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[发明专利]异质结双极晶体管及其制造方法-CN200610169050.8无效
发明人：村山启一;田村彰良;宫本裕孝;宫岛贤一 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2006-12-19 - 公布日： 2007-06-27 - 主分类号： H01L29/737 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供可以再现性良好且高成品率地制造的、在抗击穿性上优良的异质结双极晶体管，其特征在于，具备辅助集电极层、集电极层、以及具有比构成基极层的半导体还大的能带间隙的发射极层；集电极层具有形成在辅助集电极层上的第1集电极层、形成在第1集电极层上的第2集电极层、以及形成在第2集电极层和基极层之间的第3集电极层；构成第1集电极层的半导体不同于构成第3集电极层以及第2集电极层的半导体；第2集电极层的杂质浓度比辅助集电极层的杂质浓度还低，且比第3集电极层的杂质浓度还高。
异质结双极晶体管及其制造方法

[发明专利]绝缘栅双极晶体管及其制造方法-CN201410507503.8有效
发明人：陈鲁夫;陈柏安 -专利权人：新唐科技股份有限公司
申请日： 2014-09-28 - 公布日： 2018-09-07 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种绝缘栅双极晶体管及其制造方法，绝缘栅双极晶体管包括发射极电极、集电极电极、第一导电型态的集电极层、第二导电型态的掺杂层、第二导电型态的集电极层以及第一导电型态的基极层。发射极电极与集电极电极分别位于绝缘栅双极晶体管的相对两侧。第一导电型态的集电极层接触集电极电极的第一表面。第二导电型态的掺杂层覆盖该第一导电型态的集电极层。第二导电型态的集电极层接触集电极电极的第二表面。第一导电型态的集电极层与第二导电型态的集电极层交替设置。第一导电型态的基极层用以阻隔第二导电型态的集电极层与第一导电型态的集电极层。
绝缘双极晶体管及其制造方法

[发明专利]一种碳化硅和硅异质结逆导型IGBT-CN202210188984.5在审
发明人：张新峰;黄宏嘉;帝玛;陈善亮;杨祚宝;王霖;弓小武;袁嵩;龙安泽;曹金星;应艳阳;杜陈;张函 -专利权人：江苏卓远半导体有限公司
申请日： 2022-03-01 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01L29/165 文献下载
摘要：本发明涉及一种碳化硅和硅异质结逆导型IGBT，其包括集电极结构；所述集电极结构为多层结构，由底层到顶层依次为P+集电极区和N+集电极区、位于P+集电极区和N+集电极区上方的N+缓冲层、位于N+缓冲层上方的N漂移区，位于漂移区的上方的表面结构，所述P+集电极区的集电极接触为欧姆接触，N+集电极区的集电极接触为肖特基接触；所述N+集电极区使用碳化硅材料制成，所述P+集电极区、N+缓冲层、N漂移区、表面结构均使用硅材料制成设计除了N+集电极区由碳化硅材料制成，其余区域都由硅材料制成，且N+集电极区的集电极接触为肖特基接触，利用碳化硅肖特基结压降较高的特性，消除电压折回现象。
一种碳化硅硅异质结逆导型 igbt

[发明专利]一种碳化硅和硅异质结沟槽逆导型IGBT-CN202210188969.0在审
发明人：张新峰;黄宏嘉;帝玛;陈善亮;杨祚宝;王霖;弓小武;袁嵩;龙安泽;曹金星;应艳阳;杜陈;张函 -专利权人：江苏卓远半导体有限公司
申请日： 2022-03-01 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01L29/165 文献下载
摘要：本发明涉及一种碳化硅和硅异质结沟槽逆导型IGBT，其包括集电极结构；所述集电极结构为多层结构，由底层到顶层依次为P+集电极区和N+集电极区、位于P+集电极区和N+集电极区上方的N+缓冲层、位于N+缓冲层上方的N漂移区，位于漂移区的上方的表面结构，所述P+集电极区的集电极接触为欧姆接触，N+集电极区的集电极接触为肖特基接触；所述N+集电极区使用碳化硅材料制成，所述P+集电极区、N+缓冲层、N漂移区、表面结构均使用硅材料制成设计除了N+集电极区由碳化硅材料制成，其余区域都由硅材料制成，且N+集电极区的集电极接触为肖特基接触，利用碳化硅肖特基结压降较高的特性，消除电压折回现象。
一种碳化硅硅异质结沟槽逆导型 igbt

