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[实用新型]一种高压半导体器件及其终端-CN201220505060.5有效
发明人：褚为利;朱阳军;田晓丽;胡爱斌 -专利权人：中国科学院微电子研究所;江苏中科君芯科技有限公司;江苏物联网研究发展中心
申请日： 2012-09-28 - 公布日： 2013-03-27 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种高压半导体器件及其终端，该高压半导体器件终端包括：基底，所述基底包括本体层；场限环，位于所述基底表面内；所述场限环为三层掺杂区结构，其中，第一掺杂区位于本体层表面内，与第一掺杂区掺杂类型相反的第二掺杂区包围第一掺杂区，与所属第一掺杂区掺杂类型相同的第三掺杂区包围第二掺杂区，且第一掺杂区的掺杂浓度大于第二掺杂区的掺杂浓度，第三掺杂区的掺杂浓度介于第二掺杂区和本体层之间。本实用新型实施例的三层掺杂区构成的场限环，提高了高压半导体器件的耐压能力，同时降低了高压半导体器件的终端面积，节省了器件的制作成本。
一种高压半导体器件及其终端

[发明专利]IGBT集电极结构-CN201210494615.5有效
发明人：陈宏;朱阳军;吴凯;徐承福;卢烁今 -专利权人：江苏物联网研究发展中心
申请日： 2012-11-28 - 公布日： 2013-02-13 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：本发明提供一种IGBT集电极结构，包括N-型基区，还包括在N-型基区的背面形成的间隔分布N+型区域层，以及在N-型基区的背面，上述间隔分布N+型区域层未覆盖区域形成的间隔分布P+型集电极层。所述间隔分布N+型区域层是由五价元素在N-型基区的背面间隔注入后，并且跟随着经历了N-型基区的正面的所有热过程后形成。或者所述间隔分布N+型区域层是通过在N-型基区的背面外延生长一层N+型层，然后通过间隔刻蚀后，并且跟随着经历了N-型基区的正面的所有热过程后得到。本发明用于形成IGBT的集电极结构。
igbt 集电极结构

[发明专利]逆导IGBT器件及制造方法-CN201210476017.5有效
发明人：徐承福;朱阳军 -专利权人：江苏物联网研究发展中心
申请日： 2012-11-21 - 公布日： 2013-02-13 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明涉及一种逆导IGBT器件结构，包括第一导电类型漂移区，第一导电类型漂移区内设第二导电类型基区，第二导电类型基区上部设第一导电类型发射区；第二导电类型基区与第一导电类型漂移区上方设栅氧化层，在栅氧化层上设多晶栅，在多晶栅上设栅电极，在第二导电类型基区上设发射极；在、第一导电类型漂移区的背面设第二导电类型集电区和第一导电类型集电掺杂区，第一导电类型集电掺杂区位于第二导电类型集电区的一侧；在所述第一导电类型漂移区的背面淀积有第一集电金属区，第一集电金属区的一面覆盖第二导电类型集电区，第一集电金属区的另一面上淀积有第二集电金属区，第二集电金属区覆盖第二导电类型集电区和第一导电类型集电掺杂区。本发明实现了在较低温度获得较高的杂质激活率。
逆导 igbt 器件制造方法

[发明专利]钝化半导体接触表面的功率半导体器件结构及制备方法-CN201210449247.2有效
发明人：徐承福;朱阳军;胡爱斌;谈景飞;卢烁今;陈宏;吴凯;邱颖斌 -专利权人：江苏物联网研究发展中心
申请日： 2012-11-09 - 公布日： 2013-02-13 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明涉及一种钝化半导体接触表面的功率半导体器件结构，包括第一导电类型漂移区，第一导电类型漂移区内设有第二导电类型基区，第二导电类型基区内设有第一导电类型发射区，第一导电类型漂移区正面设栅氧化层，栅氧化层上设多晶栅，在第二导电类型基区上设有发射极，发射极与第二导电类型基区和该第二导电类型基区内的第一导电类型发射区相接触，多晶栅上设有栅电极；在所述第一导电类型漂移区的背面形成第二导电类型集电区，在第一导电类型漂移区背面淀积第一集电金属区，第一集电金属区上淀积第二集电金属区；特征是：所述第一集电金属区是由Se淀积形成的金属薄膜。本发明实现半导体表面钝化的同时，避免了自身电阻过大导致的电流限制作用。
钝化半导体接触表面功率半导体器件结构制备方法

