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[发明专利]一种高灵敏度卫星导航信号捕获方法-CN202310916073.4在审
发明人：李荞杉;巴晓辉;岳富占;陈鹏;李申阳;董启甲;刘坤;邹国际 -专利权人： 中国科学院微电子研究所;北京交通大学;北京卫星信息工程研究所
申请日： 2023-07-25 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G01S19/24 文献下载
摘要：本发明提供了一种高灵敏度卫星导航信号捕获方法，用于卫星导航信号捕获，基于FFT系数补偿和分组码多普勒补偿搭建改进型捕获算法；利用基于所述捕获算法构成的捕获引擎对卫星导航信号进行捕获，得到捕获结果。本发明通过系数补偿的FFT运算和码多普勒补偿算法部分有效减小在长时间相干捕获时间中多普勒频偏的影响，计算FFT谱线时仅需计算指定位置的谱线，有效缩短计算时间，提高捕获效率，实现弱信号的高灵敏度捕获。
一种灵敏度卫星导航信号捕获方法

[发明专利]一种多孔碳纳米管复合膜及其制备方法-CN202311000994.2在审
发明人：付融;陈钏;李君;王启东 -专利权人： 中国科学院微电子研究所;北方集成电路技术创新中心（北京）有限公司
申请日： 2023-08-09 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： B01D69/12 文献下载
摘要：本申请提供一种多孔碳纳米管复合膜及其制备方法，将多孔碳纳米管分散在表面活性剂溶液中，形成多孔碳纳米管悬浮液；使用网状结构的金属材料对多孔碳纳米管悬浮液进行过滤，得到多孔碳纳米管膜，在多孔碳纳米管膜中的多孔碳纳米管表面形成二氧化硅膜，得到第一多孔碳纳米管复合膜，对第一多孔碳纳米管复合膜进行疏水硅烷偶联剂修饰，得到第二多孔碳纳米管复合膜。由于无法直接在多孔碳纳米管表面生长疏水硅烷偶联剂，二氧化硅膜能够便于疏水硅烷偶联剂的生长，就可以在多孔碳纳米管表面生长疏水硅烷偶联剂，疏水硅烷偶联剂能够使复合膜呈现出超疏性的同时，还可以消除疏水修饰对膜的透气的影响，保证复合膜的高透气性。
一种多孔纳米复合及其制备方法

[发明专利]动态气体隔离装置及光刻设备-CN202310822085.0在审
发明人：高梓翔;吴晓斌;王魁波;罗艳;沙鹏飞;韩晓泉;谢婉露;李慧;张良乐 -专利权人： 中国科学院微电子研究所
申请日： 2023-07-05 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种动态气体隔离装置及光刻设备，涉及光刻技术领域。动态气体隔离装置用于连接于光刻设备的第一工作腔室和第二工作腔室之间，其包括主管道、第一进气组件、第二进气组件以及温度控制组件。主管道两端分别连接第一工作腔室和第二工作腔室；第一进气组件和第二进气组件均连接于主管道；由进入到主管道内的第一清洁气体和第二清洁气体通过气体分子间的碰撞来抑制污染物在第一工作腔室和第二工作腔室间的流通；同时，通过温度控制组件对第二进气组件的进气温度进行控制，使得第一清洁气体与第二清洁气体进行混合冷却后再进入到第二腔室内，避免气体温度过高而导致衬底升温，进而防止产生套刻误差，保证了芯片的制造质量和可靠性。
动态气体隔离装置光刻设备

[发明专利]气压传感器封装结构、检测系统及自测试方法-CN202210391230.X在审
发明人：谢诚;李佳;王玮冰 -专利权人： 中国科学院微电子研究所
申请日： 2022-04-14 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G01L19/14 文献下载
摘要：本申请技术方案公开了一种气压传感器封装结构、检测系统及自测试方法，本申请技术方案无需施加外界物理激励的情况下执行子诊断功能，通过所述电热执行器实现工作模式的切换，能够在第二工作模式下对传感器进行维护测试，以确定所述扩散硅压力传感器是否失效，可以实现扩散硅压力传感器及其所属设备不停机自测试。
气压传感器封装结构检测系统测试方法

