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[发明专利]能抑制开关震荡的功率半导体器件及其制备方法-CN202111369712.7有效
发明人：杨飞;吴凯;张广银;朱阳军 -专利权人：江苏芯长征微电子集团股份有限公司;南京芯长征科技有限公司
申请日： 2021-11-18 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种能抑制开关震荡的功率半导体器件及其制备方法。其在元胞内设置至少一个调整控制第一沟槽，以利用调整控制第一沟槽作为元胞内的dummy trench。在调整控制第一沟槽内，调整控制第一沟槽下导电多晶硅与半导体衬底上方的源极金属电连接，因此，能降低调整控制第一沟槽中调整控制第一沟槽上导电多晶硅与半导体衬底上方的栅极金属电连接时与背面电极结构间的耦合电容，并且通过控制和栅极金属极连接调整控制第一沟槽的数量，可以很好的调整输入电容Ciss，而不会额外的影响反馈电容Crss，从而可以调整输入电容Ciss和反馈电容Crss的比例，优化功率半导体器件的开关震荡特性，提高器件工作的可靠性，与现有工艺兼容，安全可靠。
抑制开关震荡功率半导体器件及其制备方法

[发明专利]高可靠性沟槽型SiC功率半导体器件及制备方法-CN202310572379.2在审
发明人：卞玉洋;苏江;陈宝川;邓小社;朱阳军 -专利权人：芯长征微电子制造（山东）有限公司;江苏芯长征微电子集团股份有限公司
申请日： 2023-05-18 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种高可靠性沟槽型SiC功率半导体器件及制备方法。在所述SiC功率半导体器件的截面上，对沟槽型元胞，包括位于第一导电类型外延层内的元胞沟槽、分布于所述元胞沟槽两侧的第二导电类型屏蔽区以及用于包裹所述第二导电类型屏蔽区内侧的第一导电类型载流子存储区，其中，第一导电类型载流子存储区以及第二导电类型屏蔽区均呈阶梯式分布状态；第一导电类型载流子存储区以及第二导电类型屏蔽区相应的底部均位于元胞沟槽槽底的下方；元胞沟槽两侧的第一导电类型载流子存储区与第一导电类型外延层接触，并通过第一导电类型外延层间隔。本发明能有效降低栅极氧化层处的最大电场，同时保证功率半导体器件具有较小的导通电阻。
可靠性沟槽 sic 功率半导体器件制备方法

[发明专利]屏蔽栅功率半导体器件及制备方法-CN202310172780.7在审
发明人：徐真逸;杨飞;吴凯;张广银;朱阳军 -专利权人：江苏芯长征微电子集团股份有限公司;南京芯长征科技有限公司
申请日： 2023-02-27 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及一种屏蔽栅功率半导体器件及制备方法。其屏蔽栅结构包括沟槽栅多晶硅以及位于所述沟槽栅多晶硅正下方的第一屏蔽栅多晶硅；在元胞沟槽内，还包括位于第一屏蔽栅多晶硅一侧的第二屏蔽栅多晶硅以及位于第一屏蔽栅多晶硅另一侧的第三屏蔽栅多晶硅，其中，第一屏蔽栅多晶硅的下端部位于第二屏蔽栅多晶硅以及第三屏蔽栅多晶硅相应下端部的下方；沟槽栅多晶硅与栅极金属欧姆接触，第一屏蔽栅多晶硅与源极金属欧姆接触；将第二屏蔽栅多晶硅或第三屏蔽栅多晶硅中的一个配置处于浮空状态，第二屏蔽栅多晶硅或第三屏蔽栅多晶硅中的另一个配置与沟槽栅多晶硅保持等电位。本发明能有效提高功率半导体器件的击穿电压，降低导通电阻。
屏蔽功率半导体器件制备方法