[发明专利]逆导IGBT器件结构及制造方法-CN201210372401.0有效
发明人：徐承福;朱阳军;卢烁今;陈宏;吴凯;邱颖斌 -专利权人：江苏物联网研究发展中心
申请日： 2012-09-28 - 公布日： 2013-02-06 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明涉及一种逆导IGBT器件结构，包括第一导电类型漂移区，第一导电类型漂移区内设第二导电类型基区，第二导电类型基区上部设第一导电类型发射区；第二导电类型基区通过栅氧化层及位于栅氧化层下方的第一导电类型漂移区隔离；栅氧化层与两侧第二导电类型基区接触，并与第二导电类型基区内相邻的第一导电类型发射区接触；在栅氧化层上设多晶栅，在多晶栅上设栅电极；在第二导电类型基区上设发射极，发射极与第二导电类型基区和第二导电类型基区内的第一导电类型发射区接触；在第一导电类型漂移区的底部设第二导电类型集电区，在第一导电类型漂移区的背面设第二导电类型集电金属区。本发明避免了背面光刻工艺，降低了流片过程碎片和划伤的几率。
逆导 igbt 器件结构制造方法

[发明专利]采用金属硅化物的功率半导体器件结构及制备方法-CN201210421076.2有效
发明人：徐承福;朱阳军;卢烁今;吴凯;陈宏 -专利权人：江苏物联网研究发展中心
申请日： 2012-10-29 - 公布日： 2013-01-30 - 主分类号： H01L29/45 文献下载
摘要：本发明涉及一种采用金属硅化物的功率半导体器件结构，包括第一导电类型漂移区，第一导电类型漂移区内设有第二导电类型基区，第二导电类型基区内设有第一导电类型发射区；所述第一导电类型漂移区正面设有栅氧化层，栅氧化层上设有多晶栅；在所述第二导电类型基区上设有发射极，发射极与第二导电类型基区和该第二导电类型基区内的第一导电类型发射区相接触，多晶栅上设有栅电极；其特征是：在所述第一导电类型漂移区的背面形成第二导电类型集电区，在第一导电类型漂移区的背面淀积第一集电金属区，第一集电金属区上淀积第二集电金属区。本发明所述半导体器件的背面采用Pb、Pt 或Ni金属淀积，形成金属硅化物，电阻率较低，有利于形成欧姆接触。
采用金属硅功率半导体器件结构制备方法

[发明专利]绝缘栅双极晶体管及其制作方法-CN201110201384.X有效
发明人：孙宝刚;左小珍;朱阳军;卢烁今;吴振兴;赵佳 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2011-07-18 - 公布日： 2013-01-23 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种绝缘栅双极晶体管及其制作方法。所述绝缘栅双极晶体管制作方法包括：采用轻掺杂的硅衬底作为漂移区；在所述漂移区内形成基区和沟槽栅区，所述基区位于所述沟槽栅区的两侧，且所述沟槽栅区的深度大于所述基区的深度；在所述基区内形成发射极区。本发明所提供的绝缘栅双极晶体管制作方法，通过在漂移区内形成沟槽栅区，从而使得导电沟道垂直化，且由于沟槽栅区的深度大于所述基区的深度，因此不存在JFET区，使得电流更加均匀。这种具有沟槽栅区结构的绝缘栅双极晶体管不仅可减小芯片的面积，而且可减小产生闩锁效应发生的几率。
绝缘双极晶体管及其制作方法

