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[发明专利]提高功率半导体器件动态测试效率的电路-CN202210268852.3在审
发明人：张文亮;李文江;雷小阳;朱阳军 -专利权人：山东阅芯电子科技有限公司
申请日： 2022-03-18 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明涉及一种提高功率半导体器件动态测试效率的电路。其包括测试电路本体，测试电路本体包括开关K1以及开关K2，还包括设置于开关K1所在支路的第一可控型半导体开关电路以及设置于开关K2所在支路的第二可控型半导体开关电路，开关K1闭合且第一可控型半导体开关电路内的可控型半导体开关处于导通状态时，开关K1以及第一可控型半导体开关电路所在的支路处于通路状态；开关K2闭合且第二可控型半导体开关电路内的可控型半导体开关处于导通状态时，开关K2以及第二可控型半导体开关电路所在的支路处于通路状态。本发明可提高动态测试的效率，减少机械开关的动作次数，延长测试机的使用寿命，降低测试成本。
提高功率半导体器件动态测试效率电路

[发明专利]动静态参数以及短路耐量可调的IGBT芯片-CN202210147549.8在审
发明人：吴凯;张广银;杨飞;任雨;朱阳军 -专利权人：南京芯长征科技有限公司
申请日： 2022-02-17 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： H01L27/118 文献下载
摘要：本发明涉及一种动静态参数以及短路耐量可调的IGBT芯片。其包括IGBT芯片本体，IGBT芯片本体包括半导体衬底、元胞区以及键合连接区，键合连接区包括发射极键合连接区以及栅极键合连接区；栅极键合连接区包括栅极键合主连接区以及至少一个栅极键合调节连接区，栅极键合主连接区、栅极键合调节连接区分别与元胞区内相应元胞的元胞栅极金属对应电连接；对一栅极键合调节连接区，以根据栅极键合调节连接区与栅极键合主连接区、发射极键合连接区间的连接状态，配置所述IGBT芯片的动静态参数。本发明能有效实现动静态参数的调节，以及短路耐量的调节，降低研发与管理成本，提高应用场景的适应性，安全可靠。
静态参数以及短路可调 igbt 芯片

[实用新型]可防止插接塌缩变形的IGBT封装模块控制端子-CN202123360954.8有效
发明人：吕岩;陈宝川;朱阳军;苏江 -专利权人：芯长征微电子制造（山东）有限公司
申请日： 2021-12-28 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种可防止插接塌缩变形的IGBT封装模块控制端子。其包括端子连接底板以及插接连接部；还包括过渡连接部，插接连接部通过所述过渡连接部与端子连接底板适配连接，插接连接部通过过渡连接部竖直分布于端子连接底板的正上方；所述过渡连接部包括相对端子连接底板以及插接连接部呈倾斜分布的斜面连板，所述斜面连板的一端通过第一弧形过渡区与插接连接部适配连接，斜面连接部的另一端通过第二弧形过渡区与端子连接底板的一端适配连接，第一弧形过渡区的弧形开口方向与第二弧形过渡区的开口方向相反。本实用新型结构紧凑，能有效防止控制端子在插接时的塌缩变形，提高控制端子在使用中的连接稳定性与可靠性。
可防止插接变形 igbt 封装模块控制端子

[实用新型]提高IGBT模块封装效率的封装夹具-CN202123437138.2有效
发明人：李艳;朱阳军;苏江 -专利权人：芯长征微电子制造（山东）有限公司
申请日： 2021-12-30 - 公布日： 2022-05-20 - 主分类号： H01L21/68 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种提高IGBT模块封装效率的封装夹具。其包括封装支撑定位底座以及依次置于封装支撑定位底座上的散热基板定位框板与芯片定位框板；在所述散热基板定位框板上设置与覆铜陶瓷体适配的覆铜陶瓷体定位槽，覆铜陶瓷体嵌置于所述覆铜陶瓷体定位槽内时，所述覆铜陶瓷体能与封装支撑定位底座上的一散热基板正对应并接触；在芯片定位框板上设置与芯片单元体适配的芯片定位孔，芯片单元体通过芯片定位孔置于芯片定位框板内后，能与所述芯片定位框板正下方相应的覆铜陶瓷体正对应，在将覆铜陶瓷体焊接在散热基板上时，能同时将芯片单元体焊接在覆铜陶瓷体上。本实用新型能有效提高封装的效率，降低封装成本，安全可靠。
提高 igbt 模块封装效率夹具

