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[发明专利]一种H7电流源型整流器的开关损耗评估方法及系统-CN202310117703.1在审
发明人：周超群;于强;王林峰;刘明峰;刘术波;公伟勇;赵斌;董羽翔;田振业;陈先凯;赵会亮;王超;安树怀;魏振;王明涛 -专利权人：国网山东省电力公司青岛供电公司
申请日： 2023-02-15 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： G01R31/00 文献下载
摘要：本发明属于整流器的开关损耗评估领域，提供了一种H7电流源型整流器的开关损耗评估方法及系统，该评估方法根据H7电流源型整流器执行的调制策略，确定开关损耗测试点的实际数目和各个开关损耗测试点对应的电压值；基于各个开关损耗测试点对应的电压值，搭建开关损耗等效测试电路，模拟H7电流源型整流器调制过程中的开关动作，得到对应开关损耗测试点处的开关损耗；基于各个开关损耗测试点处的开关损耗和调制策略的设定条件，获得H7电流源型整流器单调制周期的整体开关损耗评估结果可以合理评估出H7电流源型整流器的开关损耗水平，具有简便、易于实施的优点。
一种 h7 电流整流器开关损耗评估方法系统

[发明专利]一种基于MMC隔离型DC/DC变换器开关损耗的确定方法-CN201410850972.X有效
发明人：王新颖;汤广福;贺之渊;魏晓光;张升;周万迪 -专利权人：国家电网公司;中电普瑞电力工程有限公司;国网浙江省电力公司;华北电力大学
申请日： 2014-12-30 - 公布日： 2018-10-09 - 主分类号： H02M3/335 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于MMC隔离型DC/DC变换器开关损耗的确定方法，该方法包括：对MMC中子模块功率器件的开关损耗特性曲线进行参数拟合；利用插值法计算工作结温下子模块功率器件的开关损耗能量；确定单个功率器件的平均开关损耗；确定MMC‑DC/AC/DC变换器交流周期内开关损耗类型的分布；确定输入端MMC换流器单相上、下桥臂的平均开关损耗；确定MMC‑DC/AC/DC变换器所有功率器件的开关损耗，本发明提供的技术方案采用开关损耗等效置换的方法，有效求解出基于模块化多电平换流器的隔离型DC/DC变换器开关损耗的解析表达式，公开了一种MMC‑DC/DC变换器开关损耗的数值计算方法。有助于MMC‑DC/DC变换器开关损耗的定量分析，便于系统参数优化设计程序的实现与集成。
一种基于 mmc 隔离 dc 变换器开关损耗确定方法

[发明专利]用于测量与半导体开关器件有关的开关损耗的系统和方法-CN201410524364.X有效
发明人：陈清麒;克利须那·普拉萨德·巴特;迈克尔·W·德格尼尔;邹轲 -专利权人：福特全球技术公司
申请日： 2014-10-08 - 公布日： 2020-07-10 - 主分类号： G01R31/00 文献下载
摘要：根据本发明的示例性方面，一种用于测量与半导体开关器件有关的开关损耗的方法包括使用半导体开关器件的开关损耗信息控制车辆以及其他，开关损耗信息来源于传导损耗以及传导和开关损耗的结合。
用于测量半导体开关器件有关损耗系统方法

[发明专利]一种基于永磁同步电机驱动调制策略的效率优化方法-CN202310121557.X在审
发明人：马宇;吴庆勋;王永舵;李如飞;刘昊;张利剑 -专利权人：北京机械设备研究所
申请日： 2023-02-02 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于永磁同步电机驱动调制策略的效率优化方法，包括根据连续脉宽调制的开关损耗和非连续脉宽调制的开关损耗计算DPWMAX、DPWMMIN、DPWM0、DPWM1、DPWM2、DPWM3调制标定波形；根据DPWMAX、DPWMMIN、DPWM0、DPWM1、DPWM2、DPWM3调制标定波形生成随功率因数角变化的DPWMAX、DPWMMIN、DPWM0、DPWM1、DPWM2、DPWM3开关损耗函数图；根据内功率因数角和功角实时计算永磁同步电机的功率因数角；在开关损耗函数图中选择功率因数角对应的DPWMAX、DPWMMIN、DPWM0、DPWM1、DPWM2、DPWM3中开关损耗最小的调制波形。本发明实时计算功率因数角，并按照生成的功率因数角和开关损耗函数图，实时选择此时最低开关损耗的调制波形，实现开关损耗最小控制，从而有效提高电机驱动系统效率。
一种基于永磁同步电机驱动调制策略效率优化方法

