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[发明专利]高压IGBT芯片及其制作方法-CN201510675657.2在审
发明人：滕渊;朱阳军;卢烁今;田晓丽;高君宇 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2015-10-19 - 公布日： 2017-04-26 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：本发明提供了一种高压IGBT芯片及其制作方法，包括提供基底，所述基底包括多个IGBT单元；在所述基底的划片区形成沟槽，以便通过所述沟槽对所述基底进行分割，其中，所述划片区位于所述IGBT单元之间。从而可以将具有IGBT单元的芯片划透，即背面不再具有连接部分，避免了由于背面崩裂而影响PN结性能的问题。
高压 igbt 芯片及其制作方法

[发明专利]压接式IGBT器件-CN201510683900.5在审
发明人：滕渊;朱阳军;卢烁今;田晓丽 -专利权人：上海联星电子有限公司;江苏中科君芯科技有限公司
申请日： 2015-10-20 - 公布日： 2017-04-26 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明公开了一种压接式IGBT器件，其包括IGBT芯片和第一金属电极，其中，第一金属电极和IGBT芯片的发射极的压接区域与第一阱区相对的边缘之间具有第一预设距离，以及，第一金属电极和发射极的压接区域与第二阱区相对的边缘之间具有第二预设距离，可以根据具体的IGBT器件设定第一预设距离和第二预设距离，以使第一金属电极和发射极在压接时产生的压力不影响IGBT芯片的第一阱区和第二阱区，避免第一阱区和第二阱区产生电特性的变化。因此，相对于现有的IGBT器件，本发明提供的技术方案无需在IGBT芯片上设计特殊的压接区域，避免了IGBT芯片的浪费，节约了资源，降低了成本，且减小了IGBT器件的体积。
压接式 igbt 器件

[发明专利]一种沟槽型的绝缘栅双极性晶体管及其制备方法-CN201210345357.4有效
发明人：张文亮;朱阳军;卢烁今;赵佳;田晓丽;吴振兴 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2012-09-17 - 公布日： 2017-04-19 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明公开了一种沟槽型的绝缘栅双极性晶体管及其制备方法，属于半导体技术领域。该绝缘栅双极性晶体管包括集电极、发射极、P‑基区、N+缓冲侧、N‑漂移区和栅极，栅极在沟槽内，栅极与N‑漂移区、P‑基区和发射极通过绝缘层电学隔离；其中，栅极由多晶硅组成，在沟槽内多晶硅栅上镶嵌一个以上不连续的绝缘体。本发明利用梳状栅结构减小了沟槽密度，从而提高抗短路能力。同时保持较高的栅密度，从而保证器件击穿电压下较小；同时，减小了器件的寄生电容，使器件有较高的开关速度。
一种沟槽绝缘极性晶体管及其制备方法

[发明专利]一种逆导型绝缘栅双极晶体管及其制作方法-CN201510550928.1在审
发明人：滕渊;朱阳军;卢烁今;田晓丽 -专利权人：上海联星电子有限公司;江苏中科君芯科技有限公司
申请日： 2015-08-31 - 公布日： 2017-03-08 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明提供公开了一种RC-IGBT及其制作方法，该制作方法包括提供一衬底，所述衬底具有漂移区；在所述衬底上表面内形成阱区；在所述阱区内形成源区；在所述衬底下表面内形成集电区；形成正面电极结构以及背面电极结构；对所述漂移区进行载流子寿命控制，降低所述漂移区的载流子寿命。所述制作方法通过对漂移区进行载流子寿命控制，降低漂移区的载流子寿命，FRD从正偏转换为反偏时，注入到漂移区11的载流子可以快速的被复合掉，提高了关断速度，进而提高了开关速度。
一种逆导型绝缘双极晶体管及其制作方法

[发明专利]一种绝缘栅双极型晶体管及其制作方法-CN201510550931.3在审
发明人：滕渊;朱阳军;卢烁今;田晓丽 -专利权人：上海联星电子有限公司;江苏中科君芯科技有限公司
申请日： 2015-08-31 - 公布日： 2017-03-08 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明公开了一种IGBT及其制作方法，该制作方法包括提供一衬底；所述衬底具有漂移区，所述漂移区包括元胞区以及包围所述元胞区的终端区；在所述漂移区对应所述终端区的上表面内形成主结以及场限环；在漂移区对应所述元胞区的上表面内形成多个IGBT元胞；在所述漂移区的下表面内形成集电区；在所述漂移区内形成载流子低寿命薄层；其中，所述载流子低寿命薄层与所述终端区相对设置；所述载流子低寿命薄层用于降低集电区注入漂移区的空穴电流。该制作方法形成的IGBT具有载流子低寿命薄层，可以降低漂移区注入主结的电流，进而降低主结的电流密度，避免了主结发生动态雪崩击穿的问题。
一种绝缘栅双极型晶体管及其制作方法