[发明专利]适用于IGBT器件的高温特性参数量产测试方法-CN202210128593.4在审
发明人：吴凯;张广银;杨飞;任雨;朱阳军 -专利权人：南京芯长征科技有限公司
申请日： 2022-02-11 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明涉及一种测试方法，尤其是一种适用于IGBT器件的高温特性参数量产测试方法。在高温量产测试时，先选择一IGBT器件作为IGBT器件样品，通过对IGBT器件样品测试的参数校准测试，以能得到量产测试基准电压VCEJZ、量产测试基准电压VGEJZ以及量产测试基准脉冲宽度TpJZ，并将量产测试基准电压VCEJZ、量产测试基准电压VGEJZ以及量产测试基准脉冲宽度TpJZ作为默认测试条件对其他IGBT器件直接进行高温量产测试，量产测试基准脉冲宽度TpJZ和延迟时间Tdelay都不超过毫秒级，测试速度快，提高测试效率；通过IGBT器件自身导通功耗对当前的IGBT器件进行加热，量产测试时无需通过恒温加热台或者恒温加热底座进行加热，节省能耗和成本。
适用于 igbt 器件高温特性参数量产测试方法

[发明专利]高可靠性上下结构的SGT器件-CN202210081782.0在审
发明人：杨飞;吴凯;张广银;朱阳军 -专利权人：南京芯长征科技有限公司
申请日： 2022-01-24 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种高可靠性上下结构的SGT器件。其包括具有第一导电类型的半导体基板以及制备于半导体基板漂移区的元胞区，所述元胞区内的元胞采用沟槽结构；在所述SGT器件的俯视平面上，元胞区内的元胞包括方环状的元胞外围沟槽以及位于所述元胞外围沟槽内圈中心区的元胞中心处沟槽；在元胞中心处沟槽的外圈设置第二导电类型基区，第二导电类型基区在漂移区内位于元胞中心处沟槽、元胞外围沟槽相应槽底的上方，且第二导电类型基区与元胞中心处沟槽的外侧壁以及元胞外围沟槽内圈的外侧壁接触；本发明能有效减少由于横向方向与纵向方向应力不同引起的翘曲，并能有减少漂移区耐压BV差异导致的耐压可靠性。
可靠性上下结构 sgt 器件

[实用新型]功率半导体器件自动化测量设备用多档位分选装置-CN202122781336.4有效
发明人：张军辉;宋志威;张文亮;朱阳军 -专利权人：山东阅芯电子科技有限公司
申请日： 2021-11-12 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： B65G47/64 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种功率半导体器件自动化测量设备用多档位分选装置。其包括一升降输送机构以及分档传送组，分档传送组内包括若干层分档传送机构，所述分档传送机构间相互平行，且升降输送机构位于分档传送组内分档传送机构第一端的外侧；所述升降输送机构包括升降输送带以及用于驱动所述升降输送带升降的升降驱动机构，通过升降驱动机构驱动升降输送带升降后，能使得所述升降输送带与一分档传送机构正对应，通过升降输送带能将测试后的产品输送至正对应的分档传送机构上，以能通过分档传送机构将所接收测试后的产品输送至所需的位置。本实用新型结构紧凑，能有效实现多种分选需求，兼容性强，空间利用率高，安全可靠。
功率半导体器件自动化测量备用档位分选装置

