“朱阳军”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果248个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种IGBT器件及其制作方法-CN201210418809.7在审
发明人：谈景飞;朱阳军;褚为利;张文亮;王波 -专利权人：中国科学院微电子研究所;江苏中科君芯科技有限公司;江苏物联网研究发展中心
申请日： 2012-10-26 - 公布日： 2014-05-14 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种IGBT器件及其制作方法，所述IGBT器件包括：基底，所述基底包括漂移区；位于所述基底正面的栅极结构和源极结构，所述源极结构包括位于所述漂移区表面内的阱区，以及位于所述阱区表面内的源区；位于所述漂移区表面内的载流子存储层，该载流子存储层位于所述阱区下方，且与所述阱区底部存在间隙，该载流子存储层的掺杂类型与所述漂移区的掺杂类型相同，且载流子存储层的掺杂浓度大于漂移区的掺杂浓度；位于所述基底背面的集电区，所述集电区与所述漂移区掺杂类型相反。所述IGBT器件具有较低的导通压降，进而其导通损耗少。
一种 igbt 器件及其制作方法

[实用新型]一种IGBT缓冲吸收电路-CN201320761013.1有效
发明人：黎齐;朱阳军;胡少伟;卢烁今 -专利权人：上海联星电子有限公司;中国科学院微电子研究所;江苏中科君芯科技有限公司
申请日： 2013-11-26 - 公布日： 2014-05-07 - 主分类号： H02M7/5387 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种IGBT缓冲吸收电路，属于晶体管技术领域。该缓冲吸收电路包括IGBT开关、电阻、电容、二极管和压敏电阻；其中，电容与二极管串联，与压敏电阻并联，在与电容串联，形成部件后，最后与IGBT开关并联。本实用新型通过压敏电阻，其阻值在纳秒级速度迅速减小，在很短时间内电容充电吸收尖峰电压，能很好的保护IGBT管。一个周期内缓冲电阻消耗功率为P=V²/4R，比一般RCD型吸收电路损耗更小。
一种 igbt 缓冲吸收电路

[发明专利]用于半导体功率器件的沟槽式终端及其制备方法-CN201210370720.8在审
发明人：褚为利;朱阳军;田晓丽;吴振兴 -专利权人：中国科学院微电子研究所;江苏中科君芯科技有限公司;江苏物联网研究发展中心
申请日： 2012-09-28 - 公布日： 2014-04-09 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了用于半导体功率器件的沟槽式终端，该终端包含至少一个沟槽，所述沟槽位于终端器件衬底内，终端表面由里及外覆盖有绝缘层和多晶硅，在所述终端区域的沟槽的端口和底部的周围具有P型区域，该P型区域与衬底的掺杂类型相反。本发明提供的用于半导体功率器件的沟槽式终端，通过在沟槽周围电场强烈集中的位置形成起保护作用的P型区域，该P型区域与衬底的掺杂类型相反，增强了该终端的可靠性。该沟槽式终端结构应用在元包结构为沟槽的功率器件中，能够减少器件制作的工艺步骤，从而降低制作成本。
用于半导体功率器件沟槽终端及其制备方法

[发明专利]采用质子辐照制备终端结构的方法-CN201210370852.0有效
发明人：褚为利;朱阳军;吴振兴;赵佳 -专利权人：中国科学院微电子研究所;江苏中科君芯科技有限公司;江苏物联网研究发展中心
申请日： 2012-09-28 - 公布日： 2014-04-09 - 主分类号： H01L21/268 文献下载
摘要：本发明公开了一种采用质子辐照制备终端结构的方法包括：在衬底上制备芯片的主结和P型场限环；在所述形成主结和P型场限环的芯片上制备元包结构；在所述形成元包结构的芯片上淀积金属电极后，通过刻蚀形成阴极；在所述形成阴极的芯片上通过质子注入后退火形成N型阱，完成芯片的正面工艺；在所述完成正面工艺的芯片的背面进行P型离子注入形成P集电极后，淀积金属电极形成阳极，获得成品。本发明提供的采用质子辐照制备终端结构的方法，在保证耐压的同时降低芯片终端面积，且采用质子辐照形成施主杂质的方法，形成N型阱，注入损伤相对普通高能粒子注入要小，还能提高器件的可靠性。
采用质子辐照制备终端结构方法

[实用新型]一种IGBT的版图-CN201320121908.9有效
发明人：田晓丽;朱阳军;陆江;赵佳;左小珍 -专利权人：中国科学院微电子研究所;上海联星电子有限公司;江苏中科君芯科技有限公司
申请日： 2013-03-18 - 公布日： 2014-04-02 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种IGBT的版图，属于大功率半导体器件技术领域。该版图包括有源区、Gatebus、终端区、栅PAD、源PAD和Gatefinger，有源区由并联的元胞构成，在有源区的外围有一周Gatebus，在Gatebus的外围一周有终端区,有源区内部有栅PAD，栅PAD位于IGBT的芯片中央、多个源PAD由Gatefinger间隔分布。本实用新型不仅保证了芯片各处传导的栅压基本均等，使电流分布均匀，器件参数一致性良好。同时，还大大减弱了电流集中产生的热集中现象，提高了器件可靠性，适用于大电流芯片及更便于封装。
一种 igbt 版图