[发明专利]一种快恢复二极管及其制作方法-CN201510548524.9在审
发明人：滕渊;朱阳军;卢烁今;田晓丽 -专利权人：上海联星电子有限公司;江苏中科君芯科技有限公司
申请日： 2015-08-31 - 公布日： 2017-03-08 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种FRD及其制作方法，该FRD包括衬底，所述衬底具有漂移区；设置在衬底上表面内的主结；设置在衬底上表内的场限环以及截止环，场限环包围所述主结，截止环包围所述场限环；设置在衬底下表面内的阴极区；设置在漂移区内的载流子低寿命薄层；其中，所述漂移区包括主结区以及终端区；主结设置在所述主结区内，所述场限环以及截止环设置在所述终端区内；所述载流子低寿命薄层位于所述场限环以及截止环的下方，且位于所述阴极区的上方。所述FRD通过所述载流子低寿命薄层可以降低主结边缘处的电流密度，便于FRD的反向恢复，防止了主结发生动态雪崩击穿，提高了FRD的安全工作区范围。所述FRD制作方法简单，制作成本低。
一种恢复二极管及其制作方法

[发明专利]一种逆导型绝缘栅双极晶体管及其制作方法-CN201510548390.0在审
发明人：滕渊;朱阳军;卢烁今;田晓丽 -专利权人：上海联星电子有限公司;江苏中科君芯科技有限公司
申请日： 2015-08-31 - 公布日： 2017-03-08 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：一种逆导型绝缘栅双极晶体管及其制作方法。本发明公开了一种RC-IGBT及其制作方法，该RC-IGBT包括衬底，所述衬底具有漂移区；设置在衬底上表面内的阱区；设置在阱区内的源区；设置在所述衬底下表面内的集电区；设置在所述漂移区内的载流子低寿命薄层；其中，所述衬底上表面包括中间区以及包围所述中间区的边缘区；所述阱区设置在所述衬底对应所述边缘区的上表面内；所述载流子低寿命薄层位于所述阱区下方；所述载流子低寿命薄层与阱区的距离小于与所述集电区的距离。所述RC-IGBT在阱区下方设置有载流子低寿命薄层，可以加快载流子复合速度，降低阱区对漂移区的空穴注入，进而降低FRD反向恢复电流，进而降低反向恢复时间，从而提高RC-IGBT的开关速度。
一种逆导型绝缘双极晶体管及其制作方法

[发明专利]一种逆导型绝缘栅双极晶体管及其制作方法-CN201510548523.4在审
发明人：滕渊;朱阳军;卢烁今;田晓丽 -专利权人：上海联星电子有限公司;江苏中科君芯科技有限公司
申请日： 2015-08-31 - 公布日： 2017-03-08 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明公开了一种RC-IGBT及其制作方法，该RC-IGBT包括衬底，衬底具有漂移区；设置在衬底上表面内的阱区；设置在阱区内的源区；设置在衬底下表面内的集电区，集电区包括第一区以及包围第一区的第二区；设置在漂移区内的第一载流子低寿命薄层以及第二载流子低寿命薄层；其中，第一载流子低寿命薄层位于阱区下方；第二载流子低寿命薄层位于第二区上方；第一载流子低寿命薄层相对于衬底上表面的深度小于第二载流子低寿命薄层相对于衬底上表面的深度。本发明提供技术方案提高了RC-IGBT开关速度。
一种逆导型绝缘双极晶体管及其制作方法

[发明专利]一种逆阻型IGBT及其制作方法-CN201510548998.3在审
发明人：滕渊;朱阳军;卢烁今;田晓丽 -专利权人：上海联星电子有限公司;江苏中科君芯科技有限公司
申请日： 2015-08-31 - 公布日： 2017-03-08 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明公开了一种RB-IGBT及其制作方法，该RB-IGBT包括衬底，衬底具有漂移区；漂移区包括第一区、第二区以及包围第二区的第三区；设置在衬底对应第二区的上表面内的主结，主结包围第一区；设置在第三区内的隔离区；设置在衬底对应第一区的上表面内的IGBT元胞；设置在衬底下表面内的集电区；其中，第二区的载流子寿命小于第一区的载流子寿命。本发明技术方案可以消除主结附近的电流集中现象，进而降低了导通时主结处的电流密度，避免了RB-IGBT关断时主结发射雪崩击穿的问题，进而避免器件被烧毁。
一种逆阻型 igbt 及其制作方法

[发明专利]一种逆导型绝缘栅双极晶体管及其制作方法-CN201510550929.6在审
发明人：滕渊;朱阳军;卢烁今;田晓丽 -专利权人：上海联星电子有限公司;江苏中科君芯科技有限公司
申请日： 2015-08-31 - 公布日： 2017-03-08 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明公开了一种RC-IGBT及其制作方法，该制作方法包括提供一衬底；衬底具有漂移区，漂移区包括元胞区及终端区；在漂移区对应终端区的上表面内形成主结以及场限环；在漂移区对应元胞区的上表面内形成多个IGBT元胞；在漂移区的下表面内形成集电区；在漂移区内形成第一载流子低寿命区及第二载流子低寿命区；第一载流子低寿命区以及第二载流子低寿命区均位于漂移区与终端区相对的区域；第一载流子低寿命区与主结底部之间的距离小于第一阈值；第二载流子低寿命区与集电区上表面之间的距离小于第二阈值；第一载流子低寿命区位于第二载流子低寿命区的上方。本发明可以同时降低正向导通与反向导通时的主结电流密度，避免主结雪崩击穿。
一种逆导型绝缘双极晶体管及其制作方法