[发明专利]IGBT器件及其制作方法-CN201110175526.X有效
发明人：孙宝刚;吴振兴;朱阳军;卢烁今;赵佳;田晓丽;左小珍 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2011-06-27 - 公布日： 2013-01-02 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种IGBT器件及其制作方法，该方法包括：提供基底，所述基底包括本体层、位于所述本体层表面内的阱区和源区以及位于所述本体层表面上的第一栅介质层和栅区；在所述阱区内形成掺杂区，所述掺杂区的横向宽度未深入到所述栅区下方的沟道区，并且所述掺杂区的深度小于所述阱区的深度，大于所述源区的深度，掺杂浓度大于所述阱区的掺杂浓度。本发明实施例在器件的阱区内形成的是高掺杂浓度的浅结，降低了源区与阱区接触面的接触电阻，避免了闩锁效应，且由于浅结并未扩散到沟道处，保证了该IGBT器件具有较低的阈值电压，改善了器件的性能。
igbt 器件及其制作方法

[发明专利]绝缘栅双极晶体管终端及其制作方法-CN201110175527.4有效
发明人： 朱阳军;田晓丽;卢烁今;吴振兴 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2011-06-27 - 公布日： 2013-01-02 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种绝缘栅双极晶体管终端及其制作方法。该所述终端保护结构包括：漂移区；位于漂移区内的终端保护结构；其中，所述终端保护结构包括：主结、截止环及位于所述主结与截止环之间的分压沟槽。本发明所提供的绝缘栅双极晶体管终端，在主结与截止环之间设置有分压沟槽，所述分压沟槽截断主结曲面的结弯曲，消除电场集中，提高击穿电压。同时由于分压沟槽以沟槽的形式存在于漂移区内，因此，这种结构相比场限环结构来说，可大大减小终端保护结构的面积，进而可减小芯片的总面积，降低芯片的制造成本。
绝缘双极晶体管终端及其制作方法

[发明专利]用于半导体功率器件的终端-CN201210371127.5有效
发明人：喻巧群;朱阳军;褚为利;田晓丽;吴振兴;陆江 -专利权人：中国科学院微电子研究所;江苏中科君芯科技有限公司;江苏物联网研究发展中心
申请日： 2012-09-28 - 公布日： 2013-01-02 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了用于半导体功率器件的终端，包含至少两层场板和至少一个场限环；所述每层场板包含至少两块场板，其中，位于主结正上方的各个场板互相连接，并且所述主结与位于该主结正上方的相应场板连接，余下的场板之间通过绝缘材料隔开，同时所述场板位于终端部分的器件衬底外的上方；所述场限环位于终端部分的器件衬底里，在所述场限环的外侧设置有沟道截止环；所述上下相邻各层场板的各块场板上下交错排列，同时所述场板在垂直方向上投影叠加形成的截面的面积与整个终端的横截面积相等。
用于半导体功率器件终端

[发明专利]IGBT器件及其制作方法-CN201110175569.8有效
发明人：吴振兴;朱阳军;卢烁今;孙宝刚 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2011-06-27 - 公布日： 2013-01-02 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种IGBT器件及其制作方法，该方法包括：提供基底，所述基底包括本体层、位于本体层表面内的阱区和源区以及位于本体层表面上的第一栅介质层和栅区；去除部分阱区和源区材料，保留栅区下方的源区材料和部分栅区之外的源区材料，以在本体层表面内形成一浅沟槽；在浅沟槽下方的阱区表面内形成掺杂区，掺杂区的横向宽度未深入到栅区下方的沟道区，且掺杂区的掺杂浓度大于阱区的掺杂浓度。本发明实施例在器件的阱区内形成高掺杂浓度的浅结，并且减小了掺杂区与源区的接触面积，从而降低了源区与阱区接触面的接触电阻，避免了闩锁效应，且由于浅结并未扩散到沟道处，保证了该IGBT器件具有较低的阈值电压，改善了器件的性能。
igbt 器件及其制作方法

