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专利名称
农业 化学；冶金 建筑 机械工程 区域搜索
主分类
A 农业
B 作业；运输
C 化学；冶金
D 纺织；造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]静电放电保护结构-CN201310259916.4有效
  • 霍晓;张莉菲;甘正浩;代萌;俞少峰;严北平 - 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
  • 2013-06-26 - 2017-05-17 - H01L27/02
  • 一种静电放电保护结构，包括位于衬底内的阱区，阱区内具有第一导电类型的掺杂离子，阱区与接地端电连接；位于衬底内的第二掺杂区，第二掺杂区位于阱区表面，第二掺杂区内具有第二导电类型的掺杂离子，第二掺杂区的掺杂浓度高于阱区的掺杂浓度；位于衬底内的第一掺杂区，第一掺杂区位于第二掺杂区表面，且第一掺杂区的表面与衬底表面齐平，第一掺杂区内具有第一导电类型的掺杂离子，第一掺杂区与静电放电输入端电连接，第一掺杂区的掺杂浓度高于第二掺杂区的掺杂浓度，且第一掺杂区和第二掺杂区之间的掺杂浓度差小于第二掺杂区和阱区之间的掺杂浓度差。
  • 静电放电保护结构
  • [发明专利]具有双接面的光伏打装置-CN201110280323.7无效
  • 黄明政;林汉塗 - 友达光电股份有限公司
  • 2011-09-07 - 2012-01-04 - H01L31/068
  • 本发明公开了一种光伏打装置，包含基板、第一、第二与第三掺杂区。基板具有第一掺杂型式。基板的第一掺杂区具有第二掺杂型式。第二掺杂区在部份第一掺杂区中，并暴露出第一掺杂区的其它部份。第三掺杂区在第一掺杂区的暴露出部份中。第二掺杂型式与第一掺杂型式的极性实质上相反。第二掺杂区与第一掺杂型式的极性实质上相同，第二掺杂区的掺杂浓度实质上大于基板的掺杂浓度。第三掺杂区与第二掺杂型式的极性实质上相同，第三掺杂区的掺杂浓度实质上大于第一掺杂区的掺杂浓度。第一掺杂型式为N型与P型中的一者，第二掺杂型式为P型与N型中的另一者。
  • 具有双接面光伏打装置
  • [发明专利]半导体装置及其操作方法-CN201310313534.5有效
  • 蔡英杰;陈永初;龚正 - 旺宏电子股份有限公司
  • 2013-07-24 - 2017-05-24 - H01L29/739
  • 该半导体装置包括一第一掺杂区、一第二掺杂区、一第一掺杂接触、一第二掺杂接触、一第一掺杂层、一第三掺杂接触与一第一栅结构；第一掺杂区具有一第一导电型；第二掺杂区邻接于第一掺杂区，并具有相反于第一导电型的一第二导电型；第一掺杂接触与第二掺杂接触位于第一掺杂区上；第一掺杂接触与第二掺杂接触之间具有一第一PN结；第一掺杂层位于第一掺杂接触或第二掺杂接触的下方；第一掺杂层与第一掺杂接触或第二掺杂接触之间具有一第二PN结，邻接于第一PN结；第三掺杂接触具有第一导电型，并配置于第二掺杂区中；第一栅结构配置于第一掺杂区与第三掺杂接触之间的第二掺杂区上。
  • 半导体装置及其操作方法
  • [发明专利]电极结构与太阳电池结构-CN202010072891.7在审
  • 廖士霆;罗俊杰;张瀚丞;黄建福;陈建勋 - 财团法人工业技术研究院
  • 2020-01-21 - 2021-06-11 - H01L31/0224
  • 本发明公开了一种电极结构，包括多层掺杂多晶结构与电极。多层掺杂多晶结构包括第一掺杂多晶层、第二掺杂多晶层与第一掺杂介电层。第二掺杂多晶层位于第一掺杂多晶层上。第一掺杂多晶层与第二掺杂多晶层为相同掺杂型。第二掺杂多晶层的掺杂浓度大于第一掺杂多晶层的掺杂浓度。第一掺杂介电层位于第一掺杂多晶层与第二掺杂多晶层之间。电极位于第二掺杂多晶层的远离第一掺杂介电层的一侧。电极电性连接至多层掺杂多晶结构。上述电极结构可优化场效应、提升隐开路电压与降低片电阻。