[发明专利]一种功率器件缓冲层或截流子存储层的制备方法-CN201210345386.0在审
发明人：张文亮;朱阳军;陆江;谈景飞;褚为利;王波 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2012-09-17 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： H01L21/261 文献下载
摘要：本发明公开了一种功率器件缓冲层或截流子存储层的制备方法，属于半导体设备技术领域，通过中子嬗变掺杂将中子通过掩膜注入到衬底的单侧或者双侧或者通过光致嬗变掺杂将光子通过掩膜注入到衬底的单侧或者双侧，通过精确控制中子或光子的辐照剂量，使衬底形成特定浓度的缓冲层或载流子存储层。由于中子和高能光子的穿透能力非常强，几乎是直线穿过衬底。在中子经过的路径上由于嬗变引入了N型或P型的杂质，通过控制辐照的剂量，可以形成具有浓度的N+或P型掺杂层。同时，由于中子束足够细，可以形成任何形状的掺杂分布图。
一种功率器件缓冲截流存储制备方法

[发明专利]一种栅极电压均匀分布的大电流IGBT版图-CN201210345372.9在审
发明人：左小珍;朱阳军;赵佳;卢烁今;田晓丽;陆江;吴振兴 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2012-09-17 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种栅极电压均匀分布的大电流IGBT版图，属于半导体技术领域，该大电流IGBT版图包括元胞区、终端区、Gatebus、源极压焊点、栅极压焊点，终端区位于元胞区的周围，源极压焊点位于元胞区上，栅极压焊点位于源极压焊点中心，源极压焊点彼此之间和源极压焊点与栅极压焊点之间均有Gatebus；其中，元胞区与终端区衔接部分有一个以上不连续的Gatebus。本发明解决了原有版图设计方案中栅极开启电压分布不均的问题，保证了整个元胞区内元胞的充分开启，电流分布均匀；同时也加快了整体元胞区元胞的开启速度，提升了器件的开启速度。
一种栅极电压均匀分布电流 igbt 版图

[发明专利]一种高压超结IGBT的制作方法-CN201210345024.1有效
发明人：王波;朱阳军;卢烁今;胡爱斌 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2012-09-17 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明公开了一种高压超结IGBT的制作方法，包括如下步骤：分别在N型，P型衬底上刻蚀出沟槽；分别外延P型，N型单晶硅填充沟槽，并在填充完毕后，做正面的平坦化和减薄；将硅片正面抛光，然后用酸液处理；将处理过的两硅片精确对准后进行键合；将键合后的硅片背面减薄去除N层，露出N，P间隔排布的形貌；重复第三步，第四步，进行第二次键合；制作器件的正面，采用淀积P型应变SiGe层制作背面集电极层；采用金属Al/Ti/Ni/Ag制作背面金属层。本发明提供的一种高压超结IGBT的制作方法，具有较大高宽比，适合高压器件，也可以用于功率二极管，VDMOS以及其他功率器件。
一种高压 igbt 制作方法

[发明专利]一种RB-IGBT的制备方法-CN201310618201.3在审
发明人：滕渊;朱阳军;卢烁今;田晓丽 -专利权人：上海联星电子有限公司;中国科学院微电子研究所;江苏中科君芯科技有限公司
申请日： 2013-11-27 - 公布日： 2014-03-12 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：发明公开了一种RB-IGBT的制备方法，首先在衬底上生长一层N型外延层，并在需要隔离的区域进行P+注入，随后退火同时将隔离区推深。这样就形成了一定厚度的隔离区。然后根据需要的隔离区厚度，重复以上步骤，形成要求厚度的隔离区。本发明提供的RB-IGBT的制备方法，分步进行外延和掺杂的方法，可以得到较深的隔离区，实现RB-IGBT的制备。
一种 rb igbt 制备方法

[发明专利]一种低压RB-IGBT的制备方法-CN201310616662.7无效
发明人：滕渊;朱阳军;田晓丽;卢烁今 -专利权人：上海联星电子有限公司;中国科学院微电子研究所;江苏中科君芯科技有限公司
申请日： 2013-11-27 - 公布日： 2014-03-05 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明公开了一种低压RB-IGBT器件的制造方法，正反两面结构通过采用双面截断型终端结构，实现RB-IGBT的双向阻断能力，与正面采用场限环等终端的RB-IGBT相比，能有效的缩小终端区占有的芯片面积，从而节省成本。
一种低压 rb igbt 制备方法

