专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]耐高温的GPP芯片的生产工艺-CN202310866902.2在审
  • 高宝华;陈宝成 - 常州银河电器有限公司
  • 2023-07-14 - 2023-10-27 - H01L21/329
  • 本发明涉及二极管芯片制造技术领域,尤其是涉及一种耐高温GPP芯片的生产工艺,步骤包括一次光刻:腐蚀开槽:SIPOS:二次光刻:电泳钝化:LTO;三次光刻以及表面金属化,划片切割。本发明的工序结合了光阻法和电泳法的优势,相比现有技术的全部钝化然后再根据需要裁切,本发明的工艺中玻璃层是根据需要人为排序然后进行生长钝化的,一方面钝化过程中没有其他杂质,玻璃内部不会产气泡和黑渣点,另一方面玻璃粉融化固化后是致密的,硬特性和耐高温特性都大大提高,有效保证GPP芯片的可靠性。
  • 耐高温gpp芯片生产工艺
  • [发明专利]一种快恢复二极管的制备方法-CN202310981842.9在审
  • 蒋骞苑;赵德益;吕海凤;张啸;王允;郝壮壮;胡亚莉;李佳豪;张彩霞 - 上海维安半导体有限公司
  • 2023-08-04 - 2023-10-24 - H01L21/329
  • 本发明提供一种快恢复二极管的制备方法,包括:步骤S1,于衬底上形成外延层;步骤S2,于外延层表面两侧分别形成场氧化区;步骤S3,于外延层中形成多个第一注入区,第一注入区贯穿外延层至衬底中;步骤S4,于外延层中形成多个第二注入区,第二注入区分别位于第一注入区表面;步骤S5,于外延层中形成多个第三注入区,然后快速退火;步骤S6,背面减薄,然后于衬底背面形成第四注入区;步骤S7,于第四注入区中形成多个第五注入区;步骤S8,于第四注入区的下表面形成第六注入区;步骤S9,淀积形成正面金属层和背面金属层。有益效果:器件反向恢复时间短、反向恢复峰值电流小、反向恢复电荷少,且具有较软的反向恢复特性。
  • 一种恢复二极管制备方法
  • [发明专利]一种TVS二极管PN结的优化方法-CN202211092643.4在审
  • 徐远 - 苏州矽航半导体有限公司
  • 2022-09-08 - 2023-10-17 - H01L21/329
  • 本发明公开了一种TVS二极管PN结的优化方法,包括以下步骤:S1:将单一图形的PN结进行分割成若干个单元PN结;S2:在所述单元PN结对应的氧化层位置开设接触孔;S3:在正面淀积金属,并通过接触孔将拆分后的若干所述单元PN结并联,若干所述单元PN结的总面积与拆分前单一图形的PN结面积相同,本发明在确保PN结面积足够的同时,通过并联关系,大大降低了PN结总的体电阻,从而获得更低的钳位电压,本发明在确保TVS过流特性的同时能够将TVS的钳位电压控制的足够低。
  • 一种tvs二极管pn优化方法
  • [发明专利]一种碳化硅二极管制备方法及碳化硅二极管-CN202310892312.7在审
  • 张鹏;冯尹 - 珠海格力电子元器件有限公司;珠海格力电器股份有限公司
  • 2023-07-19 - 2023-10-13 - H01L21/329
  • 本发明实施例提供了一种碳化硅二极管制备方法及碳化硅二极管,所述方法包括,在碳化硅外延片的P型外延层制备一类N型注入区和二类N型注入区;在外延层上制备二氧化硅层覆盖一类N型注入区、二类N型注入区以及两者之间的部分型外延层;在二氧化硅层上制备多晶硅层,刻蚀多晶硅层、二氧化硅层,露出碳化硅P型外延层;在多晶硅层及露出的外延层上制备第一金属层;在衬底远离外延层的一面制备第二金属层。本发明提供的方法相比于传统的二极管结构,增加了导电通道,从而降低导通电阻,能够降低器件的开关损耗,从而提高碳化硅二极管的整体性能;无需进行铝离子注入,能够简化器件制造工艺,有效降低生产成本。
  • 一种碳化硅二极管制备方法
  • [发明专利]单向平面TVS芯片及其制备方法-CN202311078728.1在审
  • 吴同同;管国栋 - 马鞍山市槟城电子有限公司
  • 2023-08-24 - 2023-10-13 - H01L21/329