[实用新型]功率半导体器件接触式加热装置-CN202122781338.3有效
发明人：田丰;曲行行;梁林杰;张文亮;朱阳军 -专利权人：山东阅芯电子科技有限公司
申请日： 2021-11-12 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： H05B3/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种功率半导体器件接触式加热装置。其包括支撑载盘、器件加热机构以及载盘升降驱动机构，还包括测试探针机构以及器件测试连接座机构；器件测试连接座机构包括连接定位座体以及器件固定座，利用待测功率半导体器件的端脚与器件固定座的插接连接；测试探针机构包括探针固定板、测试连接探针以及器件顶压探针；载盘升降驱动机构驱动支撑载盘向探针固定板方向运动时，测试连接探针能与连接定位座体接触，器件顶压探针与待测功率半导体器件直接接触并将所接触的待测功率半导体器件压紧在正对应的器件加热机构上。本实用新型能有效实现对功率半导体器件的接触加热，提高加热测试效率，适应范围广，安全可靠。
功率半导体器件接触加热装置

[发明专利]半导体功率器件用模块化自动上下料装置-CN202111555253.1在审
发明人：张军辉;宋志威;张文亮;朱阳军 -专利权人：山东阅芯电子科技有限公司
申请日： 2021-12-17 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： B65G59/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体功率器件用模块化自动上下料装置。其包括架体以及设置于所述架体上的载盘输送机构，在所述载盘输送机构的上下料输送方向上依次设置载盘组进料区、叠层载盘分离区、待测器件拾取区以及空托盘拾取区；还包括叠层载盘分离区相对应的叠层载盘分离机构、与待测器件拾取区相对应的待测器件拾取机构以及与空托盘拾取区相对应的空托盘拾取机构；本发明能有效实现自动上下料，提高生产效率和节约人力成本，自动化程度高，安全可靠。
半导体功率器件模块化自动上下装置

[发明专利]适用于功率循环试验的多参数配置方法-CN202111509661.3在审
发明人：邬忌;沈景山;杨博智;宗成林;邹明珣;朱阳军 -专利权人：山东阅芯电子科技有限公司
申请日： 2021-12-10 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： G06F16/903 文献下载
摘要：本发明涉及一种适用于功率循环试验的多参数配置方法。其包括如下步骤：步骤1、提取得到一输出参数以及所述输出参数相对应独立输入参数的集合；步骤2、确定输出参数与独立输入参数集合中任一独立输入参数的规律曲线；步骤3、建立规律存储器，利用所述规律存储器能存储输出输入参数规律关联方案；步骤4、设定功率循环试验的输出参数目标值，在查找到所述输出输入参数规律方案后，根据输出参数目标值以及输出输入参数规律方案内的规律曲线确定相对应的输入参数目标值，以实现功率循环试验中多个输入参数的配置。本发明能有效实现功率循环试验中的目标环境参数的配置，提高功率循环试验的效率与可靠性。
适用于功率循环试验参数配置方法

[发明专利]低成本高性能沟槽型功率半导体器件及其制备方法-CN202010351900.6有效
发明人：杨飞;白玉明;张广银;吴凯;朱阳军 -专利权人：南京芯长征科技有限公司
申请日： 2020-04-28 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种沟槽型功率半导体器件及其制备方法，尤其是一种低成本高性能沟槽型功率半导体器件及其制备方法，属于沟槽型功率半导体器件的技术领域。在衬底元胞第二沟槽与终端区间设置至少一个衬底第二导电类型注入区后，能防止耐压时在衬底元胞第二沟槽的槽底发生击穿，充分增加终端区的耐压，能降低衬底终端第二导电类型体区的结深要求，提高设计的自由度，使得功率半导体器件具有更高的击穿电压和可靠性，或者在相同的击穿电压下，可以进一步减少器件的面积，降低成本，同时提高功率半导体器件的可靠性。
低成本性能沟槽功率半导体器件及其制备方法

