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[实用新型]点火电容器-CN201721924520.7有效
发明人：张亮 -专利权人：南京星梵电子科技有限公司
申请日： 2017-12-29 - 公布日： 2018-11-13 - 主分类号： H01G4/228 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种点火电容器，该点火电容器10包括：电容芯子金属化薄膜11金属化薄膜、喷金层金属化薄膜12金属化薄膜及焊片金属化薄膜13金属化薄膜；其中，所述喷金层金属化薄膜12金属化薄膜覆盖于所述电容芯子金属化薄膜11金属化薄膜的两个端面上；所述焊片金属化薄膜13金属化薄膜设置于电容芯子金属化薄膜11金属化薄膜的两个端面上且与所述喷金层金属化薄膜12金属化薄膜相连接。本实用新型提供的点火电容器，采用金属化薄膜无感卷绕方式，可以减小电容器的等效电感；金属化薄膜采用串式设计，可以电容器的耐压能力，降低电容器的容量，从而降低电容器放电时间。
金属化薄膜点火电容器电容器电容芯子喷金层本实用新型焊片电容器放电等效电感卷绕方式耐压能力串式减小覆盖

[发明专利]金属电阻器装置及其制造方法-CN02805449.0无效
发明人：河朝雄;金承贤;李东洙;禹贤廷;朴东衍 -专利权人：伊诺斯泰克有限公司
申请日： 2002-02-22 - 公布日： 2004-04-28 - 主分类号： H01C7/00 文献下载
摘要：本发明提供一种金属电阻器及其制造方法。第一绝缘薄膜形成在基体上，光敏薄膜作用在绝缘薄膜上，通过使绝缘薄膜形成图案而形成绝缘薄膜图案。金属薄膜在绝缘薄膜图案内和光敏薄膜内形成后，除去光敏薄膜，在绝缘薄膜图案内形成金属薄膜图案。在金属薄膜图案和绝缘薄膜图案上，形成第二绝缘薄膜，在金属薄膜图案的衬垫区连接有导线，然后制成金属薄膜电阻器，其上具有在导线上和导线周围的保留薄膜。通过蚀刻绝缘薄膜，利用图案形成工艺，以形成金属薄膜图案，可以克服装置的磨损或者寿命降低的问题，易于控制金属薄膜电阻器的电阻，通过制造高电阻的金属薄膜电阻器温度，可以提高灵敏度，所述电阻器具有减小线宽的金属薄膜图案
金属电阻器装置及其制造方法

[发明专利]金属薄膜沉积方法-CN202210096905.8有效
发明人：高政宁;宋文聪 -专利权人：上海陛通半导体能源科技股份有限公司
申请日： 2022-01-27 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： C23C16/14 文献下载
摘要：本发明提供一种金属薄膜沉积方法，包括步骤：提供待沉积的基底，对基底进行清洁后置于真空腔体内；待真空腔体内升温至预设温度后，于基底表面沉积金属薄膜；在同一真空腔体中于金属薄膜表面沉积硅薄膜，硅薄膜用于防止金属薄膜被氧化；其中，预设温度与硅薄膜沉积过程中的温度相同。本发明创造性地将金属薄膜的沉积过程置于硅薄膜的沉积温度下进行，在沉积金属薄膜之后连续性地于金属薄膜表面生成硅薄膜以对金属薄膜进行保护，在确保金属薄膜的性能的同时，可以防止金属薄膜在基底转移过程中被氧化污染，避免后续对金属薄膜的成分表征分析造成不良影响而影响到后续制程。
金属薄膜沉积方法