[发明专利]IGBT集电极结构-CN201210494615.5有效
发明人：陈宏;朱阳军;吴凯;徐承福;卢烁今 -专利权人：江苏物联网研究发展中心
申请日： 2012-11-28 - 公布日： 2013-02-13 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：本发明提供一种IGBT集电极结构，包括N-型基区，还包括在N-型基区的背面形成的间隔分布N+型区域层，以及在N-型基区的背面，上述间隔分布N+型区域层未覆盖区域形成的间隔分布P+型集电极层。本发明用于形成IGBT的集电极结构。
igbt 集电极结构

[发明专利]碱性集电极阳极-CN201180064657.9有效
发明人：卡尔·米克劳韦斯基;约翰·麦科德;约瑟夫·萨拉赞;罗布·比尔什特克尔 -专利权人：诺而达阿普尔顿有限责任公司
申请日： 2011-11-09 - 公布日： 2013-10-23 - 主分类号： H01M10/24 文献下载
摘要：一种碱性电池，其包括阴极、碱性电解质和基于铜的阳极，所述阳极在没有保护涂层或镀层的情况下将氢析气减至小于使用镀锡260黄铜所观察到的产生气体的50%。一种用于电池阳极的合金，其在没有保护涂层或镀层的情况下将氢析气减至小于使用镀锡260黄铜所观察到的产生气体的50%，按wt%计，所述合金包含0.01%至9.0%的锡，不超过1%的磷，不超过1%的杂质元素和杂质，以及余量的铜。另一种用于电池阳极的合金，其在没有保护涂层或镀层的情况下将氢析气减至小于使用镀锡260黄铜所观察到的产生气体的50%，按wt%计，所述合金包含1.0%至40%的锌，大约0.01%至5.0%的锡，不超过1%的磷，不超过1%的杂质元素和杂质，以及余量的铜。
碱性集电极阳极

[发明专利]一种反向电流分布均匀的逆导型IGBT-CN202210480122.X在审
发明人：孙瑞泽;余丽波;刘超 -专利权人：成都智达和创信息科技有限公司
申请日： 2022-05-05 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：本发明公开了一种反向电流分布均匀的逆导型IGBT，包括半元胞结构，半元胞结构包括集电极结构、耐压层结构发射极结构和栅极结构；集电极结构位于耐压层结构的其中一端，发射极结构和栅极结构位于耐压层结构另一端的两侧；其中集电极结构包括P+集电极区、N+集电极区和N型缓冲层、P型导电材料、集电极金属、浮空金属；集电极金属连接在P+集电极区并引出集电极，浮空金属连接在N+集电极区，且集电极金属与浮空金属之间不接触；本发明在常规逆导型IGBT结构的基础上通过对集电极结构的优化及改进，利用在集电极侧引入的P型肖特基二极管来消除电压折回现象，因此使得P+集电极区与N+集电极区的长度比值可以较小，保证器件在反向导通时电流更均匀。
一种反向电流分布均匀逆导型 igbt