[发明专利]微穿通型IGBT器件及其制作方法-CN201110175567.9有效
发明人： 朱阳军;田晓丽;孙宝刚;卢烁今 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2011-06-27 - 公布日： 2013-01-02 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种微穿通型IGBT器件，包括：衬底，所述衬底具有第一导电类型的集电区、第二导电类型的漂移区、第一导电类型的阱区以及第二导电类型的源区；栅极；位于集电区与漂移区之间的第二导电类型的微穿通区，所述微穿通区的掺杂浓度高于漂移区的掺杂浓度。通过在漂移区和集电区间形成了掺杂浓度比漂移区的浓度高的微穿通区，使得在关断期间，衬底的电场强度在微穿通区中基本降到零，因此衬底厚度可以明显减薄，使IGBT具有更低的导通电阻、饱和压降、以及更低的通态损耗。
微穿通型 igbt 器件及其制作方法

[发明专利]IGBT芯片及其制作方法-CN201110170508.2有效
发明人：陈宏;胡少伟;卢烁今;吴振兴;朱阳军 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2011-06-22 - 公布日： 2012-12-26 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种IGBT芯片，包括栅极焊盘和栅极总线，还包括：位于所述栅极焊盘与所述栅极总线之间的补偿电阻区。本发明在IGBT芯片的栅极焊盘与栅极总线之间增加了补偿电阻区，该补偿电阻区的电阻相当于IGBT芯片的栅极电阻，该补偿电阻的大小可根据IGBT芯片的需求进行调整，以避免IGBT模块电路中的自激振荡。由于该补偿电阻区位于栅极焊盘下方，不会占用IGBT芯片内部的面积、体积，并且该补偿电阻区是在IGBT芯片生产过程中集成在芯片内部的，在IGBT芯片生产时只需增加补偿电阻区的形成过程即可，因此该IGBT芯片的制作方法工艺简单易行，并未增加电路的设计成本。
igbt 芯片及其制作方法

[发明专利]绝缘栅双极晶体管及其制作方法-CN201110169311.7有效
发明人：卢烁今;朱阳军;孙宝刚;赵佳 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2011-06-22 - 公布日： 2012-12-26 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明公开了一种绝缘栅双极晶体管的制造方法，包括：提供第一导电类型的衬底，所述衬底第一表面上具有栅介质层和栅极；从第一表面在部分栅极下以及栅极侧面的衬底中形成第二导电类型的轻掺杂基区；在栅极之外的轻掺杂基区上形成第一沟槽，通过原位掺杂在所述第一沟槽中形成第二导电类型的重掺杂基区；在靠近栅极侧壁的重掺杂基区上形成第一导电类型的发射区；在栅极侧壁及栅极上形成栅介质层，以及覆盖发射区和重掺杂基区形成发射极。通过刻蚀加原位掺杂的方法，形成不同深度下掺杂浓度相同的重掺杂基区，消除闩锁现象。
绝缘双极晶体管及其制作方法

[发明专利]结终端延伸结构及其制造方法-CN201110166489.6有效
发明人：田晓丽;朱阳军;吴振兴;卢烁今 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2011-06-20 - 公布日： 2012-12-26 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明公开了一种结终端延伸结构，包括：第一导电类型的集电区；集电区上的第二导电类型的漂移区；漂移区上的第一导电类型的主结区以及主结区一侧的第一导电类型的延伸区；延伸区之外的第二导电类型的截止环；以及至少部分覆盖所述主结区之外区域的叠层结构，所述叠层结构包括氧化物层和场板，所述场板为位于至少部分延伸区以及延伸区与截止环之间的至少部分区域之上的连续结构，所述场板用于屏蔽界面电荷、改善表面电场分布。通过场板结构屏蔽延伸区及其外侧界面电荷的影响，改善表面电场，保证器件的击穿电压并提高器件的可靠性，可应用于高压(4500V及其以上)IGBT器件的保护终端。
终端延伸结构及其制造方法