专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]氧化/氮化/氧化侧墙的制作方法-CN201010027293.4有效
  • 陈帆;徐炯;张海芳;杨华 - 上海华虹NEC电子有限公司
  • 2010-01-18 - 2011-07-20 - H01L21/331
  • 本发明公开了一种氧化/氮化/氧化侧墙的制作方法;包括以下步骤:步骤一、淀积掩膜氧化硅、氮化硅、氧化硅;步骤二、打开浅槽区域,并刻蚀浅槽;步骤三、热氧化浅槽衬垫氧化膜,然后淀积氮化,淀积氧化;步骤四、形成浅槽内侧墙,包括氧化、氮化、浅槽衬垫氧化膜,向P型衬底注入杂质子形成埋层;步骤五、去除硬掩膜中的氧化硅和侧墙氧化膜,穿透氧化硅和氮化硅注入杂质,形成集电区;步骤六、去除侧墙氮化膜。本发明利用氧化/氮化/氧化ONO形成的STI侧墙保护,在湿法去除氧化后,不产生氮化膜下的氧化膜的刻蚀底切,保护有源区。
  • 氧化氮化层侧墙制作方法
  • [实用新型]氧化去皮机-CN201621429268.8有效
  • 肖长虹;张渊;张朝峻 - 湘潭新奥燃气有限公司
  • 2016-12-24 - 2017-06-23 - B23D79/12
  • 氧化去皮机,涉及燃气管道检修工具技术领域,它包括安装座、连接板、移动轮组件、定位轮组件和刮刀组件,所述安装座设有移动丝杠安装孔和一对调节丝杠安装孔,所述连接板上设有一组轴安装孔,所述移动轮组件包括移动丝杠一对导杆和一对移动轮,所述移动丝杠和一对导杆的两端分别通过轴承活动安装在安装座和连接板内的安装孔内,所述丝杠螺母上设有一对导杆通过孔,丝杠螺母的一对导杆通过孔分别穿过一对导杆,且丝杠螺母装配在移动丝杠上;本实用新型提供氧化去皮机,结构设计合理,使用便捷,能很好的解决普通刮刀的刮除氧化皮的缺点,刮除效率高,且刮除氧化皮后管道表面厚度均匀,具有很好的实用价值。
  • 氧化去皮
  • [发明专利]台阶栅氧化的制备方法和台阶栅氧化-CN202010248415.6在审
  • 来豪杰;陈瑜;陈华伦 - 华虹半导体(无锡)有限公司
  • 2020-04-01 - 2020-08-11 - H01L21/28
  • 本申请公开了一种台阶栅氧化的制备方法和台阶栅氧化,方法包括:在衬底上形成氧化;在氧化上形成至少两介质,对于至少两介质中的任一相邻的两介质,上一介质的被刻蚀速率大于下一介质的被刻蚀速率;在至少两介质最上层的介质上形成硬掩模;对目标区域的硬掩模进行去除;通过湿法刻蚀工艺对至少两介质进行去除;去除剩余的硬掩模。本申请通过在衬底上形成氧化后,在氧化上方依次形成至少两介质,通过湿法刻蚀工艺对至少两介质进行去除,从而形成台阶栅氧化,由于至少两介质中任一相邻的两介质中上一介质的被刻蚀速率大于下一介质的被刻蚀速率
  • 台阶氧化制备方法
  • [发明专利]氧化的制造方法-CN201810612008.1有效
  • 成鑫华 - 上海华力集成电路制造有限公司
  • 2018-06-14 - 2021-04-13 - H01L21/28
  • 本发明公开了一种氧化的制造方法,包括步骤:步骤一、提供一硅片,对硅片表面进行预处理;步骤二、进行氧化生长,包括分步骤:步骤21、进行饱压工艺,饱压气体采用惰性气体或氮气;在升温过程中,硅片表面的Si‑H键断裂并产生H2,通过饱压气体将H2吹出;步骤22、进行二氧化硅沉积工艺,在稳定的温度和气压下,氧源气体和硅反应形成二氧化。本发明能提高氧化的质量以及氧化和硅表面的界面质量,减少氧化和硅的界面缺陷,改善器件的闪烁噪声。
  • 氧化制造方法
  • [发明专利]氧化蚀刻液-CN201510493448.6有效
  • 李明镐;郑泰秀;文载雄;金东铉;姜敎元 - 易安爱富科技有限公司
  • 2015-08-12 - 2019-02-19 - C09K13/08
  • 本发明涉及包含如下成分的氧化蚀刻液:氟化合物、具有2个以上的磺酸基的磺酸化合物或其盐、以及水。本发明所述的蚀刻液在维持对氧化的蚀刻速度的同时,降低作为像素电极下部绝缘膜的氮化硅的蚀刻速度,以使氮化的损失最小化,保护下部膜,并使更薄的氮化结构变得可行,从而减少在制造半导体时出现的缺陷,使得能够形成更加精细化的半导体结构
  • 氧化蚀刻
  • [发明专利]氧化测试结构-CN202310219503.7有效
  • 鲍丙辉;曲厚任;项宁 - 合肥晶合集成电路股份有限公司
  • 2023-03-09 - 2023-06-09 - H01L23/544
  • 本发明提供了一种栅氧化测试结构,包括:衬底,所述衬底包含器件区与虚拟区,所述虚拟区位于所述器件区的边缘,所述衬底内形成有多个隔离结构,和由所述隔离结构限定的有源区;位于所述衬底上的栅氧化,以及位于所述栅氧化上的栅极;其中,所述器件区与所述虚拟区内的所述栅氧化相并联。本发明通过将器件区与虚拟区内的栅氧化并联,以此提高所述栅氧化的检测面积,从而更有效地监控所述栅氧化的击穿电压,提高WAT的检测能力,能够更好地反应制程问题,减少客诉。
  • 氧化测试结构

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