  • 本发明公开了一种单向平面TVS芯片及其制备方法。单向平面TVS芯片的制备方法包括:提供P型衬底,在P型衬底的双面生长氧化层;图案化第一表面的氧化层,形成第一图案区,图案化第二表面的氧化层,形成第二图案区,第二图案区包括至少一个柱状的氧化层结构;对第一图案区进行掺杂,形成第一N型掺杂区,对第二图案区进行N型掺杂,形成第二N型掺杂区。在P型衬底双面掺杂形成N+‑P‑N+结构,提高TVS芯片的通流能力。图案化第二表面的氧化层时,选择性刻蚀,保留至少一个柱状的氧化层结构不被刻蚀,使后续形成的第二N型掺杂区中包括P型衬底,降低单向平面TVS芯片的正向压降。
  • 单向平面tvs芯片及其制备方法
  • [发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202210277578.6在审
  • 何乃龙;张森;赵景川 - 无锡华润上华科技有限公司
  • 2022-03-21 - 2023-09-29 - H01L21/329
  • 本发明涉及一种半导体器件及其制造方法,所述方法包括:获取形成有第二导电类型区域的晶圆;通过光刻使光刻胶露出注入窗口;通过离子注入向所述注入窗口下方的所述第二导电类型区域中注入第二导电类型的离子,形成第二导电类型的埋层;对所述光刻胶进行回刻,所述光刻胶被去除一定厚度从而所述注入窗口扩大;通过离子注入向扩大后的注入窗口下方的所述第二导电类型区域中注入第一导电类型的离子,形成第一导电类型掺杂区;所述埋层位于所述第一导电类型掺杂区下方。本发明无需使用额外的光刻版即可形成齐纳二极管的第一导电类型掺杂区,且第一导电类型掺杂区的注入工艺参数可以独立设定,易于满足齐纳二极管的性能需求。
  • 半导体器件及其制造方法
  • [发明专利]一种快恢复二极管及其制备方法和应用-CN202010547030.X有效
  • 欧阳潇;沈怡东;王成森 - 捷捷半导体有限公司
  • 2020-06-16 - 2023-09-12 - H01L21/329
  • 本发明提供了一种快恢复二极管及其制备方法和应用。该制备方法包括:提供一N型硅单晶片;通过磷预扩和磷再扩的方式,在N型硅单晶片的正反两面的表面制备N+扩散层;去除正面的N+扩散层;通过硼预扩和硼再扩的方式,在去除N+扩散层的正面扩散硼;扩散铂;正反两面均进行微腐蚀,去除微表面的富集铂源;两面同时沉积富氧多晶硅膜;将多余的铂析出至富氧多晶硅膜内;剥离富氧多晶硅膜;350℃‑450℃下沉积SiO2薄膜;经过光刻槽、台面腐蚀、钝化,得到快恢复二极管。由本发明的制备方法得到的二极管可以在维持产品快恢复时间的同时,降低产品的压降及硅片的脆度,提高产品性能,降低碎片率。
  • 一种恢复二极管及其制备方法应用
  • [发明专利]一种氮化镓功率器件的制备方法-CN202110743594.5有效
  • 刘扬;张琦 - 中山大学
  • 2021-06-30 - 2023-09-12 - H01L21/329
  • 本发明属于半导体技术领域,更具体地,涉及一种氮化镓功率器件的制备方法。通过衬底剥离技术来实现器件的纵向导通,在中低压应用领域能够有效地缓解对GaN自支撑衬底的依赖,大大降低了器件制作成本;采用选择区域外延p型GaN方法制作终端结构,避免了离子注入或刻蚀带来的晶格损伤,获得高载流子浓度的p型GaN,减缓了反向偏压下器件电极下方存在的电场集中效应,从而提高了器件的击穿电压。
  • 一种氮化功率器件制备方法
  • [发明专利]一种采用氮化碳P型层的JBS二极管制备方法-CN202310875890.X在审
  • 柯茜;张梦龙;李京波 - 浙江芯科半导体有限公司
  • 2023-07-17 - 2023-09-08 - H01L21/329
  • 本发明属于半导体发光器件领域,提供了一种采用氮化碳P型层的JBS二极管制备方法,包括以下步骤:S1:在N+衬底上通过MOCVD外延生长形成N外延层;S2:通过PECVD在N外延层上生长一层SiO2掩模层,然后进行涂胶操作,涂胶以后用掩模板光刻并曝光,在N外延层上得到两个沟槽图案以用于P型材料沟槽的刻蚀;S3:将器件进行ICP刻蚀,并刻蚀出两个沟槽;S4:如有残胶对器件进行去胶处理,如没有残胶可直接将器件放入BOE中用于去除剩余的SiO2,得到沟槽型的N外延层;本发明通过将非金属P型化合物取代传统的依赖MOCVD或离子注入机获取的P型层的技术,此改动不仅使得工艺流程的成本大大降低、节约了成本和时间,且提高了工艺的效率。
  • 一种采用氮化jbs二极管制备方法

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