚石,其特征在于:采用微波等离子体化学气相沉积设备,在氢气、甲烷混合气源中连续性梯度浓度通入高纯空气,实现不含氮的单晶金刚石层和含氮金刚石层的交替沉积,制备出的梯度单晶金刚石;在梯度单晶金刚石整个生产周期T=5‑500小时过程中,连续性梯度变化循环周期为t1,其中:小于等于30分钟时间内高纯空气流量为0slm;5‑30分钟时间内高纯空气流量由0升高至0.00001‑0.05slm;小于等于30分钟时间内高纯空气流量为0slm;5‑30分钟时间内高纯空气流量由0.00001‑0.05slm降低至0slm,不间断的循环控制通入的高纯空气流量。
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  • 2012-05-16 - 2013-02-06 - C30B25/16
  • 本实用新型公开了一种气相外延设备进行材料生长的控制系统,属于半导体技术领域。本系统包括一工控机和一可编程控制器,所述工控机通过工业通信总线分别与气相外延设备的可编程控制器、气体流量计、和/或压力控制器、和/或加热器、和/或转动盘连接。设置多个温区加热器进行动态补偿衬底温度。在气动阀控制方面取消逐个控制,设置联动自动控制开关,根据各路源气的设定值,联动打开气动阀和设定MFC。在压力控制方面,增加限制蝶阀角度控制,控制范围在大于5°小于40°之间,达到压力平稳控制和保证气体一直往下流。在材料生长控制方面,除了能实现自动运行菜单外,创造实行跳步生长、无缝更新菜单和中途指定步生长。
  • 化学气相淀积硅外延生长方法-201110177850.5
  • 刘继全 - 上海华虹NEC电子有限公司
  • 2011-06-28 - 2013-01-02 - C30B25/16
  • 本发明公开了一种化学气相淀积硅外延生长方法,将基片传入工艺腔体,通入氢气净化,然后使压力控制到第一压力,使基片温度升高到第一温度,以第一流量通入氢气并持续第一时间进行烘烤;然后使基片温度降低到第二温度,将压力升高为第二压力,将向通入氢气的流量降低到第二流量并持续第二时间进行稳定,第二温度低于第一温度,第二压力高于第一压力,第二流量低于第一流量;稳定结束后通入硅源气体,进行硅外延生长;最后降低基片温度,将基片传出。本发明的化学气相淀积硅外延生长方法,能降低在具有P型重掺杂的或具有P型埋层的硅衬底上生长硅外延时的P型自掺杂程度。
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