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[发明专利]一种基于SCR的集成电路静电保护器件-CN201210524550.4有效
发明人：王任卿;朱阳军;陆江;苏江 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2012-12-07 - 公布日： 2018-08-10 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于SCR的集成电路静电保护器件，包含：P型衬底，在所述P型衬底上设有相邻的P阱和N阱；在所述N阱里面设有P+型扩散区和N+型扩散区，二者分别与金属层连接；在所述P阱里面设有P+型扩散区和N+型扩散区，二者分别与金属层连接；在所述N阱表面的金属层和P阱表面的金属层之间通过氧化层隔开；在所述P阱里面设有的N+型扩散区和在所述N阱里面设有的P+型扩散区二者中至少一个设有双扩散PN结；所述双扩散PN结的个数包含两个或两个以上，所述多个双扩散PN结串联。本发明提供的基于SCR的集成电路静电保护器件，使得ESD保护电路中SCR的触发电压和维持电压都得到了提高。
一种基于 scr 集成电路静电保护器件

[发明专利]具备载流子存储的平面栅IGBT器件-CN201510583542.0有效
发明人：贾艳;朱阳军;卢烁今;陈宏 -专利权人：江苏物联网研究发展中心;江苏中科君芯科技有限公司
申请日： 2015-09-14 - 公布日： 2018-07-31 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明涉及一种具备载流子存储的平面栅IGBT器件，其包括具备第一导电类型的漂移区以及形成于漂移区正面的平面型元件单元，所述平面型元件单元包括第二导电类型基区以及位于所述第二导电类型基区下方的载流子存储层，载流子存储层的导电类型与漂移区的导电类型相一致，且第二导电类型基区以及载流子存储层均位于漂移区内的上部，所述平面型元件单元还包括用于对载流子存储层进行包裹的第二导电类型掩埋层，所述第二导电类型掩埋层在漂移区内邻接载流子存储层，且第二导电类型掩埋层仅包裹载流子存储层拐角处至所述载流子存储层的底部对应的区域。本发明结构简单紧凑，提高IGBT器件的击穿电压，降低IGBT器件的关断损耗以及导通压降。
具备载流子存储平面 igbt 器件

[发明专利]高压超结结构的制备方法-CN201810082225.4在审
发明人：吴凯;朱阳军;胡少伟 -专利权人：贵州芯长征科技有限公司
申请日： 2018-01-29 - 公布日： 2018-07-17 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明涉及一种高压超结结构的制备方法，其包括如下步骤：步骤1、对半导体衬底进行沟槽刻蚀，以得到宽槽；步骤2、在上述宽槽的上方进行第二导电类型外延层的淀积，以得到第二导电类型外延层；步骤3、在上述宽槽上方进行第一导电类型外延层的淀积，以得到第一导电类型外延层；步骤4、重复上述第二导电类型外延层与第一导电类型外延层的淀积工艺步骤，直至将宽槽填满；步骤5、对上述半导体衬底的正面、背面进行减薄，以得到第二导电类型柱与第一导电类型柱交替排列的超结结构。本发明工艺步骤简单，与现有工艺兼容，采用具有较小深宽比的常规刻蚀工艺，形成长宽比更大的硅柱，不需要增加额外的光刻和注入，从而降低了成本。
第一导电类型宽槽导电类型外延层超结结构外延层衬底淀积制备半导体常规刻蚀工艺导电类型淀积工艺工艺步骤工艺兼容沟槽刻蚀交替排列长宽比深宽比光刻硅柱减薄填满背面重复

[发明专利]FRD的制备方法-CN201210371807.7有效
发明人：吴振兴;朱阳军;谈景飞;胡爱斌;陆江;喻巧群;陈宏;赵佳 -专利权人：中国科学院微电子研究所;江苏中科君芯科技有限公司;江苏物联网研究发展中心
申请日： 2012-09-28 - 公布日： 2018-07-06 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明公开了一种FRD的制备方法，包括：在N‑型衬底上制备芯片的正面结构；在N‑型衬底上制备芯片的背面结构；将所述芯片正面结构上表面涂抹光刻胶，再将多孔铅金属薄膜掩膜板覆盖在光刻胶上，然后对芯片进行曝光形成多孔铅掩膜板的孔区域；将所述经过曝光后的芯片进行电子辐照扫描，并进行电子辐照退火；将所述经过电子辐照退火后的芯片去多孔铅金属薄膜掩膜板，去光刻胶；将所述去光刻胶后的芯片背面通过蒸发金属电极，形成芯片的阴极后，获得成品。本发明提供的FRD的制备方法能控制FRD不同区域寿命，提高FRD的关断速度，降低FRD的开关损耗。
制备芯片光刻胶电子辐照多孔铅掩膜板退火金属薄膜衬底阴极蒸发金属电极背面结构开关损耗芯片背面芯片正面正面结构曝光孔区域上表面关断涂抹扫描覆盖