[实用新型]一种反向电流分布均匀的逆导型IGBT-CN202221049722.2有效
发明人：孙瑞泽;余丽波;刘超 -专利权人：成都智达和创信息科技有限公司
申请日： 2022-05-05 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种反向电流分布均匀的逆导型IGBT，包括半元胞结构，半元胞结构包括集电极结构、耐压层结构发射极结构和栅极结构；集电极结构位于耐压层结构的其中一端，发射极结构和栅极结构位于耐压层结构另一端的两侧；其中集电极结构包括P+集电极区、N+集电极区和N型缓冲层、P型导电材料、集电极金属、浮空金属；集电极金属连接在P+集电极区并引出集电极，浮空金属连接在N+集电极区，且集电极金属与浮空金属之间不接触；本实用新型在常规逆导型IGBT结构的基础上通过对集电极结构的优化及改进，利用在集电极侧引入的P型肖特基二极管来消除电压折回现象，因此使得P+集电极区与N+集电极区的长度比值可以较小，保证器件在反向导通时电流更均匀。
一种反向电流分布均匀逆导型 igbt

[发明专利]异质结双极晶体管的结构及方法-CN02825577.1有效
发明人： R·S·伯顿;A·萨梅利斯;H·育西克 -专利权人：空间工程股份有限公司
申请日： 2002-11-18 - 公布日： 2005-06-15 - 主分类号： H01L21/8222 文献下载
摘要：按照一个公开的实施例，形成重掺杂的子集电极(210)。接着，在重掺杂的子集电极(210)之上制造集电极(230)，其中集电极(230)包括邻近子集电极(210)的中等掺杂的集电极层(232)和在中等掺杂的集电极层(232)上面的低掺杂的集电极层(234)。中等掺杂的集电极层(232)和低掺杂的集电极层(234)包括分别掺杂了近似5×10¹⁶cm^－3到近似1×10¹⁸cm^{－3集电极(230)上生长基极(212)，在基极(212)上淀积发射极(214)。HBT的集电极(230)防止耗尽区到达不过度阻止耗尽区扩展的子集电极(210)，。结果，阻止了子集电极(210)中的丝化现象，但是HBT的性能保持最优化。}
异质结双极晶体管结构方法

[实用新型]绝缘栅双极晶体管的器件结构-CN201120363767.2有效
发明人：胡晓明 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2011-09-26 - 公布日： 2012-06-20 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种绝缘栅双极晶体管的器件结构，包括元胞区、场截止区，元胞区包括MOS区域、发射极电极，MOS区域的下方为电场承受区；场截止区包括自元胞区延伸的电场承受区；电场承受区的下方连接缓冲区；缓冲区的下方连接集电极区，集电极区的下方连接集电极电极；所述集电极区由P型掺杂形成，集电极区分为高浓度集电极区、低浓度集电极区，高浓度集电极区与低浓度集电极区交替分布，贯穿元胞区和场截止区。本实用新型的集电极区内，高浓度集电极区与低浓度集电极区交替分布，不仅可降低器件在开启时的空穴注入浓度，从而降低器件关断时由于电场承受区积累大量的空穴产生的关断电流拖尾现象；而且确保了集电极的电极引出的良好欧姆接触
绝缘双极晶体管器件结构

[发明专利]带有分段集电极的内部堆叠的NPN-CN201811492073.1在审
发明人： H·L·爱德华兹;A·A·塞尔曼 -专利权人：德克萨斯仪器股份有限公司
申请日： 2018-12-07 - 公布日： 2019-06-25 - 主分类号： H01L29/08 文献下载
摘要：本申请公开带有分段集电极的内部堆叠的NPN。集成电路(100)包括堆叠的NPN(104)，其具有连接到下部NPN(108)的上部NPN(106)。上部NPN(106)包括上部集电极(110)、上部基极(112)和上部发射极(114)。下部NPN(108)包括下部集电极(116)、下部基极(118)和下部发射极(120)。上部集电极(110)包括在下部发射极(120)的相对侧上的集电极段(122)、(124)。集电极段(122)、(124)由集电极分隔器(126)、(132)横向分隔，集电极分隔器(126)、(132)与集电极段(126)、(132)中的定向方向(128)对齐。上部集电极(110)不具有与定向方向(128)交叉的集电极分隔器。
集电极发射极分隔器堆叠分段横向分隔对齐集成电路申请