[发明专利]一维标准器长度测量误差标定装置及长度测量方法-CN202210396042.6在审
发明人：王国名;朱志忠;崔成君;董登峰;王博;周维虎;石俊凯;程智;梅东滨 -专利权人： 中国科学院微电子研究所
申请日： 2022-04-15 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G01B11/02 文献下载
摘要：本发明公开了一维标准器长度测量误差标定装置和长度测量方法，一维标准器长度测量误差标定装置包括激光测距光路和PSD探测光路；激光测距光路包括沿着光路方向依次设置的第一激光管、第一APD探测器、合束器、准直器、第一分光棱镜、分色镜以及设置于分色镜的反射端的第二APD探测器；PSD探测光路包括沿着光路方向依次设置的第二激光管，合束器、准直器、第一分光棱镜、分色镜和以及设置于分色镜的透射端的PSD；激光测距光路用于测量复合靶镜在第一指定方向的位移量；PSD探测光路用于测量复合靶镜在第二指定方向的位移量和/或者复合靶镜的偏转角度。本发明可以消除精密测量过程中激光器受热量影响带来的位置漂移与角度漂移。
标准长度测量误差标定装置测量方法

[发明专利]一种环栅晶体管-CN202311161002.4在审
发明人：李永亮;雒怀志 -专利权人： 中国科学院微电子研究所
申请日： 2023-09-08 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种环栅晶体管，涉及半导体技术领域，用于增强栅堆叠结构对每层纳米结构沿长度方向两侧边缘部分的控制能力，利于提升环栅晶体管的驱动性能。所述环栅晶体管包括：半导体基底、源区、漏区、至少一层纳米结构、栅堆叠结构和内侧墙。上述源区、漏区和至少一层纳米结构形成在半导体基底上。至少一层纳米结构位于源区和漏区之间。栅堆叠结构环绕在每层纳米结构的外周。内侧墙位于栅堆叠结构与源区之间、以及栅堆叠结构与漏区之间。内侧墙具有靠近栅堆叠结构的内侧壁，内侧壁沿栅堆叠结构宽度方向的中部区域的表面相对于边缘区域的表面向内凹入或向外凸出。
一种晶体管

[发明专利]一种金属网栅的网格图形设计方法及相关设备-CN202210395523.5在审
发明人：胡震恒;李超波;解婧;孙大鹏 -专利权人： 中国科学院微电子研究所
申请日： 2022-04-14 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G06F30/18 文献下载
摘要：本申请公开一种金属网栅的设计方法及相关设备，涉及电磁屏蔽技术领域，能够改善透过可见光的不均匀高级次衍射分布的问题，弱化甚至消除透过可见光的图形化成像，提高透光成像质量，改善透光效果。金属网栅的网格图形设计方法，包括：以目标金属网栅表面的几何中心点为原点，构建坐标系，以得到周期性排列的多个预设网格对应的多个预设中心坐标，其中，所述预设中心坐标为所述预设网格的几何中心点的坐标；对所述预设中心坐标进行随机化处理，得到目标网格中心坐标；将相邻所述目标网格中心坐标之间连线的中垂线作为目标网格的边线，以得到目标网格图形，其中，所述边线相交形成的封闭图形为所述目标网格，多个所述目标网格形成所述目标网格图形。
一种金属网网格图形设计方法相关设备