[发明专利]一种IGBT的缓冲层结构及其制作方法-CN201310085624.3有效
发明人：喻巧群;朱阳军;卢烁今;吴振兴;田晓丽 -专利权人：中国科学院微电子研究所;上海联星电子有限公司;江苏中科君芯科技有限公司
申请日： 2013-03-18 - 公布日： 2018-06-19 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明公开了一种IGBT的缓冲层结构及其制作方法，属于功率半导体技术领域，该缓冲层包括至少两层N型掺杂层，缓冲层在漂移区和P+集电区之间，制作该缓冲层的方法为：在N‑型衬底的背面通过质子辐照形成第一掺杂层，第一掺杂层的掺杂浓度为5e14/cm3–5e16/cm3；在第一掺杂层通过掩膜板划分出掩膜区域和透光区域；通过质子辐照或者离子注入的方法在透光区域形成第二掺杂层，第二掺杂层的掺杂浓度为1e15/cm3–5e17/cm3。本发明可以获得更理想的缓冲层掺杂浓度分布，可以改善开关速度，同时抑制导通压降的波动。 1
掺杂层缓冲层缓冲层结构掺杂透光区域质子辐照制作功率半导体技术导通压降浓度分布掩膜区域集电区漂移区掩膜板衬底两层离子背面

[发明专利]一种终端与有源区形成弱电连接的结构及其设计方法-CN201310086213.6有效
发明人：褚为利;朱阳军;田晓丽;赵佳 -专利权人：中国科学院微电子研究所;上海联星电子有限公司;江苏中科君芯科技有限公司
申请日： 2013-03-18 - 公布日： 2018-06-15 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明提供了一种终端与有源区形成弱电连接的结构，包括衬底结构、场限环结构、钝化层、基区结构、发射区结构、多晶硅栅结构、覆盖有源区的金属电极、通过氧化层开孔与主结和第一级场限环连接的金属电极、及与多晶硅栅结构连接的栅极电极，本发明提供的一种终端与有源区形成弱电连接的结构，是在传统终端结构的形成终端钝化层的基础上，在终端主结和第一级场限环之间刻蚀钝化层形成金属接触窗口，使得该位置与有源区的金属形成电学连接。本发明提供的一种终端与有源区形成弱电连接的结构，可以防止高压器件在动态过程中发生闩锁，同时可以保证器件在有源区和终端区的可靠性，降低器件在HTRB过程中的漏电流。 1
源区弱电连接终端场限环多晶硅栅结构金属电极第一级主结发射区结构刻蚀钝化层衬底结构传统终端电学连接动态过程高压器件基区结构降低器件金属接触金属形成栅极电极终端钝化钝化层漏电流氧化层终端区开孔闩锁覆盖保证

[发明专利]一种逆导型绝缘栅双极晶体管结构及其制备方法-CN201210524692.0有效
发明人：胡爱斌;朱阳军;田晓丽;张文亮 -专利权人：中国科学院微电子研究所;江苏物联网研究发展中心;江苏中科君芯科技有限公司
申请日： 2012-12-07 - 公布日： 2018-06-01 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明公开了一种逆导型绝缘栅双极晶体管结构及其制备方法，属于半导体功率器件的技术领域。该结构包括集电极、第二P+掺杂层、N+掺杂层、N+缓冲层、N‑基区、P‑基底、第一P+掺杂层和发射极；N‑基区的上方为P‑基底，N‑基区的下方为N+缓冲层，P‑基底的上方为第一P+掺杂层，第一P+掺杂层的上方形成发射极，逆导型绝缘栅双极晶体管的背面有第二P+掺杂层和N+掺杂层，第二P+掺杂层和N+掺杂层的下方形成集电极，在与P‑基底接近的所述N‑基区上有局域寿命控制区域。本发明可以在不显著增加IGBT制备成本的基础上显著改善逆导型IGBT在二极管模式时的反向恢复特性。
掺杂层逆导型基底基区绝缘栅双极晶体管制备发射极缓冲层集电极半导体功率器件反向恢复特性二极管模式寿命控制背面