  • 电极结构太阳电池
  • [发明专利]硅基电光调制器掺杂结构-CN202010573470.2在审
  • 唐伟杰;曹伟杰;储涛 - 浙江大学
  • 2020-06-22 - 2022-01-07 - G02F1/017
  • 本发明公开了一种硅基电光调制器掺杂结构，涉及半导体领域，包括：第一掺杂区域、第二掺杂区域、第三掺杂区域和第四掺杂区域；第一掺杂区域与第二掺杂区域掺杂类型相同，第二掺杂区域与第三掺杂区域掺杂类型相反，第三掺杂区域与第四掺杂区域掺杂类型相同；第二掺杂区域与第三掺杂区域的接触面交错形成周期性结构，通过微波信号的幅度调整周期性结构。
  • 电光调制器掺杂结构
  • [发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201910471954.3有效
  • 赵猛 - 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
  • 2019-05-31 - 2023-10-17 - H01L21/336
  • 一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，基底包括源漏掺杂区以及位于源漏掺杂区上的层间介质层；刻蚀层间介质层，形成露出源漏掺杂区的开口；在开口露出的源漏掺杂区顶部形成第一掺杂区和位于第一掺杂区上的第二掺杂区，第二掺杂区在基底上的投影覆盖第一掺杂区在基底上的投影，且第一掺杂区、第二掺杂区以及源漏掺杂区的掺杂离子类型相同，第一掺杂区和第二掺杂区的掺杂离子浓度大于源漏掺杂区的掺杂离子浓度。第一掺杂区和第二掺杂区包围位于源漏掺杂区中的接触孔插塞，使得接触孔插塞不易直接与源漏掺杂区接触，降低了接触孔插塞与源漏掺杂区的接触电阻，改善了半导体结构的电学性能。
  • 半导体结构及其形成方法
  • [发明专利]半导体结构-CN201911010030.X在审
  • 简士杰;李家豪;杨定儒;刘家慎 - 世界先进积体电路股份有限公司
  • 2019-10-23 - 2021-04-23 - H01L29/06
  • 本发明提供一种半导体结构，包括：一基板；条状第一掺杂区，形成于该基板中；条状第二掺杂区，形成于该基板中，分别位于多个条状第一掺杂区之间，其中条状第一掺杂区的掺杂型式与条状第二掺杂区的掺杂型式相反；一第三掺杂区，形成于该基板中，包围条状第一掺杂区与条状第二掺杂区，其中该第三掺杂区的掺杂型式与该等条状第二掺杂区的掺杂型式相同；以及一第四掺杂区，形成于该基板中，位于该等条状第一掺杂区、该等条状第二掺杂区与该第三掺杂区下方，其中该第四掺杂区的掺杂型式与该等条状第二掺杂区的掺杂型式相同。
  • 半导体结构
  • [发明专利]双向式硅控整流器-CN201811168635.7有效
  • 陈致维;林昆贤 - 晶焱科技股份有限公司
  • 2018-10-08 - 2022-04-01 - H01L29/06
  • 本发明公开了一种双向式硅控整流器，其包含一轻掺杂半导体结构、一第一轻掺杂区、一第二轻掺杂区、一第一掺杂井区、一第二掺杂井区、一第一重掺杂区、一第二重掺杂区、一第三重掺杂区与一第四重掺杂区。轻掺杂半导体结构、第一重掺杂区与第三重掺杂区属于第一导电型，第一轻掺杂区、第二轻掺杂区、第一掺杂井区、第二掺杂井区、第二重掺杂区与第四重掺杂区属于第二导电型。第一轻掺杂区的第一部分位于第一掺杂井区的下方，第二轻掺杂区的第二部分位于第二掺杂井区的下方。
  • 双向式硅控整流器
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