[发明专利]一种超导转变边沿传感器、制备方法及微量能器-CN202111194967.4在审
发明人：黎发军;梁亚杰;王烨儒;王国乐;王思凡;丁骄;崔伟 -专利权人：清华大学
申请日： 2021-10-14 - 公布日： 2021-11-16 - 主分类号： H01L39/24 文献下载
摘要：本发明提供了一种超导转变边沿传感器、制备方法及微量能器，其中超导转变边沿传感器制备方法，包括：提供衬底；在所述衬底的上表面形成超导金属薄膜；在所述超导金属薄膜的上表面形成正常金属薄膜，所述超导金属薄膜与正常金属薄膜的厚度之比为1‑10；所述超导金属薄膜和正常金属薄膜在真空腔内形成。通过在衬底上形成超导金属薄膜和正常金属薄膜，并使超导金属薄膜与正常金属薄膜的厚度之比保持在1‑10的范围内。通过对超导金属薄膜与正常金属薄膜的厚度比进行控制，提高了TES的转变温度Tc均匀性和转变区间可控性。
一种超导转变边沿传感器制备方法微量

[发明专利]应用于有机电路的双金属电极结构及其制备方法-CN200810119085.X有效
发明人：商立伟;刘明;涂德钰;甄丽娟;刘舸;刘兴华 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2008-08-28 - 公布日： 2010-03-03 - 主分类号： H01L51/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种应用于有机电路的双金属电极结构，该结构由有机半导体薄膜、第一层金属薄膜和沉积在该第一层金属薄膜上的第二层金属薄膜构成。对于顶接触式器件结构，该第一层金属薄膜为高功函数金属薄膜，该第二层金属薄膜为廉价金属薄膜，该第一层金属薄膜与有机半导体薄膜直接接触，该第二层金属薄膜与互连线接触。对于底接触式器件结构，该第一层金属薄膜为廉价金属薄膜，该第二层金属薄膜为高功函数金属薄膜，该第二层金属薄膜与有机半导体薄膜直接接触，且该第二层金属薄膜与互连线接触。本发明同时公开了一种应用于有机电路的双金属电极结构的制备方法。利用本发明，能够在不降低器件性能前提下多方面降低成本，推动有机电路的实用化。
应用于有机电路双金属电极结构及其制备方法

[发明专利]多层金属复合薄膜及其制造方法-CN200510079146.0有效
发明人：西条谨二;吉田一雄;冈本浩明;大泽真司 -专利权人：东洋钢钣株式会社
申请日： 2001-10-04 - 公布日： 2006-02-01 - 主分类号： B32B15/08 文献下载
摘要：一种具有所定厚度而又无粘合剂的多层金属层压复合薄膜，不用粘合剂将表面形成金属薄膜的高分子薄膜与具有所定厚度的金属箔接合。通过活性化处理高分子薄膜表面形成的金属薄膜复合薄膜上的金属薄膜表面和金属箔表面，然后将上述经活性化处理的金属薄膜表面与金属箔表面压力接合，由此可以得到多层金属层压复合薄膜。
多层金属复合薄膜及其制造方法

[发明专利]多层金属复合薄膜及其制造方法-CN01817237.7有效
发明人：西条谨二;吉田一雄;冈本浩明;大泽真司 -专利权人：东洋钢钣株式会社
申请日： 2001-10-04 - 公布日： 2004-01-21 - 主分类号： B32B15/08 文献下载
摘要：一种具有所定厚度而又无粘合剂的多层金属层压复合薄膜，不用粘合剂将表面形成金属薄膜的高分子薄膜与具有所定厚度的金属箔接合。通过活性化处理高分子薄膜表面形成的金属薄膜复合薄膜上的金属薄膜表面和金属箔表面，然后将上述经活性化处理的金属薄膜表面与金属箔表面压力接合，由此可以得到多层金属层压复合薄膜。
多层金属复合薄膜及其制造方法