[发明专利]一种掩模版相位型缺陷识别方法、装置、设备及介质-CN202210356724.4在审
发明人：马赫;吴晓斌;韩晓泉;季艺雯;谭芳蕊;王魁波;沙鹏飞;李慧;罗艳;谢婉露;马翔宇;孙家政;户权 -专利权人： 中国科学院微电子研究所
申请日： 2022-04-06 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G06T7/00 文献下载
摘要：本公开涉及一种掩模版相位型缺陷识别方法、装置、设备及介质，所述方法包括：采集掩模版相位型缺陷的光场反射幅值分布，将所述光场反射幅值分布转换为掩模缺陷的空间像样本数据；将所述空间像样本数据按照预设比例分为空间像样本数据训练集、空间像样本数据测试集；对所述空间像样本数据训练集进行缺陷类型标定；对所述缺陷类型标定的结果和所述空间像样本数据训练集的对应关系进行训练，以搭建缺陷识别模型；将所述空间像样本数据测试集输入所述缺陷识别模型得到缺陷识别结果。
一种模版相位缺陷识别方法装置设备介质

[发明专利]一种集成电路版图设计优化方法和系统-CN201910026551.8有效
发明人：吴玉平;陈岚;张学连 -专利权人： 中国科学院微电子研究所
申请日： 2019-01-11 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G06F30/367 文献下载
摘要：本申请提供一种集成电路版图设计优化方法和系统中，其中，所述优化方法包括：获取版图数据和仿真激励，从而判断是否存在待调节性能的晶体管，若有，则调节与所述待调节性能的晶体管的栅极相邻的栅极端对端距离；和/或，调节所述待调节性能的晶体管的栅极上覆盖的绝缘膜类型，从而在保证集成电路版图中晶体管性能的基础上，降低晶体管的功耗，得到调节后的集成电路版图，进而得到优化后的集成电路版图。
一种集成电路版图设计优化方法系统

[发明专利]一种SERS基底-CN201910357477.8有效
发明人：刘丽花;李超波;远雁;解婧;王欢 -专利权人： 中国科学院微电子研究所
申请日： 2019-04-29 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G01N21/65 文献下载
摘要：本发明实施例提供的一种SERS基底，所述SERS基底包括：衬底、贵金属纳米颗粒以及保护层；所述贵金属纳米颗粒附着于所述衬底上，所述保护层覆盖在所述衬底表面，所述贵金属纳米颗粒位于所述衬底与所述保护层之间。本发明解决了目前的SERS基底可靠性较低，性能衰减快，难以重复使用的问题。
一种 sers 基底

[发明专利]一种光纤孔倒角的制造方法及其制造设备-CN202211169716.5有效
发明人：李朋;侯煜;张昆鹏;石海燕;李曼;岳嵩;王然;张喆;文志东;薛美;张紫辰 -专利权人： 中国科学院微电子研究所
申请日： 2022-09-23 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G02B6/36 文献下载
摘要：本发明提供了一种光纤孔倒角的制造方法及其制造设备，该制造方法通过先采用激光加工+湿法刻蚀工艺在玻璃基板内形状有至少一个倒角直通孔；之后采用激光热加工工艺，加热每个倒角直通孔与对应光纤孔连接处的玻璃基材，使其坍塌后形成截面为弧形的倒角曲面；再采用激光热加工工艺，加热每个倒角直通孔与对应光纤孔连接处的玻璃基材，使其坍塌后形成截面为弧形的倒角曲面；最后对倒角直通孔、倒角曲面及倒角外扩孔的表面进行抛光处理。能够实现微小端口倒角的加工。而且随着激光光束焦点大小的变化，能够进一步缩小加工尺寸，并且无机械应力式加工工艺，能够减小刀具加工玻璃基材时容易带来的脆性样品崩裂概率，从而增加成品率及良率。
一种光纤倒角制造方法及其设备