[发明专利]一种中高压沟槽型功率器件的终端结构及其制作方法-CN201310086262.X有效
发明人：喻巧群;朱阳军;卢烁今;田晓丽 -专利权人：中国科学院微电子研究所;上海联星电子有限公司;江苏中科君芯科技有限公司
申请日： 2013-03-18 - 公布日： 2018-04-03 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种中高压沟槽型功率器件的终端结构及其制作方法，属于半导体功率器件制备技术领域。该终端结构的终端区域至少有一个沟槽，沟槽的两侧均有表面结，靠近有源区的一侧为n型注入结，远离有源区的一侧为p型注入结，沟槽内有填充物。本发明一方面可以在保证器件具有高的击穿电压的同时，缩小了终端保护区的面积，降低了芯片制造成本；另一方面能够降低寄生电荷的影响，提高器件的可靠性。
一种高压沟槽功率器件终端结构及其制作方法

[发明专利]逆导型IGBT的集电极结构及其制备方法-CN201210524694.X有效
发明人：张文亮;胡爱斌;朱阳军;陆江 -专利权人：中国科学院微电子研究所;上海联星电子有限公司;江苏中科君芯科技有限公司
申请日： 2012-12-07 - 公布日： 2018-04-03 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明公开了一种逆导型IGBT的集电极结构，包括基区、N‑锗缺陷层、P+锗集电极区、N+锗短路区及集电极金属层；所述N‑锗缺陷层设置在基区底面；所述P+锗集电极区及N+锗短路区并列设置在所述N‑锗缺陷层底面与所述集电极金属层之间。本发明还公开了一种逆导型IGBT的集电极结构的制备方法。本发明提供的一种逆导型IGBT的集电极结构及其制备方法，采用锗材料或者锗硅材料做逆导型IGBT背面集电极可以大幅降低发生回跳现象时的集电极‑发射极电压、发射极电流密度，从而抑制了器件的回跳现象，还可以在低温下获得较高的杂质激活率，能避免昂贵的离子注入过程，降低导通电压和关断时间。
逆导型 igbt 集电极结构及其制备方法

[发明专利]PIN超结结构-CN201310085640.2有效
发明人：张文亮;朱阳军;卢烁今;胡爱斌 -专利权人：中国科学院微电子研究所;上海联星电子有限公司;江苏中科君芯科技有限公司
申请日： 2013-03-18 - 公布日： 2018-03-30 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种PIN超结结构，包括N型柱、P型柱、发射极、基区、发射极金属层、缓冲层、集电极、集电极金属层及本征区；所述N型柱依次通过缓冲层、集电极与集电极金属层连接；所述P型柱与所述基区连接；所述发射极金属层分别与发射极及基区电学连接；所述本征区设置在N型柱及P型柱之间。本发明提供的PIN超结结构，在传统的N+/P+柱之间加入本征区域，从而使N+/P+柱的宽度和掺杂浓度的约束关系去除，不仅能给器件设计提供更大的自由度，还能更好的去折中器件的性能。
pin 结构

[发明专利]变频器过流保护电路-CN201510584009.6有效
发明人：许友聪;朱阳军;卢烁今;胡少伟 -专利权人：江苏物联网研究发展中心;江苏中科君芯科技有限公司
申请日： 2015-09-14 - 公布日： 2018-03-30 - 主分类号： H02H7/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种变频器过流保护电路，控制电路接收电流传感器传输变频器的输出电流，并将变频器输出电流与所述控制电路内预设电流阈值比较，若变频器输出电流大于预设电流阈值时，控制电路通过控制开关电路使得整流器通过限流电阻与电容器连接；在整流器通过限流电阻与电容器连接且变频器的输出电流稳定后，控制电路通过开关电路将限流电阻屏蔽，以使得整流器直接与电容器连接；若屏蔽限流电阻后，电流传感器传输的变频器输出电流依然大于控制电路内的预设电流阈值时，控制电路使得变频器进行跳闸报警。本发明能有效减少过流时对变频器以及IGBT电路的损害，安全可靠。
变频器保护电路