[发明专利]一种薄膜晶体管及其制作方法、显示面板-CN201711031125.0有效
发明人：刘军;黄勇潮;周斌;苏同上;程磊磊 -专利权人：合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2017-10-27 - 公布日： 2020-03-10 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种薄膜晶体管及其制作方法、显示面板，其中，该方法包括：形成金属薄膜；在金属薄膜上沉积保护薄膜；将暴露于保护薄膜外的金属进行刻蚀处理，以消除暴露于保护薄膜外的金属；剥离保护薄膜，本发明提供的技术方案通过在金属薄膜上沉积保护薄膜，使得金属薄膜表面高度较高的小丘处无法连续沉积而断裂露出小丘，继而对暴露于保护薄膜外的金属进行刻蚀，消除金属薄膜表面存在的小丘，提高了薄膜晶体管的性能和良品率。
一种薄膜晶体管及其制作方法显示面板

[发明专利]金属薄膜的制备方法-CN202210761872.4在审
发明人：康晓旭 -专利权人：上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司;上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2022-06-29 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： H01L21/3205 文献下载
摘要：本发明提供了一种金属薄膜的制备方法，包括：提供半导体结构层；在所述半导体结构层上依次形成若干层第一金属薄膜和一层第二金属薄膜，每次形成一层所述第一金属薄膜之后，均执行掺杂工艺在所述第一金属薄膜中形成合金颗粒，所述合金颗粒的尺寸小于所述第一金属薄膜中金属颗粒的尺寸，且位于所述第一金属薄膜的表面的合金颗粒的浓度最高，所述第二金属薄膜和所有所述第一金属薄膜构成所述金属薄膜；本发明降低了金属薄膜的表面的粗糙度。
金属薄膜制备方法

[发明专利]金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法-CN201410019642.6在审
发明人：徐苗;赵铭杰;罗东向;徐华;邹建华;陶洪;王磊;彭俊彪 -专利权人：广州新视界光电科技有限公司
申请日： 2014-01-16 - 公布日： 2014-04-09 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：一种金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法，金属氧化物薄膜晶体管含有由下层金属氧化物薄膜、铜基薄膜和上层金属氧化物薄膜以自下而上叠层构成的复合铜基薄膜，上层金属氧化物薄膜和下层金属氧化物薄膜均为金属氧化物薄膜；其中，下层金属氧化物薄膜作为铜基薄膜的粘附层并作为金属氧化物薄膜晶体管的有源层，铜基薄膜作为金属氧化物薄膜晶体管的源漏电极，上层金属氧化物层为铜基薄膜的保护层。该金属氧化物薄膜晶体管使用一块灰度掩膜版通过一次光刻工艺完成有源层和源漏电极及其电路布线的定义，简化了金属氧化物薄膜晶体管的制备工艺。本发明采用低布线电阻的铜基薄膜作为布线材料，具有制备工艺简单的特点。
金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法

[发明专利]一种波纹膜的布置形式-CN202211599692.7在审
发明人：何炜;陈世福;魏颖 -专利权人：中太海事技术（上海）有限公司
申请日： 2022-12-12 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： B63B25/08 文献下载
摘要：本发明涉及液货缓冲波纹膜技术领域，公开了一种波纹膜的布置形式，包括支撑块，金属平薄膜板，金属横波纹薄膜板，金属纵波纹薄膜板，所述的金属平薄膜板靠底部卡扣固定在支撑块上；所述的金属横波纹薄膜板搭接焊接在金属平薄膜板上；所述的相邻金属横波纹薄膜板之间搭接焊接在一起，搭接位置处在支撑块边的中部位置。纵波纹薄膜板搭接焊接固定在相邻金属平薄膜板和金属横波纹薄膜板上。本发明中，金属横波纹薄膜板之间的搭接位置相对灵活，可以根据实际工况灵活调整；金属平薄膜板、金属横波纹薄膜板和金属纵波纹薄膜板之间的定位可以现场逐步拼装、车间预制组装或者整体压膜制作。
一种波纹布置形式