[发明专利]降低碳化硅深槽侧壁粗糙度的方法及器件-CN202211737046.2在审
发明人：刘辉;朱阳军;吴凯;张广银;徐真逸;杨飞;任雨 -专利权人：江苏芯长征微电子集团股份有限公司;南京芯长征科技有限公司
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H01L29/16 文献下载
摘要：本发明涉及一种方法及器件，尤其是一种降低碳化硅深槽侧壁粗糙度的方法及器件。按照本发明提供的技术方案，一种降低碳化硅深槽侧壁粗糙度的方法，所述降低深槽侧壁粗糙度的方法包括：提供具有碳化硅深槽的碳化硅衬底；在上述碳化硅深槽内沉积覆盖所述碳化硅深槽侧壁的薄膜层，以利用所沉积的薄膜层平坦化碳化硅深槽的侧壁，其中，所述薄膜层的材料与碳化硅衬底相一致；对上述的薄膜层进行湿法牺牲氧化；基于湿法腐蚀工艺去除上述湿法牺牲氧化产生的氧化层。本发明能有效降低碳化硅深槽侧壁的粗糙度，与现有工艺兼容，安全可靠。
降低碳化硅侧壁粗糙方法器件

[发明专利]侧壁单侧倾斜的沟槽形成方法及器件-CN202211726694.8在审
发明人：刘辉;朱阳军;吴凯;张广银;徐真逸;杨飞;任雨 -专利权人：江苏芯长征微电子集团股份有限公司;南京芯长征科技有限公司
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明涉及一种侧壁单侧倾斜的沟槽形成方法及器件。其包括：在所述SiC衬底内制备得到所需的沟槽；在上述沟槽内填充沟槽保护掩膜，对SiC衬底正主面上的沟槽保护掩膜选择性地掩蔽和刻蚀，以得到位于沟槽一外侧的倾斜侧壁刻蚀窗口；将上述SiC衬底倾斜置于斜面体上，利用倾斜侧壁刻蚀窗口对SiC衬底的正主面进行干法刻蚀，以在刻蚀后得到形成所述沟槽的倾斜侧壁，去除上述的沟槽保护掩膜，其中，对去除沟槽保护掩膜后的沟槽，所述沟槽由沟槽保护膜保护的一侧壁呈垂直面，所述沟槽的另一侧壁为上述的倾斜侧壁。本发明在SiC衬底上，能有效制备侧壁单侧倾斜的沟槽，提高SiC器件的沟道迁移率，与现有工艺兼容。
侧壁倾斜沟槽形成方法器件

[发明专利]RC-IGBT功率器件及制备方法-CN202310340150.6在审
发明人：张广银;朱阳军;邓小社;杨飞;吴凯 -专利权人：江苏芯长征微电子集团股份有限公司;南京芯长征科技有限公司
申请日： 2023-03-31 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种RC‑IGBT功率器件及制备方法。其包括具有第一导电类型的衬底、制备于所述衬底正面的正面元胞结构以及制备于所述衬底背面的背面结构，还包括用于隔离第二导电类型集电区以及与所述第二导电类型集电区邻近第一导电类型FRD阴极区的背面隔离沟槽，背面隔离沟槽的外侧壁与所隔离的第二导电类型集电区以及第一导电类型FRD阴极区接触，所述背面隔离沟槽的槽底伸入第一导电类型场截止缓冲层内，且所述背面隔离沟槽的槽底由位于第一导电类型场截止缓冲层内的第二导电类型注入区包覆。本发明能降低IGBT与FRD间的相互影响，提高FRD反向恢复的软度，提升器件的整体性能。
rc igbt 功率器件制备方法

[实用新型]液浸式超声波扫描检测用液路循环装置-CN202223180321.3有效
发明人：张军辉;宋志威;张文亮;朱阳军 -专利权人：山东阅芯电子科技有限公司
申请日： 2022-11-25 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： G01N29/28 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种液浸式超声波扫描检测用液路循环装置。其包括扫描检测液槽以及储液收液箱，其中，所述储液收液箱内的耦合介质通过一耦合介质抽取泵单元抽取，并经至少一个浸润冲击喷淋机构注入扫描检测液槽内，且利用浸润冲击喷淋机构能对进入扫描检测液槽的功率半导体器件进行耦合介质的浸润喷淋与冲击喷淋；液槽排液比例调节阀，用于适配连接扫描检测液槽与储液收液箱，基于扫描检测液槽内耦合介质的液位调节所述液槽排液比例调节阀的开度，以调节扫描检测液槽内耦合介质流入储液收液箱内的状态。本实用新型能有效实现超声波扫描检测时耦合介质的自动循环，提高超声波扫描检测的效率，降低超声波扫描检测的成本。
液浸式超声波扫描检测用液路循环装置