[发明专利]半导体模块-CN201580009332.9有效
发明人：龟山悟 -专利权人：丰田自动车株式会社
申请日： 2015-01-07 - 公布日： 2018-10-09 - 主分类号： H02M3/155 文献下载
摘要：本发明的半导体模块(2)具备高电位配线(300)、输出配线(400)、低电位配线(500)、上臂开关元件(110)、上臂二极管(120)、下臂开关元件(210)和下臂二极管(220)。上臂开关元件(110)的稳态损耗/开关损耗比率被形成为与下臂开关元件(210)的稳态损耗/开关损耗比率相比较小。另外，上臂二极管(120)的稳态损耗/开关损耗比率被形成为与下臂二极管(220)的稳态损耗/开关损耗比率相比较小。
半导体模块

[发明专利]半导体装置-CN201680008296.9有效
发明人：荒木龙 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2016-06-21 - 公布日： 2019-10-18 - 主分类号： H02M3/337 文献下载
摘要：提供一种能够降低开关损耗的半导体装置。半导体装置具有串联连接的第一半导体元件(Su)～(Sw)和第二半导体元件(Sx)～(Sz)，第一半导体元件是由具有比第二半导体元件的开关损耗小的开关损耗的低开关损耗半导体元件构成的，第二半导体元件是由具有比第一半导体元件的导通损耗小的导通损耗的低导通损耗半导体元件构成的
半导体装置

[发明专利]NLC调制下MMC换流阀的动态损耗与总体损耗计算方法-CN202110129976.9有效
发明人：罗永捷;宋勇辉;李奇芬;张连升 -专利权人：重庆大学
申请日： 2021-01-29 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： G06F17/10 文献下载
摘要：本发明公开了NLC调制下MMC换流阀的动态损耗与总体损耗计算方法，动态损耗包括附加开关损耗与必要开关损耗，考虑到不同投切时刻的运行工况不同带来的开关能量损耗的差异性以及不同投切时刻的子模块轮换数的差异性，取各个时刻子模块单次开关能量与投切次数累积作为动态损耗的基本计算框架，本发明的附加开关能量均于不同投切时刻的运行工况相关，而子模块轮换数则与不同投切时刻的瞬时功率P相关，因此本发明能够更加真实的反应实际运行工况下的附加开关能量与子模块轮换数，因此能够缩小附加开关损耗计算值与实际损耗之间的差异，提高计算精度。计算出MMC换流阀的附加开关损耗与必要开关损耗，并增加静态损耗以获得总体损耗。
nlc 调制 mmc 换流动态损耗总体计算方法

[发明专利]基于驱动器拓扑结构的开关损耗减小方法-CN202110464438.5有效
发明人：谭博;倪志浩;陈超波;代佳伟;蒲瑞强 -专利权人：西安工业大学
申请日： 2021-04-28 - 公布日： 2022-05-31 - 主分类号： H02M3/156 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于驱动器拓扑结构的开关损耗减小方法，在不需增加额外电路情况下能有效减小驱动器开关损耗。实现步骤是：根据驱动器拓扑结构绘制拓扑电压矢量图：设定减小开关损耗的假设条件；得到给定电压在不同扇区作用时矢量分量作用时间和αβ坐标系下电压矢量：计算每个桥臂开关时间，通过SVPWM模块对桥式驱动电路调制：依调制结果，算得驱动器开关损耗，完成驱动器开关损耗的减小。拓扑结构简单，搭建容易，无需增加额外设备和成本；无需特定环境并且能显著减小开关损耗，在汽车电子、医疗器械和航空航天领域都有较为广泛的应用。
基于驱动器拓扑结构开关损耗减小方法

[发明专利]多区域的功率半导体器件-CN201610893921.4有效
发明人：苏明 -专利权人：福特全球技术公司
申请日： 2016-10-13 - 公布日： 2021-08-31 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：所述区域中的每个可通过在切换到非导通状态期间的开关损耗来表征。所述器件被构造为使得开关损耗在所述区域中的至少两个区域之间不同。此外，所述器件被构造为使得具有较大的开关损耗的区域在具有较小的开关损耗的区域之前切换到非导通状态。
区域功率半导体器件

[发明专利]一种线性IGBT模块开关损耗估计方法-CN201510227556.9有效
发明人：付超;孙玉巍;许恺 -专利权人：华北电力大学（保定）
申请日： 2015-05-06 - 公布日： 2015-08-05 - 主分类号： G06F19/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种线性IGBT模块开关损耗估计方法，包括功率管线性化开关损耗估计模型的建立、线性化开关损耗估计模型的校正和IGBT开关损耗的计算。它采用线性化估计方法，简便易行,便于实用化。它充分考虑构建充分考虑线路杂散电感，二极管反向恢复作用和电流拖尾过程等开关暂态过程主要特征的影响，在简化模型的同时保证计算结果的精确性。
一种线性 igbt 模块开关损耗估计方法