[实用新型]一种金属吸收型COVER窗口片-CN201720147281.2有效
发明人：谭耀成;张峰;张睿智;林正坤;彭建宾;盛永江 -专利权人：浙江水晶光电科技股份有限公司
申请日： 2017-02-17 - 公布日： 2017-10-13 - 主分类号： G02B5/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种金属吸收型COVER窗口片，旨在提供一种具有高吸收和低反射性能，可有效减少成像眩光和鬼影的问题的金属吸收型COVER窗口片。它包括基板；以及设置在基板表面的金属‑介质薄膜，且金属‑介质薄膜覆盖的区域构成COVER窗口片的遮光区，所述金属‑介质薄膜包括由基板表面往外依次分布的内介质薄膜、金属薄膜与外介质薄膜，所述金属薄膜为金属铬薄膜，所述内介质薄膜和外介质薄膜均由氧化铬薄膜与氧化硅薄膜依次交替堆叠而成。
一种金属吸收 cover 窗口

[实用新型]一种金属支架和金属薄膜的配合结构-CN201520411774.3有效
发明人：丁进新;李明;曹小鹏;朱启昌 -专利权人：深圳市汇创达科技有限公司
申请日： 2015-06-15 - 公布日： 2015-12-16 - 主分类号： H01H13/02 文献下载
摘要：本实用新型公开一种金属支架和金属薄膜的配合结构，包括支架和金属薄膜，支架包括用于按压所述金属薄膜的支架板，所述支架板与金属薄膜之间设有按压凸起。这样设置，在按压时，支架板就可以带动按压凸起压动金属薄膜，让金属薄膜产生形变，设置的按压凸起与金属薄膜的接触面积相对于支架板直接与金属薄膜接触面积相比更加小，这样就按压凸起与金属薄膜之间产生的压强就更大，使用更小的力就可以让金属薄膜产生更大的变形，从而方便按压，使按下更加可靠。
一种金属支架金属薄膜配合结构

[实用新型]端面具有金属化层的金属化薄膜带-CN02216232.1无效
发明人：裘国建 -专利权人：裘国建
申请日： 2002-03-19 - 公布日： 2003-02-12 - 主分类号： H01G4/32 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种端面具有金属化层的金属化薄膜带，包括由薄膜带和金属化镀层构成的金属化薄膜带，其特征在于在金属化薄膜带的端面上有金属化层，端面上金属化层与金属化薄膜带边侧的金属化镀层相连；在金属化薄膜带上有若干条金属化镀层，在金属化薄膜带的两边侧有金属化镀层，金属化薄膜带的两侧端面上有金属化层；在金属化薄膜带的一边侧有薄膜带留边，在未留边一侧的金属化薄膜带的端面上有金属化层。本实用新型的优点是能增大金属化薄膜带的端面导电截面积，使之做成的电容器主体端面与引出端的导电截面积增大。
端面具有金属化薄膜

[实用新型]一种大容量膜箔复合式电极电容器-CN201720144955.3有效
发明人：林正亮;宣华伟;姚林生 -专利权人：郑州华翔电子信息技术有限公司
申请日： 2017-02-17 - 公布日： 2017-08-18 - 主分类号： H01G4/005 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种大容量膜箔复合式电极电容器，包括壳体、电容器芯子、CP线构成，电容器芯子为由第一单面金属化薄膜层、第二双面金属箔薄膜层、第三单面金属化薄膜层三层依次叠加卷绕形成的串联芯子；第一单面金属化薄膜层包括第一薄膜介质层和第一薄膜介质层外侧蒸镀的第一金属化薄膜，第二双面金属化薄膜层包括第二薄膜介质层和位于第二薄膜介质层两侧的上金属箔、下金属箔，第三单面金属化薄膜层包括第三薄膜介质层和第三薄膜介质层外侧蒸镀的第三金属化薄膜；CP线分别为左CP线和右CP线，左CP线连接下金属箔和第一金属化薄膜，并引出壳体外，右CP线连接上金属箔和第三金属化薄膜，并引出壳体外。
一种容量复合电极电容器

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