[发明专利]一种IGBT及其制作方法-CN201510784090.2有效
发明人：滕渊;朱阳军;卢烁今;田晓丽 -专利权人：上海联星电子有限公司;江苏中科君芯科技有限公司
申请日： 2015-11-16 - 公布日： 2021-12-21 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种IGBT及其制作方法，该IGBT包括：半导体衬底、位于半导体衬底第一表面的正面结构和终端结构、位于半导体衬底第二表面的背面结构，和位于半导体衬底侧面的隔离层，隔离层覆盖半导体衬底的侧面、终端结构的侧面和背面结构的侧面，使得本发明实施例所提供的IGBT中，其PN结不会出现在IGBT的侧面，从而避免了IGBT在其背面的PN结反偏时，其载流子从PN结侧面边缘流出，产生的漏电现象，提高了IGBT的反向阻断能力。而且，本发明实施例所提供的IGBT制作方法，不需要长时间的热扩散，加工时间较短，对IGBT的生产效率影响不大。
一种 igbt 及其制作方法

[发明专利]能降低米勒电容的功率半导体器件及制备方法-CN202111207125.8在审
发明人：张广银;吴凯;杨飞;朱阳军 -专利权人：芯长征微电子制造（山东）有限公司
申请日： 2021-10-18 - 公布日： 2021-11-12 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明涉及一种能降低米勒电容的功率半导体器件及制备方法。其包括半导体衬底以及设置于所述半导体衬底中心区的元胞区；所述元胞区内包括若干并联分布的元胞，且元胞采用沟槽结构；在所述功率半导体器件的截面上，元胞包括元胞沟槽、制备于所述元胞沟槽内下部的槽底厚氧层以及支撑于所述槽底厚氧层上的槽内厚氧柱，槽内厚氧柱的顶端位于元胞沟槽槽口的下方；在元胞沟槽内填充有栅极导电多晶硅，所述栅极导电多晶硅支撑在槽底厚氧层上且包覆槽内厚氧柱，栅极导电多晶硅通过栅氧化层与元胞沟槽的侧壁绝缘隔离，栅氧化层与槽底厚氧层接触。本发明能降低米勒电容，提高器件的可靠性，与现有工艺兼容，安全可靠。
降低米勒电容功率半导体器件制备方法

[实用新型]半导体功率器件测试用热能交换调节装置-CN202120686835.2有效
发明人：张军辉;李文江;梁林杰;张文亮;朱阳军 -专利权人：山东阅芯电子科技有限公司
申请日： 2021-04-02 - 公布日： 2021-11-05 - 主分类号： F28D21/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种热能交换调节装置，尤其是一种半导体功率器件测试用热能交换调节装置。本实用新型供液设备与液体热交换第一支路、液体热交换第二支路适配连接，通过液体热交换第一支路、液体热交换第二支路分别与一热能交换板匹配连接，通过调节控制器控制液体热交换第一支路、液体热交换第二支路路相对应工作状态的切换控制，能有效精确实现不同目标值流速的快速切换，智能化程度高，安全可靠。
半导体功率器件测试热能交换调节装置

[发明专利]可控制高温环境老化寿命试验箱温度变化过程的方法及系统-CN201811604900.1有效
发明人：张文亮;雷小阳;李文江;朱阳军 -专利权人：山东阅芯电子科技有限公司
申请日： 2018-12-26 - 公布日： 2021-06-25 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明涉及一种控制方法及系统，尤其是可控制高温环境老化寿命试验箱温度变化过程的方法及系统，属于高温环境老化试验的技术领域。本发明预先设定温度随时间变化的曲线Taim(t)，在试验过程中，根据风门挡板当前的开启角α以及环境试验箱内的当前温度Treal，通过风门挡板控制机构实时调整风门挡板9的开启角α，最终使环境试验箱内的温度根据预先设定的温度随时间变化的曲线Taim(t)变化。该技术可以使环境老化寿命试验开始的升温过程及结束时的降温过程变得更可控，有利于提高试验过程的一致性。
控制高温环境老化寿命试验温度变化过程方法系统