[发明专利]开关管动态频率调节方法及系统-CN201410854414.0有效
发明人：郭智峰 -专利权人：郭智峰
申请日： 2014-12-29 - 公布日： 2015-04-01 - 主分类号： H02M1/08 文献下载
摘要：开关管动态频率调节方法包括根据当前的开关管电流、开关管压降和门极驱动电压的占空比获取开关管的当前通态损耗；根据当前的母线电压，开关管电流和上一次获取的开关管结温获取当前一次开关损耗；根据当前一次开关损耗和上一次获取的开关频率获取当前的总开关损耗；根据当前的通态损耗和当前的总开关损耗获取当前的总损耗；根据当前的总损耗、开关管散热器温度以及预设的开关管结至散热器之间的热阻获取当前的开关管结温；根据当前开关管结温对应调节开关频率，以驱动开关管。上述发明可大大减少重负载时总损耗，同时优化系统在轻负载时的动态特性即灵活性，而且能够保证开关管的各参数始终位于稳定和安全范围内。
开关动态频率调节方法系统

[发明专利]用于零电压开关的绝缘栅双极晶体管-CN99802681.6无效
发明人： A·埃拉塞尔;M·J·舒滕 -专利权人：通用电气公司
申请日： 1999-11-23 - 公布日： 2001-04-04 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：一种IGBT适用于ZVS工作,所以显著减少了ZVS工作期间的开关损耗。实际上,IGBT适用于作为具有非常小双极晶体管元件的MOSFET工作。通过减少传导期间注入到器件的少子数量,可以减少开关损耗。此外,该ZVSIGBT结构允许在工作温度升高时存储电荷少量增加,允许器件在较高温下以较低开关损耗工作。此外ZVSIGBT结构允许工作温度升高时存储的电荷少量增加,允许器件在较高的温度下以较低的开关损耗工作。
用于电压开关绝缘双极晶体管

[发明专利]一种新型异步电机直接转矩控制方法-CN201611091338.8在审
发明人：邢桂兰 -专利权人：邢桂兰
申请日： 2016-12-01 - 公布日： 2018-06-08 - 主分类号： H02P21/30 文献下载
摘要：本发明公开一种新型异步电机直接转矩控制方法，该方法通过建立异步电机离散时间预测模型，对不同开关矢量作用下的系统输出矢量进行轨迹外推，形成长预测范围的输出轨迹。同时分析三电平逆变器在开关切换时产生的开关损耗，以逆变器的平均开关损耗为价值函数，对不同开关矢量作用的输出轨迹进行在线评估，得到最优的开关矢量并将其作用于逆变器，从而有效降低了逆变器的开关损耗。该方法能够有效降低逆变器的开关损耗，并且能够使系统运行在300 Hz左右的低开关频率下的同时获得快速的动态响应能力和较理想的电流谐波性能。相较于其它低开关频率方法，尤其在轻载的情况下能够明显降低逆变器的开关损耗。
开关损耗逆变器开关矢量异步电机直接转矩控制低开关频率输出轨迹动态响应能力三电平逆变器电流谐波价值函数开关切换时间预测系统输出系统运行在线评估矢量轻载预测分析

[发明专利]基于双载波和合成调制波的三相逆变器最小开关损耗方法-CN201910144649.3有效
发明人：梁光耀;宋加旺;刘广财;刘红伟 -专利权人：上海宝准电源科技有限公司;嘉兴伏尔电子科技有限公司;上海电动工具研究所（集团）有限公司
申请日： 2019-02-27 - 公布日： 2020-07-03 - 主分类号： H02M7/5387 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于双载波和合成调制波的三相逆变器最小开关损耗方法，包括以下步骤。步骤S1：将零序分量叠加于正弦调制波，以调制形成合成调制波。本发明公开的基于双载波和合成调制波的三相逆变器最小开关损耗方法，采用双极性载波和由新型的零序分量与正弦波合成调制波的最小开关损耗PWM策略，避免传统的DPWM只能在特定功率因数范围内实现最小开关损耗的缺陷，以便功率因数范围进一步降低时能够进一步优化开关损耗，能实现全功率因数范围内的开关损耗最小不连续调制策略DPWM。
基于载波合成调制三相逆变器最小开关损耗方法

[发明专利]一种基于平均值模型的MMC阀组损耗确定方法及系统-CN202211685057.0有效
发明人：郝全睿;孙正东;丁磊 -专利权人：山东大学
申请日： 2022-12-27 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H02J3/38 文献下载
摘要：本发明公开一种基于平均值模型的MMC阀组损耗确定方法及系统，包括：根据MMC阀组中桥臂电流流通路径和桥臂子模块投入数目，确定器件通态损耗；基于半平均值模型全工况网格化运行后获得开关频率数据集，对开关频率数据集经二维插值得到开关频率曲面，根据开关频率曲面得到任意工况下开关频率近似值；基于理想假设推导桥臂上器件的最大开通和关断次数，以此利用平均值模型确定开关频率上限和对应的开关损耗上限；根据开关频率近似值、开关频率上限和开关损耗上限，得到器件开关损耗解决MMC阀组开关损耗的计算精度、计算速度难以兼顾的问题，实现了全工况下MMC阀组损耗的快速计算。
一种基于平均值模型 mmc 损耗确定方法系统

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