[发明专利]一种逆阻型绝缘栅双极晶体管终端结构-CN201610862063.7在审
发明人：张广银;杨飞;朱阳军;卢烁今;谭骥 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2016-09-28 - 公布日： 2016-12-21 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明公开了一种逆阻型绝缘栅双极晶体管的终端结构，包括正面终端结构和背面终端结构。其中，背面终端结构具有扩散隔离P+区结构，正面终端结构具有隔离沟槽结构。扩散隔离P+区结构中硼离子扩散深度由扩散时间决定。隔离沟槽结构的深度保证与扩散隔离P+区结构相贯通即可，因此扩散深度减小，从而减小了热预算，降低了横向扩散程度，节约了芯片面积，同时，对沟槽刻蚀技术的高深宽比要求降低，使硼离子的注入和填充工艺难度降低。
一种逆阻型绝缘双极晶体管终端结构

[发明专利]一种双向耐压的绝缘栅双极晶体管结构-CN201610865714.8在审
发明人：张广银;谭骥;卢烁今;朱阳军 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2016-09-29 - 公布日： 2016-11-23 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明公开了一种双向耐压的绝缘栅双极晶体管结构，与传统器件结构相比，在漂移区内部插入了与漂移区掺杂性质相反的异性掺杂区两个P柱区。通过改进，漂移区厚度减小，通态压降减小，晶体管的终端结构加工工艺难度和成本降低。
一种双向耐压绝缘双极晶体管结构

[发明专利]一种半导体器件及其制作方法-CN201210506054.6有效
发明人：褚为利;朱阳军;左小珍;赵佳;吴振兴;田晓丽 -专利权人：上海联星电子有限公司;中国科学院微电子研究所;江苏中科君芯科技有限公司
申请日： 2012-11-30 - 公布日： 2016-11-23 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：发明提供了一种半导体器件及其制作方法，所述半导体器件包括：基底，所述基底内形成有基区和主结，所述基区内形成有发射区；发射极金属电极，所述发射极金属电极形成于所述基区和发射区表面，且与所述基区和发射区电连接；第一场板，所述第一场板覆盖所述主结，且与所述发射极金属电极电连接。本发明提供的半导体器件的靠近过渡区主结的基区处存在一个电流通路，为半导体器件在开启过程和关断过程中出现的动态雪崩电流提供了电流泄放通路，从而避免动态雪崩电流使半导体器件失效，改善了半导体器件的性能。而且，第一场板覆盖主结的同时与基区电连接，第一场板电位恒为零，增强了第一场板的电场屏蔽作用，从而提高半导体器件的反向耐压能力。
一种半导体器件及其制作方法

[发明专利]绝缘栅双极型晶体管及其制作方法-CN201510119746.9在审
发明人：戴庆芸;朱阳军;卢烁今;田晓丽 -专利权人：江苏物联网研究发展中心;江苏中科君芯科技有限公司
申请日： 2015-03-18 - 公布日： 2016-10-19 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种绝缘栅双极型晶体管及其制作方法，该晶体管包括：N型基片，基片包括第一基片和位于第一基片第一表面的第二基片；位于第一基片表面且位于第二基片两侧的P型阱区；位于P型阱区与基片之间的载流子存储层；位于第一基片内，且位于载流子存储层下方，与载流子存储层接触的P型掺杂区；位于第二基片背离第一基片一侧的栅极结构，栅极结构覆盖第二基片和部分P型阱区；位于P型阱区内的源区以及位于源区背离第一基片一侧的发射极金属层，发射极金属层覆盖源区和栅极结构，且与栅极结构绝缘，以提高具有载流子存储层的IGBT的击穿电压，部分消除引入载流子存储层后击穿电压退化的问题，改善IGBT的阻塞能力。
绝缘栅双极型晶体管及其制作方法

[发明专利]IGBT器件及其制作方法-CN201510121640.2在审
发明人：戴庆芸;朱阳军;卢烁今;田晓丽 -专利权人：江苏物联网研究发展中心;江苏中科君芯科技有限公司
申请日： 2015-03-19 - 公布日： 2016-10-19 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明提供了一种IGBT器件及其制作方法，包括：提供第一基板，所述第一基板包括具有第一掺杂浓度的本体层和位于所述本体层第一表面的缓冲层；提供第二基板，所述第二基板具有第二掺杂浓度，所述第二掺杂浓度大于所述第一掺杂浓度；将所述第二基板键合在所述本体层的第二表面，所述第二表面为与所述第一表面相对的表面。将第二基板键合在本体层的第二表面之后，可在第二基板内制作阱区和源区，这样第二基板就相当于包裹阱区的载流子存储层，并且，与现有的载流子存储层相比，第二基板的制作工艺更简单、成本更低，且第二基板的均匀性更好，从而提高了IGBT器件的稳定性，优化了IGBT器件的导通性能和关断性能等。
igbt 器件及其制作方法