[发明专利]丝杆升降式机械停车库-CN201310432484.2无效
发明人：赵夏明;方泽;朱阳军 -专利权人：浙江机电职业技术学院
申请日： 2013-09-17 - 公布日： 2013-12-25 - 主分类号： E04H6/06 文献下载
摘要：本发明公开了丝杆升降式机械停车库，包括底座、动力支架、驱动电机、套筒联轴器、丝杆、螺母、铰链系统、主升降杆、停车板、支撑杆、固定轴承、丝杆固定支座。所述的底座、主升降杆和支撑杆都为左右两个，停车板、主升降杆、支撑杆、底座组成了升降机构，升降机构在丝杆的推动下，同时作同步作垂直和水平移动。本发明的丝杆升降式机械停车库，能同时存放两辆轿车，存取上层车辆时，地面停车不受限制。本发明结构简单，采用机械式升降，能有效缓减停车难问题。
升降机械车库

[实用新型]六爪锁紧套筒扳手-CN201320360853.7有效
发明人：赵夏明;庞炳炎;方泽;朱阳军 -专利权人：浙江机电职业技术学院
申请日： 2013-06-19 - 公布日： 2013-12-04 - 主分类号： B25B13/44 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种六爪锁紧套筒扳手，包括套筒管体和弧形抓手，所述的套筒管体一端设置弧形抓手，所述的弧形抓手为六个间距相等的、与螺母或螺栓相配合的弧形卡爪。本实用新型结构合理，使用时可以先抓取螺母或螺栓，然后完成旋紧作业，结构简洁，操作简单，使用快捷。
六爪锁紧套筒扳手

[实用新型]用于IGBT两单元功率器件模块动态特性的测试装置-CN201320024496.7有效
发明人：成星;朱阳军;苏江;佘超群;高振鹏 -专利权人：江苏物联网研究发展中心;中国科学院微电子研究所;江苏中科君芯科技有限公司
申请日： 2013-01-17 - 公布日： 2013-11-06 - 主分类号： G01R31/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于IGBT两单元功率器件模块动态特性的测试装置，其包含：底座，其由绝缘材料制成；在所述底座上设有三个底座引脚，即栅极底座引脚、漏极底座引脚以及源极底座引脚，在测试时，所述三个底座引脚分别与功率器件模块上相应的模块引脚接触，所述模块引脚包含了栅极模块引脚、漏极模块引脚以及源极模块引脚。本实用新型提供的用于IGBT两单元功率器件模块动态特性的测试装置，功率器件模块依靠自身的重力、下面弹簧的弹力以及上面盖板的压力使模块上的模块引脚与底版上的引脚接触良好，保证了连接的可靠性，较少使用引线连接，大幅度减小了寄生效应。
用于 igbt 单元功率器件模块动态特性测试装置

[实用新型]一种中高压IGBT终端-CN201320121922.9有效
发明人：田晓丽;朱阳军;卢烁今;吴振兴 -专利权人：中国科学院微电子研究所;上海联星电子有限公司;江苏中科君芯科技有限公司
申请日： 2013-03-18 - 公布日： 2013-08-14 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种中高压IGBT终端，属于大功率半导体器件技术领域。该终端包括主结、场限环、截止保护环、场板和沟槽；主结、场限环、截止保护环均在N-漂移区内，从主结向截止保护环的方向，依次有场限环和沟槽，在主结、场限环和/或截止保护环上有多个不连续的场板，沟槽截断沟槽所在处的IGBT终端的耗尽层。本实用新型结合了传统场限环终端和截断型终端的优点，一方面使耗尽层在远离主结方向延伸，提高了器件的耐压；另一方面使耗尽层向表面靠近，减小了耗尽层纵向的深度，这就为截断型终端提供了方便，它减小了刻蚀沟槽的深度，在工艺上大大降低了难度。
一种高压 igbt 终端

[实用新型]绝缘栅型双极晶体管-CN201320123024.7有效
发明人：张文亮;朱阳军;田晓丽;胡爱斌 -专利权人：中国科学院微电子研究所;上海联星电子有限公司;江苏中科君芯科技有限公司
申请日： 2013-03-18 - 公布日： 2013-08-14 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种绝缘栅型双极晶体管，包括：第一导电类型的漂移区、第一导电类型高浓度掺杂微穿通层、第二导电类型的集电极、第一导电类型的发射极、第二导电类型的基区、第二导电类型低掺杂浓度的浮空区、沟道栅极及假栅极；所述假栅极呈柱状结构或条状结构，且条状结构的宽度小于栅极沟槽的宽度。本实用新型提供的绝缘栅型双极晶体管，通过减小假栅沟槽宽度或改变其形状，来减小假栅沟槽区所占芯片面积，进而减小沟槽区域所占面积与芯片总面积的比例，不仅能减小硅片的翘曲度，还可以有效减小器件的寄生电容，减小器件开关时间及开关损耗。
绝缘双极晶体管