[发明专利]一种绝缘栅场效应晶体管及其制作方法-CN201210551729.9有效
发明人：褚为利;朱阳军;卢烁今;胡爱斌 -专利权人：中国科学院微电子研究所;江苏物联网研究发展中心;江苏中科君芯科技有限公司
申请日： 2012-12-18 - 公布日： 2018-03-30 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明涉及绝缘栅场效应晶体管技术领域，公开了一种绝缘栅场效应晶体管及其制作方法。该制作方法包括采用N型SiC单晶材料作为衬底材料，并在SiC的表面外延生长出石墨烯，形成石墨烯导电层；刻蚀石墨烯，并保留栅极下方的元胞区之间的非沟道区域的石墨烯；按照制作绝缘栅场效应晶体管的工艺要求形成P型基区、N型发射区、有源区金属层及栅极金属层；在绝缘栅场效应晶体管金属化后，在绝缘栅场效应晶体管的背面生成集电极金属。本发明在不降低器件的耐压特性的基础上，降低了芯片的整体电阻，使得器件具有更小的饱和导通压降。
一种绝缘场效应晶体管及其制作方法

[发明专利]逆导型IGBT的背面结构及其制备方法-CN201210526482.5有效
发明人：张文亮;田晓丽;朱阳军;胡爱斌 -专利权人：中国科学院微电子研究所;上海联星电子有限公司;江苏中科君芯科技有限公司
申请日： 2012-12-07 - 公布日： 2018-03-30 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明公开了一种逆导型IGBT的背面结构，包括漂移区、第一N+缓冲层、绝缘层、P+集电区、N+短路区及集电极金属层；所述P+集电区与所述N+短路区中间通过所述漂移区分隔开；所述N+短路区的耗尽部分通过所述绝缘层与所述集电极金属层连接，其他部分直接与所述集电极金属层连接。本发明提供的一种逆导型IGBT的背面结构及其制备方法，通过在P+集电区和N+短路区之间加入一段低掺杂的N‑区域的漂移区，这样能使P+集电区更大程度的正偏，从而能避免回跳现象的产生，另外此结构还可以增加P+集电区有效导通面积，增加空穴的注入总量，降低了导通压降，从而降低功耗。
逆导型 igbt 背面结构及其制备方法

[发明专利]具有抗辐照结构的IGBT器件及其制备方法-CN201710997718.6在审
发明人：徐承福;朱阳军 -专利权人：贵州芯长征科技有限公司
申请日： 2017-10-24 - 公布日： 2018-03-27 - 主分类号： H01L29/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有抗辐照结构的IGBT器件及其制备方法，其包括第一导电类型基区以及设置于所述第一导电类型基区正面的正面元胞结构；在第一导电类型基区的背面设置第二导电类型集电区，在所述第二导电类型集电区的外圈设置埋氧层，埋氧层埋设在第一导电类型基区内，埋氧层在第一导电类型基区内的深度大于第二导电类型集电区在第一导电类型基区内的深度，第二导电类型集电区与埋氧层接触；所述第二导电类型集电区通过集电极连接引出体与位于第一导电类型基区正面上方的集电极金属电连接，集电极连接引出体通过内绝缘隔离体与第一导电类型基区的侧面绝缘隔离。本发明结构紧凑，能有效提高IGBT器件的抗辐照能力，安全可靠。
具有辐照结构 igbt 器件及其制备方法

[发明专利]能节省终端面积的屏蔽栅MOSFET器件及其制备方法-CN201710997732.6在审
发明人：徐承福;朱阳军 -专利权人：贵州芯长征科技有限公司
申请日： 2017-10-24 - 公布日： 2018-03-13 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及一种能节省终端面积的屏蔽栅MOSFET器件及其制备方法，其元胞区采用沟槽结构并设置屏蔽栅结构，终端保护区内设置终端沟槽，终端沟槽的宽度大于元胞沟槽的宽度，在所述终端沟槽的侧壁以及底壁设置终端沟槽绝缘氧化层，并在设置终端沟槽绝缘氧化层的终端沟槽内填充终端沟槽导电多晶硅；邻近元胞区的终端沟槽与邻近终端保护区的元胞沟槽侧壁外上方的第二导电类型基区接触，在第一导电类型漂移层上方设置源极金属，所述源极金属与第二导电类型基区、第二导电类型基区内的第一导电类型源区以及终端沟槽导电多晶硅欧姆接触，与现有工艺兼容，能有效提高耐压能力，且可节省终端的面积，安全可靠。
节省终端面积屏蔽 mosfet 器件及其制备方法