[发明专利]用于激光跟踪仪的跟踪恢复偏转角的标定装置及方法-CN202310850327.7在审
发明人：张佳;王博;董登峰;郝灿;崔成君;程智;王国名;邱启帆;纪荣祎;高豆豆;赵天元;王正;王颖 -专利权人： 中国科学院微电子研究所
申请日： 2023-07-12 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： G01B11/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于激光跟踪仪的跟踪恢复偏转角的标定装置，包括：基座，被构造成能够在水平面上移动；换向部，可拆卸地安装在基座上；以及标定部，安装在换向部上并具有多个在标定方向上依次布置的标定位置，标定部被构造成通过改变换向部与基座之间的安装位置关系而调整标定部与基座之间的相对位置，使得标定部的标定方向能够垂直于基座的直立方向或者平行于基座的直立方向，以分别标定激光跟踪仪的方位偏转角与像素偏差值之间的关系以及俯仰偏转角与像素偏差值之间的关系。
用于激光跟踪恢复偏转标定装置方法

[发明专利]一种半导体器件的制造方法-CN202310878725.X在审
发明人：李永亮;赵飞;罗军;王文武 -专利权人： 中国科学院微电子研究所
申请日： 2023-07-17 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件的制造方法，涉及半导体技术领域，以降低CFET器件的集成难度，提高CFET器件的良率。所述半导体器件的制造方法包括：在半导体基底上形成依次层叠设置的至少一层叠层、半导体隔离层和半导体层。在半导体层上依次形成材料不同的第一掩膜图案和第二掩膜图案。在第一掩膜图案和第二掩膜图案的掩膜作用下，至少对层叠设置的至少一层叠层、半导体隔离层和半导体层进行图案化处理。去除第一掩膜图案；并在第二掩膜图案的掩膜作用下，至少对半导体层进行图案化处理。基于第一鳍状结构制造具有[100]晶向的沟道的N型环栅晶体管；并基于第二鳍状结构制造具有[110]晶向的沟道的P型环栅晶体管。
一种半导体器件制造方法

[发明专利]精密转台误差测量装置-CN202210381695.7在审
发明人：王国名;王博;程智;石俊凯;崔成君;董登峰;朱志忠;周维虎;梅东滨 -专利权人： 中国科学院微电子研究所
申请日： 2022-04-12 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： G01C25/00 文献下载
摘要：本发明提供一种精密转台误差测量装置，包括：两个复合靶标，用于分别设置在待测转台的两个旋转轴上；每个所述复合靶标能对第一波长激光进行镜面反射和对第二波长激光进行角锥反射器反射；两个测量组件，用于分别对应两个复合靶标设置；所述测量组件能向对应的复合靶标发射具有第一波长激光和第二波长激光的测量光束，接收对应复合靶标反射的第一波长激光并标定对应旋转轴的角度，接收对应复合靶标反射的第二波长激光并标定对应旋转轴的位移。本发明提供的精密转台误差测量装置，采用双站基准，由两个测量组件搭建垂直度和相交度测量基准，能够实现待测二维转台垂直度和相交度误差的一站式高精度检测，解决垂直度和相交度分离测量时过程误差不可控难题。
精密转台误差测量装置

[发明专利]一种量子比特电极及其设计方法、量子比特器件-CN202310968405.3在审
发明人：王桂磊;张毅文;孔真真 -专利权人：合肥国家实验室;北京超弦存储器研究院;中国科学院微电子研究所
申请日： 2023-08-02 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L29/41 文献下载
摘要：本发明提供了一种量子比特电极及其设计方法、量子比特器件，该量子比特电极的设计方法通过外延技术生长硅基量子比特外延结构，并对表面进行综合形貌表征，设计一种随不同材料优化的量子比特电极结构与形状，并通过量子比特电极形状与分布进一步改善量子比特器件的总体应力情况，改善量子比特器件温变应变涨落，最终得到一种全新的量子比特电极结构，并利用优化的量子比特电极结构制备硅基量子比特器件，从而为大规模比特扩展提供更为稳定的量子比特器件单元阵列，即从微观上改善量子比特器件的应力涨落，这将对量子比特的操纵有着巨大的意义。
一种量子比特电极及其设计方法器件

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