[发明专利]一种薄膜电池及电芯印刷方法-CN202110491957.0有效
发明人：聂赞相;罗师强;普里帖斯·希亚拉;迪乐克·奥兹特;卡罗琳娜·斯帕莱克 -专利权人：深圳新源柔性科技有限公司
申请日： 2021-05-06 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01M50/105 文献下载
摘要：本发明涉及电池技术领域，并具体公开了一种薄膜电池及电芯印刷方法，该薄膜电池的所述薄膜电池电芯包括：隔膜、正电极、负电极、正集电极和负集电极；正电极和所述负电极分开设置于隔膜上，正集电极设置于正电极上，负集电极设置于负电极上；或正集电极与正电极集成，负集电极与负电极集成。在本发明中，通过提供一种将薄膜电池电芯的正电极、负电极分开设置于隔膜上的不同位置，将正集电极设置在正电极上、负集电极设置在负电极上，或者将正集电极与正电极集成、将负集电极与负电极集成的薄膜电池，实现了薄膜电池的安全使用
一种薄膜电池印刷方法

[实用新型]一种薄膜电池-CN202120951032.5有效
发明人：聂赞相;罗师强;普里帖斯·希亚拉;迪乐克·奥兹特;卡罗琳娜·斯帕莱克 -专利权人：深圳新源柔性科技有限公司
申请日： 2021-05-06 - 公布日： 2021-12-03 - 主分类号： H01M50/105 文献下载
摘要：本实用新型涉及电池技术领域，并具体公开了一种薄膜电池，该薄膜电池的所述薄膜电池电芯包括：隔膜、正电极、负电极、正集电极和负集电极；正电极和所述负电极分开设置于隔膜上，正集电极设置于正电极上，负集电极设置于负电极上；或正集电极与正电极集成，负集电极与负电极集成。在本实用新型中，通过提供一种将薄膜电池电芯的正电极、负电极分开设置于隔膜上的不同位置，将正集电极设置在正电极上、负集电极设置在负电极上，或者将正集电极与正电极集成、将负集电极与负电极集成的薄膜电池，实现了薄膜电池的安全使用
一种薄膜电池

[发明专利]薄膜覆盖的电气装置和用于该薄膜覆盖的电气装置的集电极覆盖部件-CN200580007754.9有效
发明人：水田政智 -专利权人： NEC拉米利翁能源株式会社
申请日： 2005-03-09 - 公布日： 2007-03-14 - 主分类号： H01M2/02 文献下载
摘要：一种薄膜覆盖的电气装置和用于该薄膜覆盖的电气装置的集电极覆盖部件。阳极集电极3a和阴极集电极3b的拐角3a’、3b’由集电极保护部件10覆盖。集电极保护部件10a是袋状形状的树脂薄膜的部件，并且在其前表面10c形成插入孔10d，用于允许阳极接头4a和阳极集电极3a或阴极接头4b和阴极集电极3b插入其中。集电极保护部件10在电池元件2被层叠薄膜5，6密封的时候被抽成真空，借此确保集电极保护部件10与阳极集电极3a和阴极集电极3b紧密接触。
薄膜覆盖电气装置用于集电极部件

[发明专利]半导体器件-CN200410047237.1无效
发明人：杉山亨;野津哲郎;森塚宏平 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2004-05-28 - 公布日： 2005-02-02 - 主分类号： H01L29/737 文献下载
摘要：本发明提供一种适用于高频放大器的半导体器件，具有：由n型GaAs层构成的集电极接触层、由形成在上述集电极接触层上的n型GaAs层构成的第1集电极层、由形成在上述第1集电极层上的p型GaAs层构成的第2集电极层、由形成在上述第2集电极层上的n型InGaP层构成的第3集电极层、由形成在上述第3集电极层上，杂质浓度比上述第3集电极层高的n型InGaP层构成的第4集电极层、由形成在上述第4集电极层上的n型GaAs层构成的第5集电极层、由形成在上述第5集电极层上的p型GaAs层构成的基极层以及由形成在上述基极层上的n型InGaP层构成的发射极层。
半导体器件

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