[实用新型]适用于液浸式超声波扫描检测的气泡快速去除装置-CN202223178759.8有效
发明人：张军辉;宋志威;张文亮;朱阳军 -专利权人：山东阅芯电子科技有限公司
申请日： 2022-11-25 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： G01N29/22 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种适用于液浸式超声波扫描检测的气泡快速去除装置。按照本实用新型提供的技术方案，所述适用于液浸式超声波扫描检测的气泡快速去除装置，包括：浸润装置，用于对进入耦合介质液池前的待测样品表面喷淋耦合介质，以利用所喷淋的耦合介质浸润待测样品的表面；气泡冲击装置，用于对进入耦合介质液池后的待测样品表面喷淋耦合介质，以冲击附着在待测样品表面的气泡，其中，气泡冲击装置所喷淋耦合介质的流量流速大于浸润装置所喷淋耦合介质的流量流速。本实用新型能快速去除待测器件表面的气泡，适于量产的超声波扫描检测，成本低，安全可靠。
适用于液浸式超声波扫描检测气泡快速去除装置

[实用新型]超声波扫描检测用密封盒装置-CN202223180260.0有效
发明人：宋志威;张文亮;张军辉;朱阳军 -专利权人：山东阅芯电子科技有限公司
申请日： 2022-11-25 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： B65D43/16 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种超声波扫描检测用密封盒装置。其包括：密封盒，包括支撑于密封盒挂板上的盒体以及铰接于盒体上的盒盖，其中，盒体能在密封盒挂板上运动；盒体打开锁紧机构，用于控制密封盒的打开与锁紧，至少分布于密封盒的一侧，并与所述密封盒的盒体与盒盖适配连接，其中，盒体打开锁紧机构驱动盒体在密封盒挂板上向第一方向运动时，解除盒盖与盒体间的密封锁紧状态，以使得密封盒处于可打开状态；密封盒关闭时，盒体打开锁紧机构驱动盒体在密封盒挂板上向第二方向运动时，以将盒盖密封锁紧在盒体上。本实用新型能有效满足功率半导体器件的超声波扫描检测需求，提高超声波检测效率，自动化程度高，安全可靠。
超声波扫描检测密封盒装

[发明专利]低成本高可靠性的功率半导体器件及其制备方法-CN201910729788.2有效
发明人：杨飞;白玉明;吴凯;朱阳军 -专利权人：江苏芯长征微电子集团股份有限公司;南京芯长征科技有限公司
申请日： 2019-08-08 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种低成本高可靠性的功率半导体器件及其制备方法，其有源区内的元胞采用沟槽结构；有源区内包括衬底元胞沟槽以及元胞边缘沟槽，元胞边缘沟槽的宽度大于衬底元胞沟槽的宽度；在元胞边缘沟槽槽底的正下方设置元胞边缘沟槽第二导电类型掺杂区，在元胞边缘沟槽的两侧设置衬底第二导电类型体区；在元胞边缘沟槽内填充有边缘沟槽导电多晶硅以及衬底绝缘介质层，衬底源极金属层支撑在衬底绝缘介质层上，衬底源极金属层与衬底第二导电类型基区、衬底第一导电类型源区以及元胞边缘沟槽两侧的衬底第二导电类型体区欧姆接触。本发明能提高终端区域的击穿电压，降低制造成本，提高功率半导体器件的UIS能力，与现有工艺兼容，安全可靠。
低成本可靠性功率半导体器件及其制备方法

[发明专利]高压沟槽型功率半导体器件及制备方法-CN201910729781.0有效
发明人：杨飞;白玉明;吴凯;朱阳军 -专利权人：江苏芯长征微电子集团股份有限公司;南京芯长征科技有限公司
申请日： 2019-08-08 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种功率半导体及制备方法，尤其是一种高压沟槽型功率半导体器件及制备方法，属于功率半导体器件的技术领域。对半导体衬底刻蚀得到较宽的元胞沟槽，对填充在元胞沟槽内的衬底导电多晶硅体进行回刻后，能在元胞沟槽内得到沟槽内注入定位孔，在沟槽内注入定位孔的外圈为衬底导电多晶硅体，利用沟槽内注入定位孔能方便同时得到衬底沟槽第二导电类型掺杂区以及衬底第二导电类型基区，衬底沟槽第二导电类型掺杂区位于元胞沟槽的槽底的正下方并与元胞沟槽的槽底接触，从而能降低元胞沟槽槽底绝缘栅氧化层的电场，提高衬底绝缘栅氧化层的可靠性，与现有工艺兼容，提高工艺流程的可控性。
高压沟槽功率半导体器件制备方法

[发明专利]可测量阈值电压的高温栅偏试验方法及装置-CN202010517790.6有效
发明人：张文亮;李文江;孙浩强;朱阳军 -专利权人：山东阅芯电子科技有限公司
申请日： 2020-06-09 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明涉及一种高温栅偏试验方法及装置，尤其是一种可测量阈值电压的高温栅偏试验方法及装置，属于功率半导体器件高温栅偏测试的技术领域。按照本发明提供的技术方案，所述可测量阈值电压的高温栅偏试验方法，包括HTGB测试设备；所述HTGB测试设备包括能与待测器件适配连接的测试连接电路以及能切换待测器件测试状态的开关切换电路，所述开关切换电路与待测器件、测试连接电路适配连接，通过开关切换电路能使得测试连接电路对待测器件进行HTGB试验或阈值电压测量，以能在对待测器件的HTGB试验中进行阈值电压测量。本发明能方便对功率半导体器件进行高温栅偏试验以及阈值电压测量，提高测试效率，安全可靠。
可测量阈值电压高温试验方法装置

[实用新型]超声波扫描检测中密封盒传动连接结构-CN202223178600.6有效
发明人：宋志威;张军辉;张文亮;朱阳军 -专利权人：山东阅芯电子科技有限公司
申请日： 2022-11-25 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： B65G35/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种超声波扫描检测中密封盒传动连接结构。其包括密封盒以及密封盒传动单元；对任一密封盒，所述密封盒通过盒体传动连接机构能与密封盒传动单元适配连接，其中，密封盒通过盒体传动连接机构与密封盒传动单元适配连接后，通过密封盒传动单元驱动密封盒循环运转；利用一密封盒顶升机构将密封盒顶升后，密封盒能与密封盒传动单元分离，且在密封盒顶升机构对密封盒顶升期间，密封盒与密封盒传动单元完全分离；撤去密封盒顶升机构对密封盒的顶升后，密封盒回落后通过盒体传动连接机构恢复与密封盒传动单元的适配连接。本实用新型能有效满足密封盒循环运转以及超声波检测的需求，提高超声波扫描检测的稳定性与可靠性。
超声波扫描检测密封传动连接结构

[发明专利]循环运转式超声波扫描检测系统-CN202211497999.6在审
发明人：宋志威;张文亮;张军辉;朱阳军 -专利权人：山东阅芯电子科技有限公司
申请日： 2022-11-25 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： G01N29/27 文献下载
摘要：本发明涉及一种循环运转式超声波扫描检测系统。其包括扫描检测液槽、超声波扫描显微检测装置以及密封盒循环运转机构，其中，对任一与所述密封盒循环运转机构适配连接的器件密封盒，驱动所述器件密封盒沿扫描检测平台上方的器件上下料区、扫描检测液槽内、扫描检测平台上方的密封盒脱液区以及扫描检测平台内的平台内运转区循环运转。本发明能有效实现功率半导体器件的超声波扫描检测，提高超声波扫描检测的稳定性以及可靠性，降低超声波扫描检测的成本，自动化程度高。
循环运转超声波扫描检测系统

[实用新型]功率半导体器件自动化测试用器件搬运装置-CN202123196119.5有效
发明人：宋志威;张军辉;张文亮;朱阳军 -专利权人：山东阅芯电子科技有限公司
申请日： 2021-12-17 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： B65G47/91 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种功率半导体器件自动化测试用器件搬运装置。其包括真空吸附搬运机构以及搬运驱动机构；所述真空吸附搬运机构包括能与功率半导体器件适配的器件定位块、若干设置于器件定位块吸附面的器件吸盘以及与所述器件吸盘适配连接的真空吸附源；通过搬运驱动机构能使得器件定位块对准后压盖在功率半导体器件上，通过真空吸附源所产生的吸附作用力能使得功率半导体器件吸附在器件吸盘上；通过搬运驱动机构提拉器件定位块时，吸附在器件吸盘上的功率半导体器件能与器件载盘分离。本实用新型结构紧凑，能精准快速实现将功率半导体器件取出搬运，提高测试的效率与可靠性。
功率半导体器件自动化测试器件搬运装置

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